公开(公告)号：CN100440519C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410007438.9

申请日：2004-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长崎博记 ,  田中晶二 ,  松长诚之

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14843

Abstract: 本发明提供一种高性能的固体摄像器件。固体摄像器件具有多个象素单元和驱动机构，各象素单元包括：将入射光变换成信号电荷并存储起来的光电二极管(3)，为了读出存储在光电二极管(3)内的信号电荷而设置的MOS晶体管(4)，为了将光电二极管(3)和MOS晶体管(4)分离、用在半导体基板(10)上挖入的STI形成的元件分离部(2)，为了阻止从光电二极管(3)向MOS晶体管(4)的电荷流出，形成在元件分离部下侧的深部分离注入层(1)。

公开(公告)号：CN100426512C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200510009599.6

申请日：2005-02-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长崎博记 ,  田中晶二

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/035272

Abstract: 在半导体衬底(10)的主表面中形成光电二极管(20a、20b)。光电二极管(20a)包括P+型半导体层(22a)和电荷积累部分(21a)，光电二极管(20b)包括P+型半导体层(22b)和电荷积累部分(21b)。光电二极管(20a和20b)由具有STI结构的元件隔离部分(33a)分开。构成光电二极管(20a和20b)的电荷积累部分(21a和21b)的底部位于到半导体衬底(10)的主表面比到元件隔离部分(33a)的底部更深的位置上。这样，可以提供一种固态成像装置，其中可以防止色彩混合并且电荷积累部分的容量大，并且灵敏性和饱和特性优异。

公开(公告)号：CN1527394A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410007438.9

申请日：2004-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长崎博记 ,  田中晶二 ,  松长诚之

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14843

Abstract: 本发明提供一种高性能的固体摄像器件。固体摄像器件具有多个象素单元和驱动机构，各象素单元包括：将入射光变换成信号电荷并存储起来的光电二极管(3)，为了读出存储在光电二极管(3)内的信号电荷而设置的MOS晶体管(4)，为了将光电二极管(3)和MOS晶体管(4)分离、用在半导体基板(10)上挖入的STI形成的元件分离部(2)，为了阻止从光电二极管(3)向MOS晶体管(4)的电荷流出，形成在元件分离部下侧的深部分离注入层(1)。