公开(公告)号：CN1534766A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031476.8

申请日：2004-03-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 谷口公一 ,  野尻尚纪

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/02 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，它能使位于半导体芯片周围的输入输出电路部，不招致ESD保护晶体管的击穿，又能将侵入电极焊接区的静电放电保护内部电路。各输入输出单元(IOC)，配备多个ESD保护晶体管(OT)。电极焊接区单元(Pad)由下侧的电极焊接区(50)和上侧的电极焊接区(51)的2层结构构成。配置该电极焊接区单元(PAD)，使之覆盖配备在自己的单元(IOC)上的ESD保护晶体管(OT)的连接布线(16)的上方。邻接的电极焊接区(50)的第1焊接区部(50a)位于电极焊接区(50)的第2焊接区部(50b)的端部，该第2焊接区部(50b)虽然不延伸到前方，但是，比该第2焊接区部(50b)宽度更窄的第3焊接区部(50c)配置在前方。