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公开(公告)号：CN102741905B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201080003324.0
申请日：2010-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 钟之江有宣
CPC classification number: H01L51/5228 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L27/3279
Abstract: 本发明的EL显示面板(1)具备有机EL元件(10)和对有机EL元件(10)的发光进行控制的薄膜半导体部。有机EL元件包括下部电极(12)、有机发光层(13)及上部电极(14)。薄膜半导体部包括基板(300)、第1栅电极(310G)、栅极绝缘膜(330)、第1半导体层(311)、第1源电极(310S)、与第1源电极(310S)形成于相同的层的第2漏电极(320D)、与第2漏电极同层且电连接的第1电源布线(23A)及形成为覆盖第1源电极和第2漏电极的第1层间绝缘膜(340)。进而，具备：配置于第1层间绝缘膜上且与第1栅电极连接的栅极布线(21)、与栅极布线同层且与第1电源布线连接的第2电源布线(23B)及与第2电源布线同层且与上部电极连接的辅助布线(25)。
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公开(公告)号：CN103946912A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180075029.0
申请日：2011-11-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G3/3233 , G09G3/3659 , G09G2300/0439 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2300/0876 , G09G2310/0294 , G09G2320/0223 , G09G2320/0233 , G09G2320/043
Abstract: 显示装置具备的多个像素电路(10)各自具备：驱动晶体管(TD)，其源极端子和漏极端子的一方与电源线(VDD)连接；电容元件(Cs)，其第1端子与驱动晶体管(TD)的栅极端子连接；开关元件(T1)，其对电容元件(Cs)的第2端子与数据线(DATA)的导通和非导通进行切换；开关元件(T2)，其对电容元件(Cs)的第2端子与驱动晶体管(TD)的源极端子的导通和非导通进行切换；开关元件(T3)，其对电容元件(Cs)的第1端子与参考电压线(Vref)的导通和非导通进行切换；以及发光元件(EL)，其第1端子与驱动晶体管(TD)的源极端子和漏极端子的另一方连接，第2端子与电源线(VSS)连接，参考电压线(Vref)对驱动晶体管(TD)的栅极端子-源极端子间提供比阈值电压大的正向偏置电压。
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公开(公告)号：CN102959712A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180015805.8
申请日：2011-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/7866
Abstract: 本发明的薄膜晶体管（10）具备：基板（1）；栅电极（2），其形成于基板上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极上；结晶硅半导体层（4），其形成于栅极绝缘膜上；非晶硅半导体层（5），其形成于结晶硅半导体层上；有机保护膜（6），其形成于非晶硅半导体层上，由有机材料形成；源电极（8S）及漏电极（8D），其夹着有机保护膜而形成于非晶硅半导体层上，包含于非晶硅半导体层（5）的负载流子的电荷密度为3×1011cm-2以上。
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公开(公告)号：CN102934153A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201080067213.6
申请日：2010-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 钟之江有宣
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L29/78 , H05B33/14
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3276 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H05B33/10
Abstract: 本发明的显示装置用薄膜半导体装置（2）包括：形成于基板上的第1栅电极（310G）、形成于第1栅电极上的栅极绝缘膜（330）、形成于第1栅电极的上方的第1半导体层（311）、形成于第1半导体层的上方的第1源电极（310S）、形成在与第1源电极同层的第2漏电极（320D）、形成为覆盖第1源电极及第2漏电极的第1层间绝缘膜（340）、配置在第1层间绝缘膜上的栅极布线（21）、与第2漏电极同层且与第2漏电极电连接的第1电源布线（23A）、和形成在与栅极布线同层的第2电源布线（23B）。而且，第1栅电极和栅极布线经由第1接触部（111）而电连接区）第1电源布线和第2电源布线经由第2接触部（112）而电连接。
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公开(公告)号：CN102549636A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080002882.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3279
Abstract: 薄膜晶体管阵列装置(20)，具备底栅型的第1以及第2晶体管，源极配线(22)，配置在与第1晶体管所包含的第1源极电极(42)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1源极电极(42)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的栅极配线(21)的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与源极配线(22)以及中继电极(55)之间，在源极配线(22)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的源极配线(22)形成在同一层，由与源极配线(22)相同的材料构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107464819B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201710679609.X
申请日：2014-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
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公开(公告)号：CN110867469A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911126678.3
申请日：2015-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 钟之江有宣
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/00 , H01L51/52 , H01L21/34
Abstract: 提供一种使用氧化物半导体的顶部栅极结构的有机EL显示装置，有机EL显示装置在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。有机EL显示装置的TFT基板(1)具备第1水分阻隔层(6)，所述第1水分阻隔层(6)被设置为覆盖栅极绝缘层(4)以及栅电极(5)，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层(3)的接触区域(3a1、3a2)上的、除了接触区域(3a1)与源电极(8)的接合部分、以及接触区域(3a2)与漏电极(9)的接合部分之外的区域、和基板(2)上的不存在氧化物半导体层(3)的区域。第1水分阻隔层(6)包含金属氧化物，采用原子层沉积法形成。
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公开(公告)号：CN107516471A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710679587.7
申请日：2014-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/32 , H05B33/26 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/22 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
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公开(公告)号：CN107464819A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710679609.X
申请日：2014-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
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公开(公告)号：CN104350533B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201480001305.2
申请日：2014-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/22 , H05B33/26
CPC classification number: H01L27/3276 , G09F9/30 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L29/6656 , H01L29/66757 , H01L29/66772 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L2227/323 , H05B33/12 , H05B33/22 , H05B33/26
Abstract: 一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
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