公开(公告)号：CN107516471B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201710679587.7

申请日：2014-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  森田清之

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。

公开(公告)号：CN103314444A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201280004416.X

申请日：2012-10-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 薄膜半导体器件（100）具备：栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）、沟道保护层（160）、在沟道层（140）的两侧面形成的一对第2非晶半导体层（171、172）、和经由第2非晶半导体层（171、172）与沟道层（140）的侧面接触的一对接触层（181、182），栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）以及沟道保护层（160）层叠成俯视时外形轮廓线一致，第1非晶半导体层（150）的局部能级密度比第2非晶半导体层（171、172）的局部能级密度高，第2非晶半导体层（171、172）的带隙比第1非晶半导体层（150）的带隙大。

公开(公告)号：CN103026492A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201280002085.6

申请日：2012-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启 ,  林宏 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP

公开(公告)号：CN104934437A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510007493.6

申请日：2015-01-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种使用氧化物半导体的顶部栅极结构的TFT基板，该TFT基板在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。TFT基板(1)具备第1水分阻隔层(6)，所述第1水分阻隔层(6)被设置为覆盖栅极绝缘层(4)以及栅电极(5)，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层(3)的接触区域(3a1、3a2)上的、除了接触区域(3a1)与源电极(8)的接合部分、以及接触区域(3a2)与漏电极(9)的接合部分之外的区域、和基板(2)上的不存在氧化物半导体层(3)的区域。第1水分阻隔层(6)包含金属氧化物，采用原子层沉积法形成。

公开(公告)号：CN102576722A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080003406.5

申请日：2010-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/3276

Abstract: EL显示面板具有EL部和薄膜半导体部，EL部包括阳极电极、阴极电极和发光层，薄膜半导体部具有基板、栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、第1电极、第2电极、层间绝缘膜、在层间绝缘膜上配置的栅极布线(21)、在层间绝缘膜上与栅极布线(21)同层且与栅极布线(21)并行地配置的电源布线(23)、在层间绝缘膜上与栅极布线(21)和电源布线(23)同层且与栅极布线(21)和电源布线(23)并行地配置的辅助布线(25)。

公开(公告)号：CN111081734A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911126328.7

申请日：2015-01-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52 ,  H01L21/34

Abstract: 提供使用氧化物半导体的薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和采用该薄膜晶体管元件基板的有机EL显示装置，该薄膜晶体管元件基板在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。薄膜晶体管元件基板(1)具备第1水分阻隔层(6)，所述第1水分阻隔层(6)被设置为覆盖栅极绝缘层(4)以及栅电极(5)，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层(3)的接触区域(3a1、3a2)上的、除了接触区域(3a1)与源电极(8)的接合部分、以及接触区域(3a2)与漏电极(9)的接合部分之外的区域、和基板(2)上的不存在氧化物半导体层(3)的区域。第1水分阻隔层(6)包含金属氧化物，采用原子层沉积法形成。

公开(公告)号：CN104934437B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201510007493.6

申请日：2015-01-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种使用氧化物半导体的顶部栅极结构的TFT基板，该TFT基板在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。TFT基板(1)具备第1水分阻隔层(6)，所述第1水分阻隔层(6)被设置为覆盖栅极绝缘层(4)以及栅电极(5)，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层(3)的接触区域(3a1、3a2)上的、除了接触区域(3a1)与源电极(8)的接合部分、以及接触区域(3a2)与漏电极(9)的接合部分之外的区域、和基板(2)上的不存在氧化物半导体层(3)的区域。第1水分阻隔层(6)包含金属氧化物，采用原子层沉积法形成。

公开(公告)号：CN104350533A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201480001305.2

申请日：2014-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  森田清之

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G09F9/30 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L2227/323 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

Abstract: 一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。

公开(公告)号：CN103189970A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180029746.X

申请日：2011-10-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  川岛孝启

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/04 ,  G02F1/136213 ,  H01L21/77 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78633

Abstract: 薄膜半导体装置包括：具备遮光性的栅电极（51）、第1绝缘层（120）、沟道层（54）、第2绝缘层（131）、源电极（53）以及漏电极（52）的半导体元件部（50）；以及具备由透明导电性材料形成的第1电容电极（61）、电介质层（120）和第2电容电极（62）的电容部（60）；栅电极（51）、沟道层（54）以及第2绝缘层（131）层叠为俯视时外形轮廓线一致。

公开(公告)号：CN102741905A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201080003324.0

申请日：2010-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5228 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3279

Abstract: 本发明的EL显示面板(1)具备有机EL元件(10)和对有机EL元件(10)的发光进行控制的薄膜半导体部。有机EL元件包括下部电极(12)、有机发光层(13)及上部电极(14)。薄膜半导体部包括基板(300)、第1栅电极(310G)、栅极绝缘膜(330)、第1半导体层(311)、第1源电极(310S)、与第1源电极(310S)形成于相同的层的第2漏电极(320D)、与第2漏电极同层且电连接的第1电源布线(23A)及形成为覆盖第1源电极和第2漏电极的第1层间绝缘膜(340)。进而，具备：配置于第1层间绝缘膜上且与第1栅电极连接的栅极布线(21)、与栅极布线同层且与第1电源布线连接的第2电源布线(23B)及与第2电源布线同层且与上部电极连接的辅助布线(25)。