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公开(公告)号：CN100492507C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200410030404.1
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge-N、Ge-N-O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1937043A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610101642.6
申请日：1996-04-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 在具有至少两个信息层的光学信息记录介质中，在第一基片(1)的一个表面上设有用于跟踪的导槽，或对应信息信号的采样槽或是信息槽。用薄膜构成的第一信息层(2)被设在第二基片(3)的一个表面上，用于反射入射到第一基片(1)上的一部分光束(7)，并且允许一部分光束(7)穿透。用于跟踪的导槽或对应信息信号的信息槽被设在第二基片(3)的一个表面上。在第二基片(3)的一个表面上设有第二信息层(4)，其反射率比第一信息层(2)高。在第一信息层(2)与第二信息层(4)之间设有透明的分隔层(5)，用于把第一信息层(2)和第二信息层(4)按照彼此分开的预定距离定位。
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公开(公告)号：CN1833280A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022679.9
申请日：2004-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , G11B7/24076 , G11B7/266
Abstract: 提供在使用半透明的信息层的高密度记录中，也能使信号质量良好的光学信息记录介质。在具有1层以上的包含利用激光照射记录·再生信息信号的记录层的信息层、该信息层的照射面一侧的第1信息层表面具有螺旋状或同心圆状地形成的导向槽、该导向槽的内周侧和外周侧的倾斜面在对导向槽的底面而言分别具有倾斜角α和β的保护基板或分离层上形成。导向槽在半径方向上具有1个以上的倾斜角α和β不同的非对称区域，信息层在其非对称区域的内周侧和外周侧的倾斜面中，具有大体上一致的膜厚。
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公开(公告)号：CN1581323A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056457.0
申请日：2004-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , C23C14/08 , C23C14/205 , C23C14/542 , C23C14/568 , G11B7/24038
Abstract: 本发明提供一种即使在对半透明的信息层进行高密度记录时信号品质也良好的光学信息记录介质及其制造方法以及制造装置。本发明的光学信息记录介质，在圆盘状的透明基板以及保护基板之间至少设有半透明的信息层，该信息层具有光束引导用的螺旋状沟槽，还包括通过在能由来自所述透明基板侧的光束的照射光学检测出来的至少2个状态之间呈现变化、从而能够进行记录及再生的记录膜，并且在进行记录以及再生的全部区域上，所述沟槽的内周侧以及外周侧的斜面部分的膜厚的差在±10％以内。
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公开(公告)号：CN1551165A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410045805.4
申请日：2004-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种光信息记录介质，具有至少两个信息层。设置在前侧(从激光入射侧观察)的第一信息层(100)至少包括：反射层(3)；相对于反射层(3)设置在激光入射侧的记录层(6)，用于产生通过施加激光束光学地进行检测的、非晶相和晶相之间的可逆变化；以及设置在反射层(3)和记录层(6)之间的介电层(50)。所述介电层50至少包括锆、硅和铬，在反射层侧的介电层(50)的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝p∶q∶r(p+q+r＝100)，在记录层侧的接触面附近的介电层中的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝s∶t∶u(s+t+u＝100)，并且r＜u，或t＜q。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1545699A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN03800795.9
申请日：2003-04-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0055 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/241 , G11B7/257 , G11B7/268
Abstract: 在一个单面多层结构的相位变化光盘中初始化第一和第二信息层时，第一和第二信息层的薄膜结构，会在初始化处发生错误。一种光信息记录介质，其中，在至少一个信息层的结晶区域与无定型区域之间的界面处，即在面向一个信息层初始化起始位置的另一个信息层位置的区域内，在预结晶记录层的激光束波长下的反射率小于在上述波长下另一个信息层之其他区域的反射率。
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公开(公告)号：CN1495718A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03154825.3
申请日：1998-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/0062 , G11B7/0901 , G11B7/0906 , G11B7/0938 , G11B7/24 , G11B7/24079 , G11B7/246 , G11B7/254 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24316
Abstract: 记录信号时用推挽法或通过机械进给进行跟踪控制，再生时用相位差跟踪法进行跟踪控制，从而可以进行相位差再生、并能实现可重写的相变型光盘。此外，在具有相位差再生结构的相变光盘中，通过使未记录部分的反射率大于记录标记部的反射率，在信号再生时可以稳定地进行伺服控制。
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公开(公告)号：CN1193406A
公开(公告)日：1998-09-16
申请号：CN97190519.3
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体,为设有以Ge－N、Ge－N－O为代表的阻挡层的记录媒体,以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降,可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN100421162C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200480013698.5
申请日：2004-03-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种在光学信息存储介质中，表面平坦性优越，且记录时的标记间干扰较小的光学信息存储介质及其制造方法。在能够使用激光再生信息的光学信息存储介质(10)中，在基板(1)上顺次叠层有反射层(2)、记录层(5)，反射层(2)是含有Al与Ni的合金。
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公开(公告)号：CN100377238C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410100670.7
申请日：2004-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种适当执行光信息记录介质的初始化的方法，其中避免了初始化处理的停止，所以提高了制造光信息记录介质的产量。在初始化具有脉冲串刻录区域(以下称为“BCA”)的信息层中，在BCA范围与记录和重现信息的区域的数据区域之间改变包括用于信息层的激光功率、线速度和激光束的焦点中的至少一个初始化条件。在初始化没有BCA的信息层中，在对应于BCA的区域与对应于数据区域的区域之间改变包括用于信息层的激光功率、线速度和激光束焦点以及馈送间距中的至少一个初始化条件。
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