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公开(公告)号：CN1897132A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610100347.9
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge－N、Ge－N－O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN100492507C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200410030404.1
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge-N、Ge-N-O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1198568A
公开(公告)日：1998-11-11
申请号：CN98109250.0
申请日：1998-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种耐气候性优良、具有良好的记录擦除特性和重复特性的光学信息记录媒体,设置有含Ge层,以附接于信息层3上,该层7、8是由GeXN和GeXON中选出的至少一种为主要成分的扩散防止层。其中,成分X由Ⅲa、Ⅳa、Ⅴa、Ⅵa、Ⅶa、Ⅷ、Ⅰb、Ⅱb族元素和C中选出的至少一种元素构成,信息层3由以Ge、Te和Sb三种元素为主要成分的相变材料构成。
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公开(公告)号：CN1193406A
公开(公告)日：1998-09-16
申请号：CN97190519.3
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体,为设有以Ge－N、Ge－N－O为代表的阻挡层的记录媒体,以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降,可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1179335C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN98109250.0
申请日：1998-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种耐气候性优良、具有良好的记录擦除特性和重复特性的光学信息记录媒体，设置有含Ge层，以附接于信息层(3)上，该层(7)、(8)是由GeXN和GeXON中选出的至少一种为主要成分的扩散防止层。其中，成分X由IIIa、IVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib、IIb族元素和C中选出的至少一种元素构成，信息层(3)由以Ge、Te和Sb三种元素为主要成分的相变材料构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1542791A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410030404.1
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge－N、Ge－N－O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1538420A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410030407.5
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge－N、Ge－N－O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1897132B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200610100347.9
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0055 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/26
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge-N、Ge-N-O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1278325C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200410030407.5
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge-N、Ge-N-O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1168080C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN97190519.3
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge-N、Ge-N-O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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