红外辐射元件和使用其的气敏传感器

    公开(公告)号:CN1886820A

    公开(公告)日:2006-12-27

    申请号:CN200480034906.X

    申请日:2004-10-27

    Abstract: 在红外辐射元件(A)中,绝热层(2)沿厚度方向形成于半导体衬底(1)的表面上,其比半导体衬底(1)具有充分小的热导率,加热层(3)形成于绝热层(2)上,其为薄层(平面)形式且比绝热层(2)具有更大的热导率和更大的电导率,用于通电的成对的焊盘(4)形成于发热层(3)上。半导体衬底(1)由硅衬底制成。绝热层(2)和加热层(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅层形成,且加热层(3)具有小于绝热层(2)的孔隙率。通过将该红外辐射元件(A)作为气敏传感器的红外辐射源,有可能延长红外辐射源的寿命。

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