公开(公告)号：CN100466079C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510129067.6

申请日：2005-11-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早濑留美子 ,  平尾明子 ,  笹尾典克 ,  塚本隆之 ,  松本一纪

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/244 ,  G11B7/0065 ,  G03H1/04

CPC classification number: G03F7/032 ,  G03F7/001 ,  G03H1/02 ,  G03H2001/026 ,  G03H2001/0264 ,  G03H2240/50

Abstract: 一种全息图记录介质，其包括：第一和第二半透明基层；以及记录层。所述记录层形成于第一和第二半透明基层之间，包含三维交联聚合物基质，其含有环氧当量为100～300的二缩水甘油醚和脂肪族酸酐的固化反应产物、可自由基引发聚合的化合物和光自由基聚合引发剂。

公开(公告)号：CN1953074A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610142565.9

申请日：2004-07-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中居司 ,  芦田纯生 ,  柚须圭一郎 ,  塚本隆之 ,  大间知范威 ,  中村直正 ,  市原胜太郎

IPC: G11B7/26 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/252 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2437 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/257 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/259 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25711 ,  G11B2007/25715 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种制造相变型光记录媒体的方法，该相变型光记录媒体具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜和至少一层介电体膜，该方法的特征在于包括以下步骤：制备SiC靶或包括Si和SiC的混合靶，以形成至少一层介电体膜；在含有Ar和O2的气体中进行DC溅射来沉积含有Si、O和C的SiOC膜，该SiOC膜的碳浓度为0.1－30原子％。

公开(公告)号：CN1815590A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510129067.6

申请日：2005-11-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早濑留美子 ,  平尾明子 ,  笹尾典克 ,  塚本隆之 ,  松本一纪

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/244 ,  G11B7/0065 ,  G03H1/04

CPC classification number: G03F7/032 ,  G03F7/001 ,  G03H1/02 ,  G03H2001/026 ,  G03H2001/0264 ,  G03H2240/50

Abstract: 一种全息图记录介质，其包括：第一和第二半透明基层；以及记录层。所述记录层形成于第一和第二基层之间，包含三维交联聚合物基质、可自由基引发聚合的化合物和光自由基聚合引发剂，其在室温下具有类似橡胶的弹性且肖氏硬度在A45到A85的范围内。

公开(公告)号：CN1577553A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410063411.1

申请日：2004-07-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中居司 ,  芦田纯生 ,  柚须圭一郎 ,  塚本隆之 ,  大间知范威 ,  中村直正 ,  市原勝太郎

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/252 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2437 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/257 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/259 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25711 ,  G11B2007/25715 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜，其特征在于：上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C，且C浓度为0.1－30原子％的SiOC膜。