-
公开(公告)号:CN1770278A
公开(公告)日:2006-05-10
申请号:CN200510107604.7
申请日:2005-09-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/0065 , G11B7/135 , G03H1/04
CPC classification number: G11B7/128 , G11B7/0065 , G11B7/083
Abstract: 一种全息照相记录/再现设备,包括:把信息光束和参考光束中至少之一引导到光记录媒体上的记录/再现光学系统;设置在该记录/再现光学系统的光径中并且空间调制经该记录/再现光学系统引导的光束以生成信息光束的空间光调制器;利用用来检测第一不对准的光束检测该记录/再现光学系统和该空间光调制器之间的第一不对准的第一不对准检测单元;以及,根据该第一不对准检测单元检测的该第一不对准来校正该第一不对准的第一不对准校正单元。
-
公开(公告)号:CN100370531C
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200410089695.1
申请日:2004-10-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体,具有配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层;配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层;以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层,第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与层间分离层接触的噪声缓和膜,噪声缓和膜由SiOx(1≤x≤2)或SiOC形成。
-
公开(公告)号:CN1333391C
公开(公告)日:2007-08-22
申请号:CN200510074064.7
申请日:2005-05-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B19/127 , G11B20/10009 , G11B20/10027 , G11B20/10296 , G11B20/10481
Abstract: 在本发明中的光盘装置包括偏移控制单元(42),偏移控制单元(42)根据光盘类型来选择参数,并使用所选参数执行信号处理(偏移控制)。
-
公开(公告)号:CN1705019A
公开(公告)日:2005-12-07
申请号:CN200510074064.7
申请日:2005-05-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B19/127 , G11B20/10009 , G11B20/10027 , G11B20/10296 , G11B20/10481
Abstract: 在本发明中的光盘装置包括偏移控制单元(42),偏移控制单元(42)根据光盘类型来选择参数,并使用所选参数执行信号处理(偏移控制)。
-
公开(公告)号:CN1494072A
公开(公告)日:2004-05-05
申请号:CN03159492.1
申请日:2003-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00718 , G11B7/257 , G11B7/258
Abstract: 根据本发明的一个实施例的相变光记录介质包括衬底(1)、反射光束的反射层(6)、相变记录层(4),该相变记录层位于衬底和反射层之间并且当用光束照射时在晶态和非晶态之间变化,位于衬底和反射层之间的第一介电层(2),以及位于衬底和第一介电层之间的第二介电层(3),该介电层的导热率低于第一介电层的导热率。
-
公开(公告)号:CN101971337A
公开(公告)日:2011-02-09
申请号:CN200980108661.3
申请日:2009-03-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本公开提供了一种用于在具有高记录密度的非易失性信息记录/再现系统中使用的信息记录器件,所述器件包括在切换期间具有较少相分离等的电阻材料。本公开还提供了一种包括所述器件的信息记录/再现系统。本公开提供了一种信息记录器件,包括:电极对;以及在所述电极之间的记录层,所述记录层通过其电阻变化记录信息,所述记录层包括(a)M3Oz和(b)AxM3-xOz中的至少一种作为主要成分,在(a)和(b)中,z为代表从z=4.5的氧缺乏的值,而在(b)中,x满足0.00<x≤0.03。本公开还提供了包括所述器件的信息记录/再现系统。
-
公开(公告)号:CN1953073A
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN200610142564.4
申请日:2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体,具有能利用光照射可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜,其特征在于:上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C的SiOC膜,其C浓度为0.1-30原子%。
-
公开(公告)号:CN1311451C
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN03159492.1
申请日:2003-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00718 , G11B7/257 , G11B7/258
Abstract: 根据本发明的一个实施例的相变光记录介质包括衬底(1)、反射光束的反射层(6)、相变记录层(4),该相变记录层位于衬底和反射层之间并且当用光束照射时在晶态和非晶态之间变化,位于衬底和反射层之间的第一介电层(2),以及位于衬底和第一介电层之间的第二介电层(3),该介电层的导热率低于第一介电层的导热率。
-
公开(公告)号:CN1294582C
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200410063411.1
申请日:2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体,具有从光入射侧依次层叠第一介电体膜、相变型记录膜、第二介电体膜、反射膜而成的叠层结构,上述相变型记录膜利用光照射被可逆地记录和擦除,其特征在于:上述第一介电体膜是依次层叠高折射率介电体膜、低折射率介电体膜和高折射率介电体膜而成的层叠介电体膜,上述低折射率介电体膜为含有Si、O和C,且C浓度为0.1-30原子%的SiOC膜。
-
公开(公告)号:CN1614704A
公开(公告)日:2005-05-11
申请号:CN200410089695.1
申请日:2004-10-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体,具有配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层;配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层;以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层,第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与层间分离层接触的噪声缓和膜,噪声缓和膜由SiOx(1≤x≤2)或SiOC形成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-