公开(公告)号：CN101083086A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710105452.6

申请日：2007-05-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 喜喜津哲 ,  镰田芳幸 ,  樱井正敏 ,  白鸟聪志

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/855

Abstract: 一种被构图介质包括被处理成磁道图形、伺服区图形或数据区图形的磁性膜(33)，以及被填充在所述磁性膜(33)上的磁道图形、伺服区图形或数据图形之间的非磁性填充材料，该填充材料包括基材(34、35)和由不组成所述基材(34、35)的金属构成的阻挡材料(36)。

公开(公告)号：CN1941090A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139389.3

申请日：2006-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 镰田芳幸 ,  喜喜津哲 ,  樱井正敏

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/82 ,  G11B21/10

CPC classification number: G11B5/82 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855 ,  G11B2005/0029

Abstract: 一种磁记录介质包括：形成在基底(1)上的磁记录层(4)，其中记录磁道和伺服区被指定为形成在磁记录层上(4)的凸起和凹陷的图形，其中在凹陷下形成磁记录层(4)的薄膜部分，伺服区中的薄膜部分处的磁记录层(4)的厚度小于凸起处磁记录层(4)的厚度，伺服区中的凸起的磁化方向反平行于薄膜的磁化方向。

公开(公告)号：CN1892833A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610094230.4

申请日：2006-06-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 镰田芳幸 ,  内藤胜之 ,  喜喜津哲 ,  樱井正敏 ,  冈正裕

IPC: G11B5/84 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23F4/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  G11B5/855 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/3174

Abstract: 一种用于制造磁记录介质的方法，该方法包括：在基底(15，35，51，61)上的记录磁道部分以及伺服部分上形成具有铁磁性材料(54，64)的凸起和凹陷的图形；在该铁磁性材料(54，64)上形成平化膜(56，66)，该平化膜的顶表面高于铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面；以及在该平化膜(56，66)上进行离子束蚀刻直到铁磁性材料(54，64)的凸起的顶表面，并且通过离子计数器(13，33)基于入射颗粒的总数的变化来确定平化蚀刻的终点，该离子计数器被安装成根据平化膜(56，66)的材料相对于基底(15，35，51，61)的垂直方向成角度θ。

公开(公告)号：CN1677494A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510060087.2

申请日：2005-03-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 樱井正敏 ,  朝仓诚 ,  冲野刚史

IPC: G11B5/00 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/59633 ,  G11B5/855 ,  G11B5/865

Abstract: 一种磁记录介质，包括：伺服区，其包含前同步信号区和色同步信号区，并具有磁性膜的标记；以及数据区，其具有上述磁性膜的分离磁道。上述色同步信号区包括信号部和非信号部，上述信号部包括在磁道方向上以周期性的图形形成的、其平面几何形状为矩形的上述磁性膜的矩形标记；上述非信号部包括上述磁性膜的标记，该标记具有与上述信号部中的矩形标记的图形不同的图形。

公开(公告)号：CN1471100A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03148474.3

申请日：2003-06-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 樱井正敏 ,  鎌田芳幸 ,  内藤勝之

IPC: G11B20/10 ,  G11B7/00

CPC classification number: G11B20/0021 ,  G11B20/00086 ,  G11B20/00108 ,  G11B20/00173 ,  G11B20/00326 ,  G11B23/288 ,  G11B2020/10898

Abstract: 一种记录介质管理系统，包括：再现部分；记录部分；以及控制部分。控制部分执行第一到第四控制。第一控制是通过让再现部分读取验证区域来从记录介质的验证区域获取第一数据线，验证区域包括RAM位和ROM位的第一数据模式，第一数据线对应于第一数据模式，RAM位可以被第一写入条件至少改写一次数据，ROM位不能被第一写入条件改写数据。第二控制是让记录部分将预先确定的数据改写到RAM位。第三控制是从记录介质获取第二数据线，第二数据线对应于被改写的RAM位和ROM位的第二数据模式。第四控制是根据第一和第二数据线对记录介质执行验证。

公开(公告)号：CN101542602A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000667.4

申请日：2008-06-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 汤泽亚希子 ,  樱井正敏 ,  镰田芳幸 ,  白鸟聪志 ,  木村香里 ,  鬼塚刚

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/855 ,  G11B5/65

Abstract: 根据一个实施例，一种磁记录介质包括形成在基底上的凸起的磁图形；以及填充在所述磁图形之间的凹陷处并由含有Ni或Cu以及含有从Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Cr、Mo和Ag中选出来的两种或两种以上金属的多元素非晶合金构成的非磁性材料。

公开(公告)号：CN100458920C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200610093140.3

申请日：2006-06-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 喜喜津哲 ,  镰田芳幸 ,  白鸟聪志 ,  樱井正敏

IPC: G11B5/596

CPC classification number: G11B5/855 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743

Abstract: 根据一个实施方式，一种用制造晶格介质(11)的方法，包括在具有中心孔的衬底(21)上形成具有突起和凹部的磁性层(23)的图样，这些突起和凹部对应于轨道、伺服区(13)或数据区(12)，以及在形成所述磁性层(23)的图样之前或之后向所述衬底的中心孔喷射由扩散液化气所生成的气流。

公开(公告)号：CN101312047A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810109058.4

申请日：2008-05-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 樱井正敏 ,  朝仓诚

IPC: G11B5/64 ,  G11B5/66 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/65 ,  G11B5/855

Abstract: 一种磁记录介质包括：记录区，其中形成与伺服信号和记录磁道相对应的凸起，并包含晶体磁性层(53)；以及非记录区，其中包含在所述记录区之间的凹陷的底部所留下非晶损伤层(55)。

公开(公告)号：CN101202053A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710188779.4

申请日：2007-11-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 樱井正敏 ,  镰田芳幸 ,  白鸟聪志

IPC: G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/82 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/59688 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855

Abstract: 一种磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置，所述磁记录介质包括：基底(51)；和形成在基底(51)上具有对应伺服区和记录区的凸起和凹陷图形的磁记录层(53)，其中位于记录区每个凹陷中的磁记录层(53)的厚度(T2)小于对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)的三分之二，在记录区每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为1nm或更高，而磁记录介质表面上的高度差为7nm或更小。

公开(公告)号：CN100356450C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200510074222.9

申请日：2005-05-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本尚之 ,  樱井正敏 ,  镰田芳幸

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/72 ,  G11B5/84

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/72 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  G11B5/855 ,  G11B2005/0029 ,  Y10T428/1164

Abstract: 通过在不恶化其电磁变换特性的情况下，容易地图形化磁记录层，通过在磁记录层(2)与光致抗蚀剂(3)之间形成基于硅的保护膜以及通过进行干蚀刻和氧等离子处理，获得磁记录介质。