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公开(公告)号：CN1638170A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410011448.X
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y30/00 , G02F1/1368 , G02F2202/025 , H01L51/0002 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0051 , H01L51/0053
Abstract: 在制造使用有机TFT的器件的过程中，主要开发了沟道长度短或沟道宽度窄的元件，以减小器件的尺寸。基于上述讨论，本发明的一个目的提供了一种改善特性的有机TFT。就上述问题而言，本发明的一个特征是在沉积有机半导体薄膜之后烘焙元件。更具体地说，本发明的一个特征是在大气压力条件下或者在减压条件下加热有机半导体薄膜。此外，烘焙处理可以在惰性气体气氛中进行。
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公开(公告)号：CN102280584B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201110230406.5
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y30/00 , G02F1/1368 , G02F2202/025 , H01L51/0002 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0051 , H01L51/0053
Abstract: 本发明公开有机半导体元件的制造方法。在制造使用有机TFT的器件的过程中，主要开发了沟道长度短或沟道宽度窄的元件，以减小器件的尺寸。基于上述讨论，本发明的一个目的提供了一种改善特性的有机TFT。就上述问题而言，本发明的一个特征是在沉积有机半导体薄膜之后烘焙元件。更具体的说，本发明的一个特征是在大气压力条件下或者在减压条件下加热有机半导体薄膜。此外，烘焙处理可以在惰性气体气氛中进行。
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公开(公告)号：CN102822978A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180013664.6
申请日：2011-02-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/768 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C11/401 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 一种半导体装置，包括：埋入在绝缘层中的布线；绝缘层上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层电连接的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠地设置的栅电极；以及设置在氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层。将绝缘层形成为使布线的顶面的一部分露出，布线的顶面的一部分的位置高于绝缘层的表面的一部分的位置，且该布线在从绝缘层露出的区域中，与源电极或漏电极电连接。作为绝缘层表面的一部分并与氧化物半导体层接触的区域的均方根粗糙度为1nm以下。
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公开(公告)号：CN101335188B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810127386.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/304
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/78654
Abstract: 本发明的目的在于提供一种SOI基板的制造方法，该SOI基板具备即使在使用玻璃基板等耐热温度低的基板时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用了这种SOI基板的可靠性高的半导体装置。对从半导体基板分离且接合在具有绝缘表面的支撑基板上的半导体层照射电磁波，并且对受到电磁波照射的半导体层表面进行研磨处理。通过电磁波照射，可以使半导体层的至少部分区域熔化，使得半导体层中的结晶缺陷减少。而且，通过研磨处理研磨半导体层表面来实现平坦化。因此，通过电磁波照射和研磨处理，可以制造具有结晶缺陷减少且平坦性高的半导体层的SOI基板。
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公开(公告)号：CN101916826A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010251935.9
申请日：2004-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/0024 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0041 , H01L51/0051 , H01L51/0053 , H01L51/0093 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的一个目的在于提供用于制造便宜有机TFT的一种方法，而不依赖昂贵专用设备，也不使有机半导体暴露于大气中。此外，本发明另一目的在于提供一种在低温下制造有机TFT的方法，而不引起材料热分解的问题。鉴于上述问题，本发明的一个特征在于在有机半导体薄膜形成一层起保护膜作用的薄膜状保护层。该薄膜状保护层可通过用粘接剂等将其固定在薄膜状支撑体上的方法形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101080815B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200580042901.6
申请日：2005-12-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L27/28 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L21/28273 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 非挥发性存储器元件的问题在于外加电压高。这是因为载流子需要通过绝缘膜借助隧道效应注入到浮动栅内。另外，存在因进行这种载流子注入劣化绝缘膜的担心。本发明的目的是提供其中外加电压降低并防止绝缘膜劣化的存储器。一个特征是使用其中混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物的层作为充当存储器的浮动栅的材料。具体实例是具有晶体管结构的元件，在所述晶体管结构内，混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物且夹在绝缘层之间的层用作浮动栅。
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公开(公告)号：CN101335188A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810127386.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/304
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/78654
Abstract: 本发明的目的在于提供一种SOI基板的制造方法，该SOI基板具备即使在使用玻璃基板等耐热温度低的基板时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用了这种SOI基板的可靠性高的半导体装置。对从半导体基板分离且接合在具有绝缘表面的支撑基板上的半导体层照射电磁波，并且对受到电磁波照射的半导体层表面进行研磨处理。通过电磁波照射，可以使半导体层的至少部分区域熔化，使得半导体层中的结晶缺陷减少。而且，通过研磨处理研磨半导体层表面来实现平坦化。因此，通过电磁波照射和研磨处理，可以制造具有结晶缺陷减少且平坦性高的半导体层的SOI基板。
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公开(公告)号：CN102306629B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110254200.6
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/8238 , H01L21/77 , H01L51/40 , H01L51/56
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/78654
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：对半导体基板的一个表面照射离子，从而在离所述一个表面有一定深度的区域中形成脆化层；在所述一个表面上或支撑基板上形成绝缘层；将所述一个表面和所述支撑基板与所述绝缘层接合；加热所述半导体基板，以使所述脆化层中产生裂缝；在所述脆化层中分离所述半导体基板，从而在所述支撑基板上形成半导体层；对所述半导体层照射电磁波；在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行研磨处理；使用所述半导体层形成半导体元件；在所述半导体元件上形成发光元件；以及在所述发光元件上形成彩色滤光片。
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公开(公告)号：CN102306629A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110254200.6
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/8238 , H01L21/77 , H01L51/40 , H01L51/56
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/78654
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：对半导体基板的一个表面照射离子，从而在离所述一个表面有一定深度的区域中形成脆化层；在所述一个表面上或支撑基板上形成绝缘层；将所述一个表面和所述支撑基板与所述绝缘层接合；加热所述半导体基板，以使所述脆化层中产生裂缝；在所述脆化层中分离所述半导体基板，从而在所述支撑基板上形成半导体层；对所述半导体层照射电磁波；在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行研磨处理；使用所述半导体层形成半导体元件；在所述半导体元件上形成发光元件；以及在所述发光元件上形成彩色滤光片。
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公开(公告)号：CN102280584A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110230406.5
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y30/00 , G02F1/1368 , G02F2202/025 , H01L51/0002 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0051 , H01L51/0053
Abstract: 本发明公开有机半导体元件的制造方法。在制造使用有机TFT的器件的过程中，主要开发了沟道长度短或沟道宽度窄的元件，以减小器件的尺寸。基于上述讨论，本发明的一个目的提供了一种改善特性的有机TFT。就上述问题而言，本发明的一个特征是在沉积有机半导体薄膜之后烘焙元件。更具体的说，本发明的一个特征是在大气压力条件下或者在减压条件下加热有机半导体薄膜。此外，烘焙处理可以在惰性气体气氛中进行。
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