公开(公告)号：CN1582071B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200410056660.8

申请日：2004-08-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大原宏树

IPC: H01L51/56

CPC classification number: C23C14/246 ,  C23C14/12 ,  C23C14/243 ,  C23C14/26

Abstract: 本发明的目的是提供一种执行蒸发淀积的制造装置，该制造装置在蒸发材料不被堵塞的情况下，可以在长时间执行稳定的蒸发淀积以形成膜。在淀积装置的蒸发源提供能够升降坩埚的驱动部分。当在坩埚的开口部分发生蒸发材料的堵塞时，将坩埚移动到下方并封闭在蒸发源的内部。由于蒸发源的加热器可以高效率地加热开口部分，所以堵塞在开口部分的蒸发材料被蒸发，从而可以消除堵塞。之后，将坩埚移动到上方，进行加热以执行蒸发淀积。这样，可以不暴露于大气的情况下，在长时间执行蒸发淀积，从而可以进一步提高有机EL元件的生产性。

公开(公告)号：CN101901768A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010194245.4

申请日：2010-05-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  大原宏树 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/477 ,  H01L21/473 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。

公开(公告)号：CN101847661A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010149895.7

申请日：2010-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  岸田英幸 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G09G3/3258 ,  G09G3/3275 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0248 ,  G09G2310/0297 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的一种方式的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；包含氧化硅的氧化物半导体层；栅电极和氧化物半导体层之间的绝缘层；包含氧化硅的氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间的源区及漏区，其中，源区及漏区使用退化的氧化物半导体材料或氧氮化物材料。

公开(公告)号：CN111081550A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911352160.1

申请日：2010-06-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体器件的方法及半导体器件。本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。

公开(公告)号：CN106409684B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201610981924.3

申请日：2010-06-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。

公开(公告)号：CN105914236B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201610232781.6

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：CN102593366B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201210022165.X

申请日：2004-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  平形吉晴 ,  石谷哲二 ,  中村康男 ,  池田寿雄 ,  大原宏树

IPC: H01L51/52

Abstract: 本发明提供一种发光装置和电子装置，其中，具有新结构的发光装置，它具有多个显示屏幕，而且重量轻和尺寸薄。而且，本发明提供一种双发射型显示装置，它能实施纯黑色显示并可获得高反差，根据本发明，至少发光元件的两电极(发光元件的阳极和阴极)是在同一水准高度地透光的，并装有起偏振片或圆起偏振片，从而实施了无光发射状态的纯黑色显示，并加强了反差。此外，根据本发明可以解决全彩色双发射型显示装置中新结构的一个问题，在两侧显示中的色调不均匀。

公开(公告)号：CN104795323B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201510189236.9

申请日：2010-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供高批量生产性、使用新的半导体材料且适于大电力应用的半导体装置。为了降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而在形成氧化物半导体膜之后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第一加热处理。接着，为了进一步降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而使用离子注入法或离子掺杂法等对氧化物半导体膜添加氧，然后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第二加热处理。

公开(公告)号：CN104124280B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201410347324.2

申请日：2010-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大原宏树 ,  佐佐木俊成

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN106409684A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610981924.3

申请日：2010-06-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。