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公开(公告)号：CN108694442A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810156156.7
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G06N3/08 , G06F16/2477 , G06F17/18 , G06N3/04 , G06N3/0445 , G06N3/0675 , G06N3/063 , G06N3/049
Abstract: 一种计算机系统以及使用了递归神经网络的运算方法，计算机系统执行使用了由输入部、储备池部以及输出部构成的递归神经网络的运算处理，输入部包括接收多个时间序列数据的输入节点，储备池部包括伴随时间延迟的至少一个非线性节点，输出部包括计算输出值的输出节点，输入部对所接收的多个时间序列数据的每一个执行采样以及保持处理以及掩蔽处理，从而计算多个输入流，对多个输入流的每一个执行给予时间偏差的时移处理，通过将执行了时移处理的多个输入流的每一个进行叠加来计算输入数据。据此，在将多个时间序列数据作为输入来处理的储备池计算中，实现高精度且高速的处理。
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公开(公告)号：CN100477265C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510085583.3
申请日：2005-07-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0012 , H01L51/0003 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供廉价且容易实施的比以往有机TFT提高了沟道分子的定向性的TFT的制作方法。在基板上形成被亲液区域(14)围绕的亲液性TFT图案(19)，通过使其图案具有特征，对滴加到沟道部(12)的含有有机分子或纳米线材的流体产生自发性运动，通过该运动在沟道部定向有机分子或纳米线材。
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公开(公告)号：CN101064362A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710084821.8
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L51/0012 , H01L51/0003 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/102
Abstract: 本发明提供一种具有使沟道传导的载流子的移动度比以前的有机TFT大的值的TFT制造方法。场效应晶体管的制造方法的特征是，在衬底上设置形成图形的栅电极，在上述衬底上和上述栅电极上设置栅绝缘膜，在上述栅绝缘膜上分开设置源电极和漏电极，在上述源电极和上述漏电极之间设置应成为沟道的区域，该区域与上述源电极或上述漏电极中的任一方的边界线是直线状，上述该区域和上述漏电极或上述源电极中的另一方的边界线是非直线状，而且，该边界线是连续或不连续的形状，该边界部分有多个凹部，准备上述该区域表面有亲水性、上述该区域的周围区域具有疏水性的构件，向上述该区域供给含有半导体有机分子的溶液，并干燥上述溶液。
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公开(公告)号：CN1153313A
公开(公告)日：1997-07-02
申请号：CN96102587.5
申请日：1996-01-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1345 , G02F1/1362 , G02F2001/13629
Abstract: 本发明的目的是提供一种制作过程简单、成品率高而显示特性好的液晶显示器件。本发明的液晶显示器件包括一块衬底表面带有多条漏极引线、在矩阵阵列中与多条漏极引线交叉的多条栅极引线、位于每一个交点附近的多个薄膜晶体管以及与每一个薄膜晶体管连接的多个像素电极；与上述衬底相对而放的衬底和夹在上述两块衬底之间的液晶层，这些漏极引线和栅极引线的每个端部的结构为在金属薄膜上覆盖透明的导电薄膜。
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公开(公告)号：CN108694442B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201810156156.7
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 一种计算机系统以及使用了递归神经网络的运算方法，计算机系统执行使用了由输入部、储备池部以及输出部构成的递归神经网络的运算处理，输入部包括接收多个时间序列数据的输入节点，储备池部包括伴随时间延迟的至少一个非线性节点，输出部包括计算输出值的输出节点，输入部对所接收的多个时间序列数据的每一个执行采样以及保持处理以及掩蔽处理，从而计算多个输入流，对多个输入流的每一个执行给予时间偏差的时移处理，通过将执行了时移处理的多个输入流的每一个进行叠加来计算输入数据。据此，在将多个时间序列数据作为输入来处理的储备池计算中，实现高精度且高速的处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101083305B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710105443.7
申请日：2007-05-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L51/40 , H01L21/288
CPC classification number: H01L51/102 , H01L27/283 , H01L51/0022 , H01L51/0545
Abstract: 由于使用印刷法产生位置偏移，所以无法形成介于绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。如果使用光掩模进行对位，则大幅度提高成本。在本发明中，由于自匹配地进行下部电极和上部电极的对位，所以，即使使用印刷法也不发生位置偏移。因此，能使用印刷法廉价地制造使用了有机半导体的挠性衬底等半导体器件。
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公开(公告)号：CN100559625C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710084821.8
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L51/0012 , H01L51/0003 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/102
Abstract: 本发明提供一种具有使沟道传导的载流子的移动度比以前的有机TFT大的值的TFT制造方法。场效应晶体管的制造方法的特征是，在衬底上设置形成图形的栅电极，在上述衬底上和上述栅电极上设置栅绝缘膜，在上述栅绝缘膜上分开设置源电极和漏电极，在上述源电极和上述漏电极之间设置应成为沟道的区域，该区域与上述源电极或上述漏电极中的任一方的边界线是直线状，上述该区域和上述漏电极或上述源电极中的另一方的边界线是非直线状，而且，该边界线是连续或不连续的形状，该边界部分有多个凹部，准备上述该区域表面有亲水性、上述该区域的周围区域具有疏水性的构件，向上述该区域供给含有半导体有机分子的溶液，并干燥上述溶液。
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公开(公告)号：CN100517745C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710163065.8
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0545
Abstract: 提供一种低成本地降低在使有机半导体进行p型动作时产生的电极与有机半导体的接触电阻的方法，和低成本地使原本易于作为p型动作的有机半导体进行n型动作的方法。而且，提供能使用这些方法低成本地制造的p型沟道FET、n型沟道FET、以及互补型MOS(CMOS)晶体管。通过将具有在CMOS中的p型沟道FET的部分，原样使用易于作为p型半导体进行的动作的有机半导体，在n型沟道FET的部分使相同的有机半导体作为n型进行动作的效果的单分子膜夹在电极与半导体之间，低成本地在同一衬底上做成p型区域和n型区域。
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公开(公告)号：CN100451789C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610126219.1
申请日：2006-08-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , G02F1/1337 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133723 , G02F1/133784 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供可以防止取向膜形成时的有机半导体膜的老化，采用高性能的有机薄膜晶体管的廉价的液晶显示装置。在该液晶显示装置中，包括：具有栅电极、栅绝缘膜、源·漏电极、半导体层的薄膜晶体管；以及，具有配线、像素电极的各构件的薄膜晶体管基板；在该基板间夹持液晶层的对向基板的液晶显示装置中，未插入具有控制半导体层与液晶层之间的液晶层分子取向的功能的取向膜。
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公开(公告)号：CN101202296A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710196847.1
申请日：2007-12-11
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/28 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/286 , G02F1/13454 , G09G3/3225 , G09G2300/0426 , G09G2380/02 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L27/3276 , H01L51/0545 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置，包括由多个像素构成的显示部和进行显示部的控制的外围集成电路，在对冲击和弯曲的耐久性高的支承基板上设置显示装置，由有机半导体薄膜晶体管构成像素电路，由低温多晶硅薄膜晶体管构成外围集成电路，除去制造该外围集成电路时的支承基板而设置在显示装置的支承基板，用相同布线连接像素电路和外围集成电路。由此，能够提高超薄超轻图像显示装置的对冲击和弯曲的耐久性，能够弯曲使用和曲面安装，并通过削减制造工序数来降低制造成本，易于大型化。
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