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公开(公告)号：CN101106153A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710084820.3
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明的目的是提供在有机TFT中，对电子注入效率和空穴注入效率得以改善的电极和有机半导体组合分别进行判别的方法，实现n型沟道FET和p型沟道FET两种FET，进而提供互补型TFT(CTFT)晶体管。为此，推导出通常从电极和有机半导体构成元素的物理常数推导出电极金属－有机半导体界面中真空能级位移Δ的方法。通过电化学手段使电极金属变化，制成可以控制电子注入和空穴注入的电极。通过这些电极来实现n型沟道FET和p型沟道FET两种FET，进而，提供了互补型TFT(CTFT)晶体管。
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公开(公告)号：CN105378857A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201380078188.5
申请日：2013-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01B7/292 , H01B3/308 , H01B3/427 , H01B7/0216 , H01B13/14
Abstract: 本发明提供一种能够以低成本制造、且耐热性和耐压性优异的绝缘电线以及使用其的旋转电机。绝缘电线具备：导体；和包覆上述导体、将多个树脂层叠层而成的树脂叠层体，上述树脂叠层体中的最外层的树脂层由在形成上述多个树脂层的树脂中耐热性最大的树脂形成。
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公开(公告)号：CN101431146B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810166779.9
申请日：2008-10-27
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L51/40 , H01L51/10 , H01L21/288 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/4867 , H01L23/49838 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H05K3/107 , H05K3/1258 , H05K2201/09036 , H05K2201/09254 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种布线基板的制造方法以及该布线基板，该方法使具有用涂敷材料的优质的细线图案和图案间的优质的狭窄间隙的布线基板、电子电路的制造成为可能。因为可以通过印刷技术的开展来实现，故可以实现有机薄膜电子器件和电子电路的低价格化。具有场效应晶体管的布线基板的特征在于，具有并列地配置的多个沟槽，与这些多个沟槽的一端连通的共用沟槽，设在上述多个沟槽的底部的金属层，与该金属层连接而设置于上述共用沟槽的底部的电极层，设在上述共用沟槽上的电极层成为源电极或漏电极。
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公开(公告)号：CN1264887C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN02151387.2
申请日：2002-11-20
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G03F1/56
Abstract: 本发明提供一种可以较少的工序数目制造、高精度且低缺陷的KrF准分子激光平版印刷法用光掩模。本发明的KrF准分子光平版印刷法用光掩模，是在石英玻璃基板(10)上直接形成可将KrF受激准分子激光(波长：约248nm)有效地吸收的抗蚀图案(18)。抗蚀图案(18)，是由以在萘环导入至少结合有一羟基的高遮光性水性碱可溶性树脂或该水性碱可溶性树脂的衍生物作为高分子树脂基质的水性碱可溶性树脂作为主成分的感光性树脂组合物所构成。
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公开(公告)号：CN1428358A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02151387.2
申请日：2002-11-20
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G03F1/56
Abstract: 本发明提供一种可以较少的工序数目制造、高精度且低缺陷的KrF准分子激光平版印刷法用光掩模。本发明的KrF准分子光平版印刷法用光掩模，是在石英玻璃基板(10)上直接形成可将KrF受激准分子激光(波长：约248nm)有效地吸收的抗蚀图案(18)。抗蚀图案(18)，是由以在萘环导入至少结合有一羟基的高遮光性水性碱可溶性树脂或该水性碱可溶性树脂的衍生物作为高分子树脂基质的水性碱可溶性树脂作为主成分的感光性树脂组合物所构成。
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公开(公告)号：CN101295139B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810005560.0
申请日：2008-02-15
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明涉及一种感光性SAM膜的曝光方法及半导体装置的制造方法。由于使用印刷法产生位置偏移，所以难以形成间隔绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。使用光掩模进行对位，大幅度降低成本。本发明公开的技术是感光性SAM膜的曝光方法，该方法在衬底上成膜具有感光性、感光前具有疏液性、感光后具有亲液性的自组织化单分子膜(感光性SAM膜)，在使该衬底的所述成膜面浸渍在液体中的状态下或使感光面朝下与液体接触的状态下，对所述衬底进行曝光，其特征在于，曝光光是紫外光、可见光或波长为350nm以上800nm以下的曝光光，所述液体是含有芳香环的有机溶剂、醇类、醚类或酮类有机溶剂中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101295139A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810005560.0
申请日：2008-02-15
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明涉及一种感光性SAM膜的曝光方法及半导体装置的制造方法。由于使用印刷法产生位置偏移，所以难以形成间隔绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。使用光掩模进行对位，大幅度降低成本。本发明公开的技术是感光性SAM膜的曝光方法，该方法在衬底上成膜具有感光性、感光前具有疏液性、感光后具有亲液性的自组织化单分子膜(感光性SAM膜)，在使该衬底的所述成膜面浸渍在液体中的状态下或使感光面朝下与液体接触的状态下，对所述衬底进行曝光，其特征在于，曝光光是紫外光、可见光或波长为350nm以上800nm以下的曝光光，所述液体是含有芳香环的有机溶剂、醇类、醚类或酮类有机溶剂中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101083305A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710105443.7
申请日：2007-05-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L51/40 , H01L21/288
CPC classification number: H01L51/102 , H01L27/283 , H01L51/0022 , H01L51/0545
Abstract: 由于使用印刷法产生位置偏移，所以无法形成介于绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。如果使用光掩模进行对位，则大幅度提高成本。在本发明中，由于自匹配地进行下部电极和上部电极的对位，所以，即使使用印刷法也不发生位置偏移。因此，能使用印刷法廉价地制造使用了有机半导体的挠性衬底等半导体器件。
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公开(公告)号：CN106463230A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580026543.3
申请日：2015-06-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F6/06
CPC classification number: H01F6/06 , G01R33/3802 , G01R33/3806 , G01R33/3815 , H01F5/02 , H01F5/06 , H01F41/048 , H01L39/14
Abstract: 课题为提供一种超导线圈以及磁共振成像装置，即使在强磁场中，也减少由于构件间的剥离而产生的焦耳热，避免失超。本发明的超导线圈具有卷架和卷绕于所述卷架的超导导线，在所述卷架和所述超导导线之间具有：第1树脂层，包含热塑性树脂；第2树脂层，包含热固性树脂；以及混合层，位于所述第1树脂层和所述第2树脂层之间，包含所述热塑性树脂和所述热固性树脂的混合物。
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