公开(公告)号：CN1249783C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN02126975.0

申请日：2002-07-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 诹访雄二 ,  桥诘富博 ,  山口宪 ,  藤森正成

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66537 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，更具体地，提供一种低成本的δ掺杂技术，其可防止MOSFET的微细化时产生击穿现象的问题，且不会牺牲器件的特性。为此，使掺杂到半导体衬底中的磷原子偏析于表面，并以该表面层作为δ掺杂层使用。此处所谓偏析是指杂质原子以高于半导体衬底内部的浓度分布在表面附近。