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公开(公告)号：CN114731148A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080530.5
申请日：2020-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明提供一种谐振装置(1)，具备下盖(20)、与下盖(20)接合的上盖、以及具有能够在被设置在下盖(20)与上盖(30)之间的内部空间弯曲振动的振动臂(121A～121D)的谐振子(10)，振动臂(121A～121D)具有在与上盖(30)对置的一侧设置有金属膜(125A～125D)的前端部(122A～122D)，振动臂(121A～121D)的前端部(122A～122D)与上盖(30)之间的间隙(G2)大于振动臂(121A～121D)的前端部(122A～122D)与下盖(20)之间的间隙(G1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113632375A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080023672.8
申请日：2020-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及谐振装置以及谐振装置制造方法，谐振装置(1)具备：MEMS基板(40)，包含谐振子(10)；上盖(30)，设置为密封谐振子(10)的振动空间S；以及接地部(50)，位于MEMS基板(40)与上盖(30)之间，上述接地部扩散到上盖(30)的内部，并与上盖(30)电连接。
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公开(公告)号：CN119256490A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380042699.5
申请日：2023-02-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。谐振装置(1)具备：谐振器(10)，具有振动部(110)、配置于振动部(110)周围的至少一部分的保持部(140)以及连接振动部(110)与保持部(140)的支承臂(150)；以及第一基板(30)，具有第一底板(32)和第一侧壁(33)，其中，第一底板在厚度方向上与振动部(110)隔开间隔来设置，该第一侧壁从第一底板(32)的周边部向保持部(140)延伸，振动部(110)具有构成为能够进行面外弯曲振动的振动臂(121A)，振动臂(121A)的前端部(122A)具有：基端侧部分和前端侧部分，其中，基端侧部分通过金属膜(125A)设置与第一底板(32)对置的面，前端侧部分位于比基端侧部分靠近开放端侧且通过硅设置与第一底板(32)对置的面。
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公开(公告)号：CN113491069B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980093135.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制谐振器的振动空间的真空度降低的谐振装置和谐振装置制造方法。谐振装置(1)具备：包含谐振器(10)的MEMS基板(50)，在与MEMS基板(50)对置的面包含氧化硅膜(L31)的上盖(30)，以及将MEMS基板(50)与上盖(30)接合以便密封谐振器(10)的振动空间的接合部(60)；氧化硅膜(L31)包含在俯视上盖(30)时形成于振动空间的周围的至少一部分且贯通至上盖(30)的背面的贯通孔(TH1)，贯通孔(TH1)包含第1金属层(80)。
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公开(公告)号：CN116133782A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180063936.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: B23K20/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制接合部的接合不良的谐振装置以及谐振装置制造方法。谐振装置(1)具备：包含谐振器(10)的MEMS基板(50)、上盖(30)、以及具有导电性且接合MEMS基板(50)和上盖(30)的接合部(60)，MEMS基板(50)还包含与作为谐振器(10)的下部电极的Si基板(F2)电连接的布线层(81)、以及将布线层(81)和接合部(60)电连接的防扩散层(85)。
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公开(公告)号：CN113491069A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201980093135.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制谐振器的振动空间的真空度降低的谐振装置和谐振装置制造方法。谐振装置(1)具备：包含谐振器(10)的MEMS基板(50)，在与MEMS基板(50)对置的面包含氧化硅膜(L31)的上盖(30)，以及将MEMS基板(50)与上盖(30)接合以便密封谐振器(10)的振动空间的接合部(60)；氧化硅膜(L31)包含在俯视上盖(30)时形成于振动空间的周围的至少一部分且贯通至上盖(30)的背面的贯通孔(TH1)，贯通孔(TH1)包含第1金属层(80)。
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