公开(公告)号：CN101599616A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910141334.X

申请日：2009-06-02

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 原敬 ,  上西盛圣

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/02 ,  H01S5/34 ,  H01S5/06 ,  H01S5/42 ,  G02B26/12 ,  B41J2/47 ,  B41J2/455

Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，VCSEL阵列装置，光学扫描设备和成像设备，其中VCSEL包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的下反射镜和台结构。台结构包括有源层、包括电流限制结构的可选择的氧化层和上反射镜。下电极连接到半导体衬底，上电极连接到上反射镜。当电流在上电极和下电极之间流动时，VCSEL发射垂直于半导体衬底的平面的激光。半导体衬底关于(100)平面倾斜。有源层包括相对于衬底具有压缩应变的量子阱层和间隔层。间隔层相对于半导体衬底具有压缩应变或者拉伸应变。

公开(公告)号：CN101322291A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200780000490.3

申请日：2007-02-02

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 佐藤俊一 ,  原敬 ,  轴谷直人

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/18358 ,  B41J2/45 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/423 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器装置，其包括连接到热沉的基板；由半导体分布式布拉格反射器形成于该基板上的第一反射层；形成为接触该第一反射层的第一腔阻挡层；形成为接触该第一腔阻挡层的有源层；形成为接触该有源层的第二腔阻挡层；以及由半导体分布式布拉格反射器形成为接触该第二腔阻挡层的第二反射层。该第一腔阻挡层包括一半导体材料，该半导体材料的热导率大于形成该第二腔阻挡层的半导体材料的热导率。