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公开(公告)号：CN103311805B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310187942.0
申请日：2013-03-13
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 原敬
CPC classification number: H01S5/343 , H01S5/041 , H01S5/14 , H01S5/18358 , H01S5/18383 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/3407 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3434 , H01S5/34373
Abstract: 一种半导体层叠板包括半导体分布布拉格反射镜(DBR)形成于基底上的半导体分布布拉格反射镜(DBR)、通过交替层叠宽能带半导体层和有源层形成于半导体DBR上的谐振器层。每一个有源层都包含一个多量子阱(MQW)层和形成于为在多量子阱层的每一个表面上各有一个的两个分隔层。多量子阱层通过交替层叠阻挡层和量子阱层形成。形成n层宽能带半导体层，且从基底数第m层宽能带半导体层的能隙Egm，和从基底数第m-1层宽能带半导体层的能隙Egm-1，满足Egm-1＜Egm，其中n和m均为大于等于2的整数，且1＜m≤n。
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公开(公告)号：CN101599616B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910141334.X
申请日：2009-06-02
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，VCSEL阵列装置，光学扫描设备和成像设备，其中VCSEL包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的下反射镜和台结构。台结构包括有源层、包括电流限制结构的可选择的氧化层和上反射镜。下电极连接到半导体衬底，上电极连接到上反射镜。当电流在上电极和下电极之间流动时，VCSEL发射垂直于半导体衬底的平面的激光。半导体衬底关于(100)平面倾斜。有源层包括相对于衬底具有压缩应变的量子阱层和间隔层。间隔层相对于半导体衬底具有压缩应变或者拉伸应变。
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公开(公告)号：CN103311805A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310187942.0
申请日：2013-03-13
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 原敬
CPC classification number: H01S5/343 , H01S5/041 , H01S5/14 , H01S5/18358 , H01S5/18383 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/3407 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3434 , H01S5/34373
Abstract: 一种半导体层叠板包括半导体分布布拉格反射镜(DBR)形成于基底上的半导体分布布拉格反射镜(DBR)、通过交替层叠宽能带半导体层和有源层形成于半导体DBR上的谐振器层。每一个有源层都包含一个多量子阱(MQW)层和形成于为在多量子阱层的每一个表面上各有一个的两个分隔层。多量子阱层通过交替层叠阻挡层和量子阱层形成。形成n层宽能带半导体层，且从基底数第m层宽能带半导体层的能隙Egm，和从基底数第m-1层宽能带半导体层的能隙Egm-1，满足Egm-1＜Egm，其中n和m均为大于等于2的整数，且1＜m≤n。
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公开(公告)号：CN101741015A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910253800.3
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , B82Y20/00 , H01S5/02461 , H01S5/18311 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器装置，其包括连接到热沉的基板；由半导体分布式布拉格反射器形成于该基板上的第一反射层；形成为接触该第一反射层的第一腔阻挡层；形成为接触该第一腔阻挡层的有源层；形成为接触该有源层的第二腔阻挡层；以及由半导体分布式布拉格反射器形成为接触该第二腔阻挡层的第二反射层。该第一腔阻挡层包括一半导体材料，该半导体材料的热导率大于形成该第二腔阻挡层的半导体材料的热导率。
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公开(公告)号：CN101322291B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200780000490.3
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , B82Y20/00 , H01S5/02461 , H01S5/18311 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器装置，其包括连接到热沉的基板；由半导体分布式布拉格反射器形成于该基板上的第一反射层；形成为接触该第一反射层的第一腔阻挡层；形成为接触该第一腔阻挡层的有源层；形成为接触该有源层的第二腔阻挡层；以及由半导体分布式布拉格反射器形成为接触该第二腔阻挡层的第二反射层。该第一腔阻挡层包括一半导体材料，该半导体材料的热导率大于形成该第二腔阻挡层的半导体材料的热导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101346858A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200780000885.3
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。
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公开(公告)号：CN101346858B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN200780000885.3
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。
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公开(公告)号：CN101776224B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010116997.9
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。
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公开(公告)号：CN101741015B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910253800.3
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , B82Y20/00 , H01S5/02461 , H01S5/18311 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器装置，其包括连接到热沉的基板；由半导体分布式布拉格反射器形成于该基板上的第一反射层；形成为接触该第一反射层的第一腔阻挡层；形成为接触该第一腔阻挡层的有源层；形成为接触该有源层的第二腔阻挡层；以及由半导体分布式布拉格反射器形成为接触该第二腔阻挡层的第二反射层。该第一腔阻挡层包括一半导体材料，该半导体材料的热导率大于形成该第二腔阻挡层的半导体材料的热导率。
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公开(公告)号：CN101776224A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010116997.9
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。
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