-
公开(公告)号：CN101253447A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680031383.2
申请日：2006-12-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1368 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , G02F2001/136295 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明可提供一种薄膜晶体管基板，构成源极、漏极配线的铝合金膜和透明电极直接连接，该源极、漏极配线和栅极配线的特性都良好，可使用大幅简化了的工序进行制造。即，上述薄膜晶体管基板具有栅极配线合于此正交配置的源极配线及漏极配线。另外，上述薄膜晶体管基板，构成上述栅极配线的单层铝合金膜的组成和构成上述源极配线及漏极配线的单层铝合金膜的组成相同。另外，本发明还提供一种具备有上述薄膜晶体管基板的显示器件。
-
公开(公告)号：CN100412661C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610091236.6
申请日：2006-06-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G09F9/00
Abstract: 一种显示装置，其中互连—包含Cu合金膜和透明导电膜的电极不经由难熔金属薄膜而直接连接，其中所述Cu合金膜含有总量为0.1原子%～3.0原子%的Zn和/或Mg或总量为0.1原子%～0.5原子%的Ni和/或Mn，从而不使用势垒金属，能够在Cu合金膜与透明电极之间低电阻率地直接连接，并且在例如应用到液晶显示器的情况中给出高的显示质量。
-
公开(公告)号：CN1769985A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510118731.7
申请日：2005-10-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , C22C9/00
CPC classification number: H01L23/53233 , C23C14/185 , G02F2001/136295 , H01J29/02 , H01J2211/225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 一种铜合金薄膜，含有Fe和P以及余量基本上是Cu，其中Fe和P的含量满足所有下列条件(1)～(3)，并且，其中，在200～500℃下热处理1～120分钟之后，Fe2P析出在Cu的晶界上：1.4NFe+8NP＜1.3(1)；NFe+48NP＞1.0 (2)；12NFe+NP＞0.5(3)；其中，NFe表示Fe的含量(原子百分比)；NP表示P的含量(原子百分比)。
-
公开(公告)号：CN1508615A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310123124.0
申请日：2003-12-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , C23C14/185 , C23C14/3414 , G02F1/133553 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , Y10T428/12 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件及其制造方法、溅射靶，所述电子器件由：由金属氧化物构成的第一电极、与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极构成；在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在。根据本发明，能提供使铝合金膜和金属氧化物电极直接接触，能省略阻碍金属的电子器件及其制造技术。
-
公开(公告)号：CN101865734B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010199004.9
申请日：2008-07-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01K11/06
CPC classification number: G01K3/14 , G01K11/06 , G01K2213/00
Abstract: 本发明提供一种温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机(4)和IO板(5)被输出到运算处理装置(6)的图像数据为基础，以个数计算部(7)计算在形成有金属薄膜的温度测定构件(1)受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器(8)中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部(9)求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定无件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101865734A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010199004.9
申请日：2008-07-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01K11/06
CPC classification number: G01K3/14 , G01K11/06 , G01K2213/00
Abstract: 本发明提供一种温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机(4)和IO板(5)被输出到运算处理装置(6)的图像数据为基础，以个数计算部(7)计算在形成有金属薄膜的温度测定构件1受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器(8)中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部(9)求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定无件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。
-
公开(公告)号：CN101542696A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge 0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
-
公开(公告)号：CN100511687C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610009047.X
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种显示器，其中Al合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金属的情况下直接连接，并且部分或全部Al合金组分沉积或富集在所述Al合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面上。所述Al合金膜包括作为合金组分的0.1～6at%的选自Ni，Ag，Zn，Cu和Ge中的至少一种元素，以及还包括1)0.1～2at%的选自Mg，Cr，Mn，Ru，Rh，Pd，Ir，Pt，La，Ce，Pr，Gd，Tb，Sm，Eu，Ho，Er，Tm，Yb，Lu和Dy中的至少一种元素，或2)0.1～1at%的选自Ti，V，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta和W中的至少一种元素。
-
公开(公告)号：CN100373249C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510064947.X
申请日：2005-04-12
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/133 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L27/124
Abstract: 一种显示装置，它包括绝缘基材、安置在绝缘基材上的薄膜晶体管、包含透明电极的象素电极以及作为用于电连接薄膜晶体管和象素电极之间的连接线路部分的铝合金膜。所述铝合金膜是包括不含氮铝合金层以及安置在第一层上并含有氮的另一个铝合金层的多层铝合金层膜。所述含氮层保证了对碱溶液的耐腐蚀性。所述含氮铝合金层至少在与象素电极的连接区域中被去除，以使象素电极直接连接第一铝合金层。
-
公开(公告)号：CN1315003C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200310123124.0
申请日：2003-12-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , C23C14/185 , C23C14/3414 , G02F1/133553 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , Y10T428/12 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件及其制造方法、溅射靶，所述电子器件用以下部分构成：由金属氧化物构成的第一电极；与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极；这里，在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在，所述铝合金膜，含有0.1～6原子%的从由Au、Ag、Zn、Cu、Ni、Sr、Sm、Ge、Bi构成的一组中选择的至少一种作为合金成分。根据本发明，能提供使铝合金膜和金属氧化物电极直接接触，能省略阻碍金属的电子器件及其制造技术。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.033 seconds)
