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公开(公告)号：CN101330102A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810108563.7
申请日：2008-05-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/43 , H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 提供一种技术，即使省略势垒金属层，也能够发挥优异的TFT特性，并能够将源－漏配线直接且确实地连接在TFT的半导体层上。在具有薄膜晶体管的半导体层(33)和源－漏电极(28、29)的薄膜晶体管基板中，源－漏电极(28、29)由含有氧的含氧层(28a、29a)、和纯Cu或Cu合金的薄膜(28b、29b)构成。构成含氧层的氧的一部分或全部与薄膜晶体管的半导体层(33)的Si结合。另外，纯Cu或Cu合金的薄膜(28a、29a)经由含氧层(28a、29a)与薄膜晶体管的半导体层(33)连接。
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公开(公告)号：CN111226307A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880067635.X
申请日：2018-10-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN109644536A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052201.8
申请日：2017-08-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在有机EL显示器和有机EL照明等的元件中，充分降低其驱动电压，并具有高反射率的反射电极。本发明涉及由Al合金所构成的反射膜和透明导电膜构成的反射电极，其特征在于，所述反射膜的主面与所述透明导电膜的主面接触，并且所述Al合金中，按比例含有3～12原子％的Zn和0.01～0.5原子％的稀土元素。
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公开(公告)号：CN101512622B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200780033457.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: G02F1/136286 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其是在玻璃基板上配置了将透明导电膜与薄膜晶体管电连接的铝合金配线膜的显示装置，该铝合金配线膜具有包含第一层(X)和第二层(Y)的层叠结构，所述第一层(X)由含有特定量的Ni、Ag等选自特定的元素组Q中的一种以上的元素、稀土类元素或Mg等选自特定的元素组R中的一种以上的元素的铝合金构成，所述第二层(Y)由电阻率低于该第一层(X)的铝合金构成，第一层(X)与透明导电膜直接接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101523612B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200780037570.6
申请日：2007-10-12
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , H01L21/768 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明，提供一种薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管的半导体层(33)和源-漏电极(28、29)，其特征在于，所述源-漏电极(28、29)由含有氮的含氮层或含有氮及氧的含氧氮层(28a、29a)和纯Cu或Cu合金薄膜(28b、29b)构成，构成所述含氮层的氮的一部分或者全部、或者构成所述含氧氮层的氮的一部分或者全部，与所述薄膜晶体管的所述半导体层(33)的Si结合。纯Cu或Cu合金薄膜(28b、29b)经由所述含氮层或所述含氧氮层(28a、29a)与所述薄膜晶体管的所述半导体层(33)连接。
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公开(公告)号：CN101523612A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037570.6
申请日：2007-10-12
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , H01L21/768 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明，提供一种薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管的半导体层(33)和源－漏电极(28、29)，其特征在于，所述源－漏电极(28、29)由含有氮的含氮层或含有氮及氧的含氧氮层(28a、29a)和纯Cu或Cu合金薄膜(28b、29b)构成，构成所述含氮层的氮的一部分或者全部、或者构成所述含氧氮层的氮的一部分或者全部，与所述薄膜晶体管的所述半导体层(33)的Si结合。纯Cu或Cu合金薄膜(28b、29b)经由所述含氮层或所述含氧氮层(28a、29a)与所述薄膜晶体管的所述半导体层(33)连接。
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公开(公告)号：CN101512622A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033457.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: G02F1/136286 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其是在玻璃基板上配置了将透明导电膜与薄膜晶体管电连接的铝合金配线膜的显示装置，该铝合金配线膜具有包含第一层(X)和第二层(Y)的层叠结构，所述第一层(X)由含有特定量的Ni、Ag等选自特定的元素组Q中的一种以上的元素、稀土类元素或Mg等选自特定的元素组R中的一种以上的元素的铝合金构成，所述第二层(Y)由电阻率低于该第一层(X)的铝合金构成，第一层(X)与透明导电膜直接接触。
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公开(公告)号：CN101083269A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710103204.8
申请日：2007-05-10
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/43 , G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/78609
Abstract: 提供一种可以省略在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属(无需在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属)的薄膜晶体管基板及显示器件。(1)一种薄膜晶体管基板，具有：薄膜晶体管的半导体层；源电极、漏电极；以及透明导电膜，其中，具有所述源电极及漏电极与所述薄膜晶体管的半导体层直接连接的构造，并且所述源电极及漏电极由含有0.1～6.0原子％的Ni、0.1～1.0原子％的La、0.1～1.5原子％的Si的Al合金薄膜构成，(2)一种设有所述薄膜晶体管基板的显示器件等。
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公开(公告)号：CN1917219A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610114892.3
申请日：2006-08-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中使用源极/漏极电极。所述的源极/漏极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜。所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，并且将所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层。
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