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公开(公告)号：CN112939483B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110058982.X
申请日：2021-01-17
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法。将FTO分别在含Bi(NO3)3·5H2O的冰醋酸溶液和含Na2S·9H2O的甲醇溶液中浸泡，每次取出FTO烘干，如此重复三次，退火后制得Bi2S3/FTO。将含Bi(NO3)3·5H2O、Ho(NO3)3·6H2O、Na2S2O3·5H2O三种物质混合而成并且NaOH调节溶液pH值为4.8的反应液装入高压反应釜中，插入Bi2S3/FTO，在烘箱中反应，得光电压值为0.0747 V~0.2650 V的纯Bi2S3及Ho掺杂Bi2S3(Ho‑Bi2S3)纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定性好。
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公开(公告)号：CN111875624B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010509391.5
申请日：2020-06-06
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于bteb的四核锌配合物的制备、结构和荧光应用。本发明所述四核锌配合物的化学式为[Zn2(HCOO)2(μ2‑bteb)]2(μ2‑O)2，其中bteb为1,4‑双[(2,2':6',2”‑三联吡啶)‑4'‑基]苯有机桥联配体。每个五配位的ZnII金属中心位于ZnN3O2变型三角双锥几何构型中。bteb桥联两个五配位的ZnII金属中心形成双核单元。两个双核单元由两个桥联氧进一步桥联为矩形四核锌结构。将Zn(NO3)2·6H2O溶解于5mL水中，将上述溶液滴加入3mL含有bteb的二甲基甲酰胺溶液中。混合液转入20mL聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中，在160℃下加热72h，冷却后得到上述锌配合物。合成的配合物具有较好的热稳定性，在275nm波长的紫外光激发下在395nm处有强发射。与自由bteb配体相比较，bteb与ZnII离子配位后发光红移。研究表明其在荧光材料领域可得以应用。
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公开(公告)号：CN113121124A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110329970.6
申请日：2021-03-29
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化铋/三氧化二铁纳米异质结的制备方法。（1）将Fe(NO3)3·9H2O和Na2C2O4的混合溶液倒入反应釜，插入FTO后于烘箱中反应，冷却，去离子水冲洗三遍后烘干，得到Fe2O3/FTO。（2）将Bi(NO3)3·5H2O冰醋酸溶液旋涂于Fe2O3/FTO上，重复1~5次，放入含硫脲与Ce(NO3)3·6H2O的1mol/L氨水溶液的反应釜中，于烘箱里反应，即在Fe2O3/FTO上得到Ce‑Bi2S3/Fe2O3纳米异质结，其光压值为0.1466 V~0.3468 V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定。
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公开(公告)号：CN111647008A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010508919.7
申请日：2020-06-06
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种tppz桥联双核铕配合物的制备、结构及其荧光应用，该配合物的化学式为：[(hfac)3Eu]2(μ-tppz)，其中hfac为六氟乙酰丙酮，tppz为2,3,5,6-四(吡啶-2-基)吡嗪。该配合物属于正交晶系，空间群为Pbca，中心金属离子为Eu(III)离子，在该配合物中，其最小结构单元由两个Eu(III)离子，六个六氟乙酰丙酮阴离子，一个桥联tppz配体组成。399nm激发，该配合物在579(5D0→7F0)、588-596(5D0→7F1)、620(5D0→7F2)、649(5D0→7F3)和685(5D0→7F4)nm处出现铕中心的特征亮红色荧光发射，其CIE值为(0.6733，0.3265)。其中620nm处的电偶极跃迁5D0→7F2为最强的发射。采用单指数函数拟合5D0→7F2荧光衰减曲线，得其荧光寿命为0.69ms，固态绝对量子产率为53.5％。
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公开(公告)号：CN108336187B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201810148539.X
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6小时，在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜；在Cu2O薄膜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO3溶液，于烘箱内反应2~8小时；得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。本发明工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高，制得的异质结纳米薄膜更有利于被太阳光激发而产生光生电子，具有优良的光电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108467404A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810334232.9
申请日：2018-04-14
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C07F5/00
CPC classification number: C07F5/003 , C07B2200/13
Abstract: 本发明公开了一种4'-苯基-2,2′:6′,2′′-三联吡啶硝酸镝配合物的制备方法。称量4'-苯基-2,2′:6′,2′′-三联吡啶溶解于二氯甲烷中制得溶液，将溶液移入反应釜内；称量六水合硝酸镝溶解于乙腈中制得六水合硝酸镝溶液，将六水合硝酸镝溶液加入反应釜中，然后将反应釜置于电热鼓风干燥箱中，在80℃下恒温反应48小时，最后冷却至室温，得到淡黄色针状晶体，即为4'-苯基-2,2′:6′,2′′-三联吡啶硝酸镝配合物；该配合物属于正交晶系，空间群为Pbca。本发明具有工艺简单、成本低廉、重复性好等优点，成功的合成了镝配合物，为合成稀土金属的配合物提供了一定的依据。
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公开(公告)号：CN108298574A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810148552.5
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C01G3/02 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C03C17/25 , C03C17/27 , C03C2217/228 , C03C2217/71 , C03C2217/90 , C03C2218/111 , C03C2218/322
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）分别取10.00 mL 0.10~0.40 mol/L Cu(Ac)2溶液、0.50 mL 0.027~0.227 mmol/L CTAB溶液、5.00 mL 0.05~0.30 mol/L NaOH溶液、0.0975~0.0985 g Zn粉混合均匀配制成反应溶液。（2）将反应溶液置于高压反应釜中，插入ITO导电玻璃，在140~200 ℃烘箱中反应4~10 小时，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.2866 V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不是很高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定。
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公开(公告)号：CN108265280A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810148525.8
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Co/Cu2O纳米薄膜的制备方法。将CoC4H6O4（摩尔比nCo：nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液。将反应溶液置于高压反应釜中，插入规格为5.0 cm×1.5 cm×0.1 cm的ITO导电玻璃，在烘箱中反应，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3583 V的Co/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。
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公开(公告)号：CN106757120A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710064967.X
申请日：2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C25B1/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/883
Abstract: 本发明公开了一种CdSe量子点的制备方法。阴极电解液由0.023~0.211 mol/L CdCl2、0.023~0.211 mol/L H2SeO3、0~0.016 mol/L Na2H2Y与0.012~0.134 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵混合而成，阳极液由0.075~0.448 mol/L NaCl与0.533 mol/L HCl混合而成;于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加1.6~3.2 V的电压，电解5~25分钟，即在ITO上获得CdSe量子点。本发明制备出尺寸较小、密度较高、稳定性和光电性能良好的CdSe量子点。整个制备工艺简单、周期短成本低。
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公开(公告)号：CN106591922A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710064971.6
申请日：2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25D11/34
CPC classification number: C25D11/34
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.0244~0.0854mol/L H4N2.H2O、0.0390~0.1951mol/L NaOH四种溶液的电解液，在匀速磁力搅拌下，以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在5V~20V电压下氧化5~15分钟，即在Cu片上获得光电压值 0.0985V~0.3035V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。
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