-
公开(公告)号:CN112939483A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202110058982.X
申请日:2021-01-17
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法。将FTO分别在含Bi(NO3)3·5H2O的冰醋酸溶液和含Na2S·9H2O的甲醇溶液中浸泡,每次取出FTO烘干,如此重复三次,退火后制得Bi2S3/FTO。将含Bi(NO3)3·5H2O、Ho(NO3)3·6H2O、Na2S2O3·5H2O三种物质混合而成并且NaOH调节溶液pH值为4.8的反应液装入高压反应釜中,插入Bi2S3/FTO,在烘箱中反应,得光电压值为0.0747 V~0.2650 V的纯Bi2S3及Ho掺杂Bi2S3(Ho‑Bi2S3)纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短,产品的光电性能稳定性好。
-
公开(公告)号:CN115028373A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202210488332.3
申请日:2022-05-06
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双掺杂镧‑氧化亚铜/镧‑三氧化二铁异质结的制备方法。(1)将九水合硝酸铁、草酸钠和六水合硝酸镧溶于20mL pH为5.10~5.90的去离子水中,倒入反应釜,插入FTO后于烘箱中反应6~10h,冷却,洗净后烘干,得到镧‑三氧化二铁/FTO。(2)将三水合醋酸钠、CTAB、一水合醋酸铜、六水合硝酸镧溶于85mL pH为5.10~5.90去离子水中。以镧‑三氧化二铁/FTO作为阴极,Pt片作为阳极,在直流电压下沉积,即得到双掺杂镧‑氧化亚铜/镧‑三氧化二铁异质结。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短,产品的光电性能稳定。
-
公开(公告)号:CN113121124B
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN202110329970.6
申请日:2021-03-29
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化铋/三氧化二铁纳米异质结的制备方法。(1)将Fe(NO3)3·9H2O和Na2C2O4的混合溶液倒入反应釜,插入FTO后于烘箱中反应,冷却,去离子水冲洗三遍后烘干,得到Fe2O3/FTO。(2)将Bi(NO3)3·5H2O冰醋酸溶液旋涂于Fe2O3/FTO上,重复1~5次,放入含硫脲与Ce(NO3)3·6H2O的1mol/L氨水溶液的反应釜中,于烘箱里反应,即在Fe2O3/FTO上得到Ce‑Bi2S3/Fe2O3纳米异质结,其光压值为0.1466 V~0.3468 V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短,产品的光电性能稳定。
-
公开(公告)号:CN112939483B
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202110058982.X
申请日:2021-01-17
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法。将FTO分别在含Bi(NO3)3·5H2O的冰醋酸溶液和含Na2S·9H2O的甲醇溶液中浸泡,每次取出FTO烘干,如此重复三次,退火后制得Bi2S3/FTO。将含Bi(NO3)3·5H2O、Ho(NO3)3·6H2O、Na2S2O3·5H2O三种物质混合而成并且NaOH调节溶液pH值为4.8的反应液装入高压反应釜中,插入Bi2S3/FTO,在烘箱中反应,得光电压值为0.0747 V~0.2650 V的纯Bi2S3及Ho掺杂Bi2S3(Ho‑Bi2S3)纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短,产品的光电性能稳定性好。
-
公开(公告)号:CN113121124A
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN202110329970.6
申请日:2021-03-29
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化铋/三氧化二铁纳米异质结的制备方法。(1)将Fe(NO3)3·9H2O和Na2C2O4的混合溶液倒入反应釜,插入FTO后于烘箱中反应,冷却,去离子水冲洗三遍后烘干,得到Fe2O3/FTO。(2)将Bi(NO3)3·5H2O冰醋酸溶液旋涂于Fe2O3/FTO上,重复1~5次,放入含硫脲与Ce(NO3)3·6H2O的1mol/L氨水溶液的反应釜中,于烘箱里反应,即在Fe2O3/FTO上得到Ce‑Bi2S3/Fe2O3纳米异质结,其光压值为0.1466 V~0.3468 V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短,产品的光电性能稳定。
-
-
-
-