-
公开(公告)号：CN105679861B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610039779.7
申请日：2016-01-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/074 , H01L31/0735 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子增强的二维材料/半导体异质结太阳能电池，该太阳能电池自下而上依次有背面电极、半导体衬底、二维材料和金属量子点层，在二维材料层上还设有正面电极，在半导体衬底与二维材料层之间设有电极绝缘层。其制备方法如下：首先在半导体衬底一面制作背面电极，之后在另一面制作电极绝缘层，然后将二维材料转移至半导体衬底上，再在二维材料上制作金属量子点层以及正面电极。本发明的表面等离子增强的二维材料/半导体异质结太阳能电池利用表面等离子共振提高二维材料/半导体异质结太阳能电池的转化效率，工艺简单，便于推广。
-
公开(公告)号：CN104617180B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510021262.0
申请日：2015-01-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/02 , H01L31/0296 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器，该紫外探测器自下而上依次有背面电极、氧化锌层、氮化硼层、石墨烯层和正面电极。其制备方法步骤如下：先在洁净的氧化锌一面制作背面电极；再将氮化硼转移至洁净的氧化锌另一面上；然后将石墨烯转移到氮化硼上；最后在石墨烯上制作正面电极，获得石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器。本发明的石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器利用石墨烯材料的高透光性、高导电性六方氮化硼优异的绝缘性和透光度，并结合氧化锌优异的紫外探测性质，制作出工艺简单，成本低廉，响应度高的紫外探测器。
-
公开(公告)号：CN106587066A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611048694.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B32/984 , B82Y40/00
CPC classification number: C01P2002/82 , C01P2004/20 , C01P2004/62 , C01P2004/64
Abstract: 本发明涉及一种超薄二维碳化硅的制备方法，是将洁净的硅片置于反应炉管内，升温至1200℃‑1400℃，真空度抽至10‑5‑105Pa,在保护气体氛围下通入甲烷，反应10s‑3min；冷却至室温；将反应产物分散于异丙醇中，并超声10‑30min；将超声后的溶液滴于铜网上晾干，得到超薄二维碳化硅材料。本发明制备工艺简单，制得的超薄二维碳化硅厚度能达到2‑3nm，大小能达到2μm.而且所制备的二维碳化硅是一种具有宽禁带并能稳定存在的材料，相比石墨烯的零带隙和二硫化钼不能稳定存在的缺点，超薄二维碳化硅的诞生为将二维碳化硅应用于光电探测器、太阳能电池等光电器件以及纳米材料等技术领域提供了突破口。
-
公开(公告)号：CN104576787B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410827634.4
申请日：2014-12-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法，该石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次有背面电极、砷化镓层、石墨烯层、绝缘介质层和栅极，该太阳电池还设有正面电极，所述正面电极设置在石墨烯层上。其制备方法如下：先在砷化镓片一面制作背面电极；清洗后将石墨烯转移至砷化镓片另一面上；在石墨烯上制作正面电极；再在石墨烯上制作绝缘介质层；最后在绝缘介质层上制作栅极，获得太阳电池。本发明的电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池可以通过外加电场调控石墨烯的掺杂状态，进而可以进一步提高石墨烯/砷化镓太阳电池的光电转化效率。
-
公开(公告)号：CN105679861A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610039779.7
申请日：2016-01-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/06 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/035218 , H01L31/035281 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子增强的二维材料/半导体异质结太阳能电池，该太阳能电池自下而上依次有背面电极、半导体衬底、二维材料和金属量子点层，在二维材料层上还设有正面电极，在半导体衬底与二维材料层之间设有电极绝缘层。其制备方法如下：首先在半导体衬底一面制作背面电极，之后在另一面制作电极绝缘层，然后将二维材料转移至半导体衬底上，再在二维材料上制作金属量子点层以及正面电极。本发明的表面等离子增强的二维材料/半导体异质结太阳能电池利用表面等离子共振提高二维材料/半导体异质结太阳能电池的转化效率，工艺简单，便于推广。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104291339A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410511422.5
申请日：2014-09-29
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/36
Abstract: 本发明涉及一种超薄碳化硅材料的制备方法，将硅源与碳源相距0-100cm放置于反应炉管内；以1℃/min-300℃/min的速率升温至600℃－2300℃，反应炉管抽至真空度为10-5-105Pa，在保护气氛下反应1-2880min；然后以1℃/min-500℃/min的速率冷却至室温，得到超薄碳化硅材料。本发明制备工艺简单，制得的超薄碳化硅（5纳米厚度以下）是一种具有宽禁带并且能够稳定存在的二维材料，它的诞生克服了石墨烯没有禁带和单层二硫化钼不能稳定存在的缺点。可广泛用于量子光源、光电、半导体原型器件、微电子电路、射频器件、集成电路、光催化、海水淡化、纳米能源、复合材料等技术领域。
-
公开(公告)号：CN104241415A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410456736.X
申请日：2014-09-10
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/07 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/035272 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/砷化镓太阳电池及其制造方法，该石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次有背面电极、n型掺杂或p型掺杂的砷化镓层、石墨烯层和正面电极，其中石墨烯为1～10层。其制造包括：在砷化镓片一面制作背面电极；然后进行表面化学清洗并干燥；将石墨烯转移至砷化镓片的另一个面上；再在石墨烯上制作正面电极。本发明的石墨烯/砷化镓太阳电池利用石墨烯材料的高载流子迁移率、高透光性及高导电性，结合砷化镓优异的半导体性质，有利于在低成本及简单工艺的基础上制造高转化效率的太阳电池。
-
公开(公告)号：CN103681938A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310580322.3
申请日：2013-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1129 , H01L31/035218 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开的氮化硼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层氮化硼层，n=1-8、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有ZnO量子点层，ZnO量子点层中的ZnO量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括：将用胶带从六方氮化硼晶体上剥离的氮化硼层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上；在氮化硼层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极；用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极，制备ZnO量子点溶液；将ZnO量子点溶液涂覆到二块金电极之间的氮化硼层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。
-
公开(公告)号：CN101603199A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910099502.3
申请日：2009-06-11
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B23/02 , C30B23/06 , C30B29/16 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开的Li、Na共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌、碳酸锂和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Li2O和Na2O的ZnO靶材；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以掺Li2O和Na2O的ZnO为靶材，以O2为生长气氛，控制O2压强5－30pa，激光频率为1－5Hz，生长温度为300℃－600℃，在衬底生长p型ZnO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂；掺杂浓度可以通过调节生长温度和靶材中Li和Na的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnO晶体薄膜具有良好的电学性能，重复性和稳定性。
-
公开(公告)号：CN119431016A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411324297.7
申请日：2024-09-23
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B41/91 , C04B41/87 , C01B32/26 , C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B25/20 , C30B29/04
Abstract: 本发明公开了一种交替超薄掺杂金刚石激子绝缘体及其制备方法，涉及一种新型激子绝缘体机制。本发明通过对金刚石交替掺杂超薄硼原子层与磷/氮原子层引入额外的束缚电子与空穴，在体内分层耦合形成超薄束缚激子层，这些激子之间有较为相同的极化取向，为产生激子的玻色‑爱因斯坦凝聚态构成创造条件。进一步，在温度降低时，激子之间形成强相互作用，从而诱导金刚石形成激子绝缘体。交替超薄掺杂通过量子限制效应显著增强了激子束缚能，同时超高的比表面/体积比使外部电场、温度等因素对激子性质的调控更加灵活，为发光二极管、量子计算等应用领域提供坚实的基础。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
100
records
(took 0.029 seconds)
