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公开(公告)号：CN109563420A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048979.1
申请日：2017-06-21
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C10K1/20 , B01D53/04 , B01D53/047 , B01D53/14 , C10K1/08
Abstract: 本发明提供一种有机物质的制造装置，其具备：合成气生成部，其生成合成气；杂质浓度降低部，其具备具有吸附所述合成气中杂质的能力的吸附材料，并且通过使所述合成气与所述吸附材料接触而得到纯化气体；有机物质合成部，其使用所述纯化气体作为原料来合成包含有机物质的含有机物质溶液；提取部，其对所述含有机物质溶液进行加热，从而提取所述有机物质；加热部，其制备待供给至所述吸附材料的加热气体；以及供热部，其将从所述加热部送入至所述吸附材料的加热气体的热量供给至所述提取部。
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公开(公告)号：CN106715677A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580050463.1
申请日：2015-09-14
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: C12M41/36 , C12M1/00 , C12M1/06 , C12M23/02 , C12M27/00 , C12M29/00 , C12M29/04 , C12M33/14 , C12M41/14 , C12M41/18 , C12N1/00 , C12N1/20 , C12P7/065
Abstract: 本发明提供一种培养气体同化性微生物的方法及装置，其无论基质气体的供给流量如何波动，都可以稳定地培养气体同化性微生物。在培养槽(10)的培养液(2)中培养气体同化性微生物(3)。将含有CO及H2等的基质气体供给到培养槽(10)使其溶解在培养液(2)中。在基质气体或其规定成分向培养槽10的供给流量达到了规定值以下时，将培养液(2a)从培养槽(10)中快速排出。
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公开(公告)号：CN106536705A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580037815.X
申请日：2015-07-27
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: C12M43/04 , C12M1/00 , C12M21/12 , C12M29/04 , C12M29/06 , C12P7/065 , C12P7/08
Abstract: 本发明提供一种能够使用来自废弃物焚烧炉的合成气来适当制造有机物质的装置及方法。利用废弃物制造有机物质的装置1具有合成气生成炉11、发酵器13和养分供给部12。合成气生成炉11通过使废弃物部分氧化而生成合成气。发酵器13含有利用合成气生成有机物质的微生物。养分供给部12在合成气对于发酵器13的供给量发生不足时，将固体或液体的养分供给至发酵器13。
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公开(公告)号：CN109069980B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201780021046.3
申请日：2017-03-27
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: B01D53/047 , B01D53/053
Abstract: 本发明的目的在于提供一种气体分离方法及气体分离装置，其可兼顾除去对象气体成分的除去性能和回收对象气体成分的回收率。将原料气体g0供给至吸附单元10的一侧的吸附槽11导出透过气体g1。将另一侧的吸附槽12的压力设置为比吸附时的压力更低而导出脱吸气体g2。配合吸附单元10的运转周期，或根据所述原料气体g0的状态，将透过气体g1或脱吸气体g2中的、应该优先除去的优先除去对象气体成分在所述除去对象气体成分中的浓度或者分压比所述原料气体g0低的气体作为返回吸附单元10的返回气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105518147B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201480049178.3
申请日：2014-09-12
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以适于由合成气体制造有机物质的新型的装置。有机物质的制造装置1具备：合成气体生成炉11、有机物质合成部16、含水率上升部12和含水率降低部13。合成气体生成炉11通过使碳源部分氧化而生成含有一氧化碳的合成气体。有机物质合成部16由合成气体生成有机物质。含水率上升部12配置于合成气体生成炉11和有机物质合成部16之间。含水率上升部12使合成气体的含水率上升。含水率降低部13配置于含水率上升部12和有机物质合成部16之间。含水率降低部13使合成气体的含水率降低。
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公开(公告)号：CN109069980A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021046.3
申请日：2017-03-27
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: B01D53/047 , B01D53/053
Abstract: 本发明的目的在于提供一种气体分离方法及气体分离装置，其可兼顾除去对象气体成分的除去性能和回收对象气体成分的回收率。将原料气体g0供给至吸附单元10的一侧的吸附槽11导出透过气体g1。将另一侧的吸附槽12的压力设置为比吸附时的压力更低而导出脱吸气体g2。配合吸附单元10的运转周期，或根据所述原料气体g0的状态，将透过气体g1或脱吸气体g2中的、应该优先除去的优先除去对象气体成分在所述除去对象气体成分中的浓度或者分压比所述原料气体g0低的气体作为返回吸附单元10的返回气体。
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公开(公告)号：CN105518147A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049178.3
申请日：2014-09-12
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: C12M47/10 , C10J3/82 , C10J2300/1659 , C10J2300/1665 , C10J2300/1681 , C10J2300/1846 , C10K1/002 , C10K1/02 , C10K1/04 , C10K1/101 , C10K1/103 , C10L1/023 , C10L2290/04 , C10L2290/08 , C10L2290/26 , C10L2290/547 , C12M21/00 , C12M21/12 , C12M43/00 , C12P7/08
Abstract: 本发明提供一种可以适于由合成气体制造有机物质的新型的装置。有机物质的制造装置1具备：合成气体生成炉11、有机物质合成部16、含水率上升部12和含水率降低部13。合成气体生成炉11通过使碳源部分氧化而生成含有一氧化碳的合成气体。有机物质合成部16由合成气体生成有机物质。含水率上升部12配置于合成气体生成炉11和有机物质合成部16之间。含水率上升部12使合成气体的含水率上升。含水率降低部13配置于含水率上升部12和有机物质合成部16之间。含水率降低部13使合成气体的含水率降低。
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公开(公告)号：CN101816064B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200880109735.0
申请日：2008-09-26
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其课题在于，使硅的蚀刻速度提高。其中，在氟系原料的CF4和Ar的混合气体中添加露点成为10℃～40℃的量的水，在大气压下进行等离子体化。将等离子体化后的气体和来自臭氧发生器13的含有臭氧的气体混合，得到反应气体。反应气体包含1vol％以上的臭氧、COF2等非自由基氟系中间物质和0.4vol％以上的HF等氟系反应物质，氟原子数(F)和氢原子数(H)的比为(F)/(H)＞1.8。将该反应气体喷射到温度10℃～50℃的硅膜91(被处理物)上。
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公开(公告)号：CN101617393B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880005459.3
申请日：2008-02-20
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67069 , H01L29/66765
Abstract: 本发明的抑制硅蚀刻中的处理不均，条均一性。在大致大气压下，从喷出口41向被处理物10喷出含有氟化氢和臭氧的处理气体，同时，使包括喷出口41的处理头39相对于被处理物10在左右往返或单程移动，蚀刻在被处理物10的表面形成的硅。以使在被处理物10的表面上形成的凝结层18的厚度t成为规定厚度以下的方式将所述移动速度设定为规定以上，优选设定为3～4m/分钟以上。
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