发光装置、发光装置的制造方法以及电子机器

    公开(公告)号:CN100539176C

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200610154376.3

    申请日:2006-09-26

    CPC classification number: H01L51/5265 H01L27/3213 H01L51/5203 H01L51/524

    Abstract: 像素电极(25),由配置了多个所述发光区域的电极部(25a)、和与布线(12)连接的连接部(25b)构成,第一单位元件(Ur)的像素电极(25),层叠有与电极部(25a)以及连接部(25b)对应的电极层(51)、(52)、(53)而形成,第二单位元件(Ug)的像素电极(25)层叠有与电极部(25a)对应的电极层(52)、(53)、和与连接部(25b)对应的电极层(51)、(52)、(53)而形成,成为第二单位元件(Ug)的电极部(25a)中的电极层的层叠数比第一单位元件(Ur)的电极部(25a)中的电极层的层叠数更少的发光装置。由此提供一种得到稳定的电特性的发光装置及其制造方法。

    曝光用掩模、以及薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号:CN101424874A

    公开(公告)日:2009-05-06

    申请号:CN200810171215.4

    申请日:2008-10-27

    Inventor: 宫田崇

    CPC classification number: H01L29/78621 G03F1/50 H01L29/66757

    Abstract: 本发明目的在于提供一种曝光用掩模、以及薄膜晶体管的制造方法,可以高精度地形成带灰度抗蚀剂膜。曝光用掩模,具备:透明基板(100);遮光膜(110),其具有第一图案部分(110b),该第一图案部分(110b)在该透明基板上形成为规定的重复图案即第一图案;半透明膜(120),其形成在透明基板上包括形成有第一图案部分的第一图案区域(R2)的区域,且透过曝光光线的透射率比遮光膜高。

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