发光装置、投影仪以及显示器

    公开(公告)号:CN115149390B

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202210309741.2

    申请日:2022-03-28

    Abstract: 本发明提供发光装置、投影仪以及显示器,能够遮挡从层叠体的俯视时与第一电极的外缘重叠的部分射出的光。发光装置具有:基板;层叠体,其设置于所述基板,具有发光层;第一电极,其在所述层叠体的与所述基板相反的一侧与所述层叠体接触,向所述发光层注入电流;以及布线层,其与所述第一电极电连接,对所述发光层中产生的光具有遮光性,在所述布线层设置有供从所述层叠体射出的光通过的第一开口部,所述第一开口部在俯视时位于所述第一电极的外缘的内侧。

    光掩模、半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN101441404A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200810177618.X

    申请日:2008-11-17

    Inventor: 世良博 宫田崇

    CPC classification number: G03F1/50

    Abstract: 本发明提供可提高半导体元件的特性的光掩模、半导体装置及半导体装置的制造方法。半色调掩模(11)具有:掩模基材(12);在掩模基材(12)上形成的、对来自曝光装置的曝光光的透过率进行调整的半透过膜(13);和在半透过膜(13)上形成的、几乎完全遮住光的遮光膜(14)。遮光膜设置在与沟道区域相当的部分,并设置在与源极/漏极区域相当的半透过膜的周围。半导体装置的制造方法利用上述半色调掩模,将曝光光向抗蚀前体膜照射。然后,通过进行显影处理完成抗蚀膜(25),该抗蚀膜具有:大致残留有曝光前的抗蚀前体膜的厚度的与遮光区域相当的部分(25a)、和残留有薄的抗蚀前体膜的与半透过区域相当的部分(25b)。

    发光装置、发光装置的制造方法以及电子机器

    公开(公告)号:CN1941404A

    公开(公告)日:2007-04-04

    申请号:CN200610154376.3

    申请日:2006-09-26

    CPC classification number: H01L51/5265 H01L27/3213 H01L51/5203 H01L51/524

    Abstract: 像素电极(25),由配置了多个所述发光区域的电极部(25a)、和与布线(12)连接的连接部(25b)构成,第一单位元件(Ur)的像素电极(25),层叠有与电极部(25a)以及连接部(25b)对应的电极层(51)、(52)、(53)而形成,第二单位元件(Ug)的像素电极(25)层叠有与电极部(25a)对应的电极层(52)、(53)、和与连接部(25b)对应的电极层(51)、(52)、(53)而形成,成为第二单位元件(Ug)的电极部(25a)中的电极层的层叠数比第一单位元件(Ur)的电极部(25a)中的电极层的层叠数更少的发光装置。由此提供一种得到稳定的电特性的发光装置及其制造方法。

    发光装置、投影仪以及显示器

    公开(公告)号:CN115149390A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210309741.2

    申请日:2022-03-28

    Abstract: 本发明提供发光装置、投影仪以及显示器,能够遮挡从层叠体的俯视时与第一电极的外缘重叠的部分射出的光。发光装置具有:基板;层叠体,其设置于所述基板,具有发光层;第一电极,其在所述层叠体的与所述基板相反的一侧与所述层叠体接触,向所述发光层注入电流;以及布线层,其与所述第一电极电连接,对所述发光层中产生的光具有遮光性,在所述布线层设置有供从所述层叠体射出的光通过的第一开口部,所述第一开口部在俯视时位于所述第一电极的外缘的内侧。

    发光装置、投影仪以及发光装置的制造方法

    公开(公告)号:CN114824015A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210084648.6

    申请日:2022-01-25

    Inventor: 宫田崇

    Abstract: 本发明提供发光装置、投影仪以及发光装置的制造方法,抑制漏电流且发光效率高。本发明的发光装置具备:基板;柱状部组,其设置在基板上,由具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层的层叠构造的多个柱状部构成;以及电极,其设置在多个柱状部上,向多个柱状部注入电流,多个柱状部包含多个第一柱状部和配置在多个第一柱状部的周围的多个第二柱状部,第二柱状部具有第一柱状部的形状的一部分欠缺而成的形状,第二柱状部的高度比第一柱状部的高度低,电极与多个第二柱状部电绝缘。

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