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公开(公告)号:CN100514566C
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200610162413.5
申请日:2004-05-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/48 , H01L21/00 , H05K3/12 , B41M3/00
Abstract: 本发明的图案形成方法,在具有由围堰所区分的区域的基板上配置功能液而形成所定图案,包括:在所述基板上形成所述围堰的工序,使得由所述围堰所区分的区域包括宽度比所述功能液的液滴直径要小的第二区域、和与该第二区域邻接并且宽度比所述功能液的液滴直径要大的第一区域;和采用液滴喷出法,在所述第一区域以及所述第二区域上喷出所述功能液的工序。
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公开(公告)号:CN100416760C
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200610115651.0
申请日:2004-05-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/288 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/48 , H05K3/12
Abstract: 这种图案形成方法在基板上采用液滴喷出法喷出功能液而形成所定图案,具有:在所述基板上通过配置第一区域和第二区域而形成围堰的工序,其中该第一区域具有比所述功能液的飞翔直径大的宽度,该第二区域具有比所述第一区域窄的宽度;在所述第二区域上喷出在所述功能液中所包含的溶剂的工序;和在所述第一区域上喷出所述功能液,让所述功能液流入到所述第二区域的工序。
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公开(公告)号:CN1575105A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410047692.1
申请日:2004-05-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 御子柴俊明
CPC classification number: H05K3/125 , B41J2/14201 , B41J2202/09 , C23C4/123 , C23C26/02 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L51/0005 , H05K2201/09909 , H05K2203/1173
Abstract: 一种在基板上形成薄膜图案的方法,具有在基板上形成堤坝的工序、和将功能液的液滴击中在基板上、在由堤坝分隔的区域内配置功能液的工序。设定液滴的击中间隔,以使在区域内,液滴之间在击中后相互连接,区域端部的液滴的击中位置处于从区域端部离开液滴的击中间隔的1/2以下的位置。
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公开(公告)号:CN1574207A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410047687.0
申请日:2004-05-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/4867 , H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L27/3295 , H01L29/41733 , H01L29/78669 , H01L51/0005 , H01L51/0022 , H01L51/56 , H05K3/125 , H05K2201/09727 , H05K2201/09909 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155
Abstract: 这种图案形成方法是在基板上配置功能液形成所定图案的方法,具有在所述基板上形成贮存格的工序;和在被所述贮存格区分的区域内配置所述功能液的工序;所述区域形成得宽度被部分加宽。
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公开(公告)号:CN1051629C
公开(公告)日:2000-04-19
申请号:CN93117451.1
申请日:1993-07-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G11B11/10
CPC classification number: G11B11/10591 , G11B11/10582 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , Y10S428/90 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 一种光磁记录载体,制造方法和制造装置,其特征在于,所述记录载体由过渡金属-稀土金属组成的记录层及叠层在其上的辅助记录层构成。记录层数百A厚,居里温度为Tcl。辅助记录层厚度在70A以下,居里温度为Tc2,矩形比在0.3以上。Tc2-Tc1>10K。制造装置包含第一靶、第二靶,第一靶表面最大磁力线密度低于第二靶表面的最大磁力线密度。按照本发明,解决了已往难以在受调磁场强度低于±100Oe下的磁场调制记录,具有足够高的CN比。
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