公开(公告)号：CN1534784A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410033223.4

申请日：2004-03-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 柄泽润一 ,  大桥幸司 ,  滨田泰彰 ,  木岛健 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/31 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种适于非破坏读出法的强电介质层及其制造方法。本发明的强电介质层(30)是一种含有空间电荷的强电介质层(30)，对所述强电介质层(30)的膜厚方向上，在上部或下部的至少任一方中，所述空间电荷具有空间电荷浓度峰值。