公开(公告)号：CN101552317B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910129911.3

申请日：2009-04-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰 ,  木岛健

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  B41J2/135

CPC classification number: H01L41/18 ,  B41J2/045 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1645 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种特性良好的非铅系压电材料。尤其是能够提高以Bi(Fe、Mn)O3及Ba(Zr、Ti)O3为基础的压电材料的特性。本发明的压电元件的特征在于，具有：第一电极(6)、配置于所述第一电极上的压电体膜(9)、配置于所述压电体膜上的第二电极(11)，其中，构成所述压电体膜的压电材料为由Bi(Fe、Mn)O3和Ba(Zr、Ti)O3的混合晶构成的压电材料，并由组成式(1-x)Bi(Fei-yMny)O3-xBa(ZruTi1-u)O3表示，且0＜x＜0.40、0.01＜y＜0.1及0≤u＜0.16。根据这样的构成，能够维持Bi(Fe1-yMny)O3的自发极化量及高居里温度，通过Ba(ZruTi1-u)O3能够实现压电特性的提高。

公开(公告)号：CN1916229B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610111222.6

申请日：2006-08-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 大桥幸司 ,  岩下节也 ,  木岛健 ,  滨田泰彰

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种绝缘性靶材，该绝缘性靶材质地均匀且绝缘性高，并具有良好的特性，用于制造导电性复合氧化膜。上述绝缘性靶材是用于获得以通式ABO3表示的导电性复合氧化膜的绝缘性靶材，包括A元素的氧化物、B元素的氧化物以及Si化合物及Ge化合物中的至少一种。

公开(公告)号：CN100580932C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200510134103.8

申请日：2005-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  古林智一 ,  宫泽弘

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01B3/02 ,  H01G4/06 ,  C01G1/00

CPC classification number: H01G7/06 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/499 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/00 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1263 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器，所述铁电膜101由用通式(Pb1-dBid)(B1-aXa)O3表示的铁电膜构成，其中：B由Zr和Ti中的至少一方构成，X由Nb和Ta中的至少一方构成，a的范围为0.05≤a≤0.4，d的范围为0＜d＜1。根据本发明可以提供具有良好的滞后特性的铁电电容器、以及铁电存储器，此外还可以提供适用于铁电存储器和上述铁电电容器的铁电膜。

公开(公告)号：CN100490203C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510134074.5

申请日：2005-12-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 岩下节也 ,  木岛健 ,  大桥幸司

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/18

CPC classification number: B41J2/14233 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973

Abstract: 一种压电元件(10)包含：基板(1)；基板(1)上方形成的第1导电层(4)；在第1导电层(4)上方形成的、由具有钙钛矿结构的压电体构成的压电体层(5)；以及电连接在压电体层(5)上的第2导电层(6)，第1导电层(4)包含由在(001)优先取向的镍酸镧构成的导电性氧化层(42)，镍酸镧缺欠氧。由此，本发明提供一种能够得到良好的压电特性的压电元件。

公开(公告)号：CN100479096C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610109916.6

申请日：2006-08-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小林大辅 ,  中山雅夫 ,  木岛健

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/00 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16

CPC classification number: H01L41/0533 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1625 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  H01L27/101 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L41/23 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供一种可减轻对电介质膜的损害的电容器制造方法。根据本发明的电容器(10)的制造方法包括：在基板(1)的上方形成下部电极(4)的步骤；在下部电极(4)的上方形成由铁电体或压电体构成的电介质膜(5)的步骤；在电介质膜(5)的上方形成上部电极(6)的步骤；以及形成至少覆盖电介质膜(5)的氧化硅膜(20)的步骤，其中，氧化硅膜(20)使用三甲氧基硅烷形成。

公开(公告)号：CN100352007C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200410030221.X

申请日：2004-03-22

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  大桥幸司 ,  名取荣治

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L28/55

Abstract: 一种电极膜的制造方法，是在基板上形成电极膜的电极膜制造方法，首先，在基板上将电极材料的初期结晶核形成为岛状，之后使初期结晶核生长，以形成电极材料的生长层。而且，形成初期结晶核时的基板温度比形成生长层时的基板温度高。

公开(公告)号：CN101005032A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610168229.1

申请日：2006-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  C23C8/10

CPC classification number: C23C8/02 ,  C23C18/02 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供了一种可低温成膜的陶瓷膜制造方法以及陶瓷膜制造装置。本发明涉及的陶瓷膜制造方法包括：在基体的上方形成材料层的步骤；将含有水蒸气及氧气的气体导入氧化气体制造部(30)的步骤；以及将氧化气体制造部(30)内的上述气体加热并提供到氧化炉(20)内、使材料层氧化的步骤。

公开(公告)号：CN1983519A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610172525.9

申请日：2003-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治 ,  大桥幸司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/82 ,  H01L41/22

Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，包括：在所定的基体上形成下部电极的工序；在所述下部电极上形成由含有Pb、Zr、Ti和Nb作为构成元素的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜的工序；在所述强电介质膜上形成上部电极的工序；形成保护膜，以覆盖所述下部电极、强电介质膜和上部电极的工序；和至少在形成所述保护膜之后，进行用于使所述PZTN复合氧化物结晶的热处理的工序。

公开(公告)号：CN1295790C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200410031478.7

申请日：2004-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  宫泽弘 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/31 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L21/02197 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  C23C30/00 ,  C30B5/00 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明的强电介体薄膜，通过在强电介体钙钛矿材料的A位置离子中至少含有1%以上的4配位Si4+或Ge4+的强电介体Pb(Zr，Ti)O3的B位置上，包含合计为5摩尔%以上、40摩尔%以下的Nb、V、W中的至少一种元素，从而可以显著提高其可靠性。

公开(公告)号：CN1797771A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510134103.8

申请日：2005-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  古林智一 ,  宫泽弘

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01B3/02 ,  H01G4/06 ,  C01G1/00

CPC classification number: H01G7/06 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/499 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/00 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1263 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器，所述铁电膜101由用通式(Pb1－dBid)(B1－aXa)O3表示的铁电膜构成，其中：B由Zr和Ti中的至少一方构成，X由Nb和Ta中的至少一方构成，a的范围为0.05≤a≤0.4，d的范围为0＜d＜1。根据本发明可以提供具有良好的滞后特性的铁电电容器、以及铁电存储器，此外还可以提供适用于铁电存储器和上述铁电电容器的铁电膜。