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公开(公告)号：CN101236900A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810000259.0
申请日：2008-01-30
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 国井正文
IPC: H01L21/28 , H01L21/3105 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1259 , H01L27/1214 , H01L29/4908 , H01L29/78648
Abstract: 本发明公开了一种薄膜半导体装置的制造方法，该方法包括：第一步骤，在基板上形成栅电极；第二步骤，以覆盖栅电极的方式，在基板上形成氮氧化硅的栅极绝缘膜；第三步骤，在栅极绝缘膜上形成半导体薄膜；以及第四步骤，在含氧的氧化性气氛中进行热处理，从而通过使氧与构成栅极绝缘膜的氮氧化硅膜中的缺氧部分相结合来进行改性。
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