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    薄膜半导体装置的制造方法
    1.
    发明公开
    薄膜半导体装置的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN101183643A

    公开(公告)日：2008-05-21

    申请号：CN200710186006.2

    申请日：2007-11-09

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 国井正文

    IPC: H01L21/205 ,  C30B25/02

    CPC classification number: H01L21/02579 ,  C23C16/22 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L29/6675

    Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体装置的制造方法，即使在低的基板温度下也能维持成膜速度而把结晶性硅薄膜在基板上成膜，这样把结晶性硅薄膜直接向基板上成膜在生产上实用化，而且谋求通过使用该硅薄膜而高性能化。利用把以SinH2n+2(n＝1、2、3、…)表示的硅烷类气体和卤化锗气体作为原料气体而使用的等离子CVD法，把包含结晶结构的硅薄膜在基板上进行成膜的工序。作为卤化锗气体至少使用GeF2、GeF4和GeCl4中的一种。作为原料气体还通过使用掺杂剂气体而把含有被活性化了的掺杂剂的硅薄膜进行成膜。

    薄膜半导体装置的制造方法
    3.
    发明授权
    薄膜半导体装置的制造方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN100594586C

    公开(公告)日：2010-03-17

    申请号：CN200810000259.0

    申请日：2008-01-30

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 国井正文

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜半导体装置的制造方法，该方法包括：第一步骤，在基板上形成栅电极；第二步骤，以覆盖栅电极的方式，在基板上形成氮氧化硅的栅极绝缘膜；第三步骤，在栅极绝缘膜上形成半导体薄膜；以及第四步骤，在含氧的氧化性气氛中进行热处理，从而通过使氧与构成栅极绝缘膜的氮氧化硅膜中的缺氧部分相结合来进行改性。

    液晶显示器
    4.
    发明公开
    液晶显示器 失效 转让

    公开(公告)号：CN101576673A

    公开(公告)日：2009-11-11

    申请号：CN200910138201.7

    申请日：2009-05-08

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 国井正文 ,  山中刚

    IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1362 ,  G06F3/042

    CPC classification number: G02F1/13318

    Abstract: 本发明提供一种液晶显示器。该液晶显示包括液晶面板，该液晶面板包括第一基板、与所述第一基板相对的第二基板以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层，多个像素排列在所述第一基板和所述第二基板相对的表面中设置的像素区域中的第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上。

    液晶显示设备及其制造方法
    5.
    发明公开
    液晶显示设备及其制造方法 失效 转让 复审申请

    公开(公告)号：CN101515094A

    公开(公告)日：2009-08-26

    申请号：CN200910007685.1

    申请日：2009-02-20

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 国井正文 ,  伊藤良一 ,  池田雅延

    IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  G06F3/041 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

    CPC classification number: G02F1/1345 ,  G02F1/1354 ,  G02F1/1362

    Abstract: 本发明公开了一种包括液晶板的液晶显示设备，其中所述液晶板具有第一基板、面对所述第一基板的第二基板、设置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层、以及形成于所述第一基板的面对所述第二基板的一面侧的第一和第二电极，通过所述第一和第二电极向所述液晶层施加横向电场，由此在像素区显示图像；其中所述第一基板包括：在所述第一基板的面对所述第二基板的表面上设置的光接收元件，用于在其光接收表面上接收入射光，由此形成关于接收光的数据；并且，在所述第一基板的面对所述第二基板的所述一面侧设置平坦化膜以覆盖所述光接收元件。

    光接收元件和显示装置
    6.
    发明授权
    光接收元件和显示装置 失效 转让

    公开(公告)号：CN101471391B

    公开(公告)日：2011-06-01

    申请号：CN200810188371.1

    申请日：2008-12-25

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 大谷夏树 ,  田中勉 ,  国井正文 ,  池田雅延 ,  伊藤良一

    IPC: H01L31/105 ,  H01L27/144 ,  H01L27/32

    Abstract: 本发明提供了光接收元件和显示装置。该光接收元件包括：第一导电型半导体区域，其被构造为形成于元件形成表面的上方；第二导电型半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方；中间半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方且在所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间，并且所述中间半导体区域的杂质浓度低于所述第一导电型半导体区域的杂质浓度和所述第二导电型半导体区域的杂质浓度。所述光接收元件还包括：第一电极，其被构造为与所述第一导电型半导体区域电连接；第二电极，其被构造为与所述第二导电型半导体区域电连接；以及控制电极，其被构造为形成于位于所述元件形成表面上的相对区域中。

    光接收元件和显示装置
    7.
    发明公开
    光接收元件和显示装置 失效 转让

    公开(公告)号：CN101471391A

    公开(公告)日：2009-07-01

    申请号：CN200810188371.1

    申请日：2008-12-25

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 大谷夏树 ,  田中勉 ,  国井正文 ,  池田雅延 ,  伊藤良一

    IPC: H01L31/105 ,  H01L27/144 ,  H01L27/32

    Abstract: 本发明提供了光接收元件和显示装置。该光接收元件包括：第一导电型半导体区域，其被构造为形成于元件形成表面的上方；第二导电型半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方；中间半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方且在所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间，并且所述中间半导体区域的杂质浓度低于所述第一导电型半导体区域的杂质浓度和所述第二导电型半导体区域的杂质浓度。所述光接收元件还包括：第一电极，其被构造为与所述第一导电型半导体区域电连接；第二电极，其被构造为与所述第二导电型半导体区域电连接；以及控制电极，其被构造为形成于位于所述元件形成表面上的相对区域中。

    液晶显示器
    9.
    发明授权
    液晶显示器 失效 转让

    公开(公告)号：CN101576673B

    公开(公告)日：2012-06-13

    申请号：CN200910138201.7

    申请日：2009-05-08

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 国井正文 ,  山中刚

    IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1362 ,  G06F3/042

    CPC classification number: G02F1/13318

    Abstract: 本发明提供一种液晶显示器。该液晶显示包括液晶面板，该液晶面板包括第一基板、与所述第一基板相对的第二基板以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层，多个像素排列在所述第一基板和所述第二基板相对的表面中设置的像素区域中的第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上。

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