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公开(公告)号:CN102629992A
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN201210085413.5
申请日:2008-05-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H02J4/00 , G03B7/26 , H01L27/14609 , H04N3/1568 , H04N5/335 , H04N5/3597 , H04N5/3698 , H04N5/374 , H04N5/3741 , Y10T307/696 , Y10T307/76 , Y10T307/858 , Y10T307/865
Abstract: 公开了一种电源设备,其切换第一电源、第二电源、以及第三电源之一给具有光电二极管的CMOS图像传感器中的传输栅极,所有电源提供功率给辅助设备,并且输出相应的功率给传输栅极。该设备包括:第一晶体管,其由第二电源驱动并且输出第二电源的功率到传输栅极;第二晶体管,其由第二电源驱动并且输出第一电源的功率到传输栅极;第三晶体管,其由第三电源驱动并且输出第三电源的功率到传输栅极;以及位于第二晶体管之前的第四晶体管,其由第一电源驱动并且输出第一电源的功率到第二晶体管的源极。
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公开(公告)号:CN101750713A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200910253802.2
申请日:2009-12-08
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H04N5/23212
Abstract: 一种固态成像设备,包括:成像单元,其拍摄通过成像光学系统对焦的被摄体图像;数字信号处理单元,其生成通过成像单元拍摄的被摄体图像的图像数据及其亮度数据;输入/输出单元,其输入和输出数据;焦点评估值生成单元,其基于从数字信号处理单元输出的亮度数据生成被摄体图像的焦点评估值,并将焦点评估值从输入/输出单元输出;以及成像驱动单元,当从输入/输出单元输入成像指令信号时,其开始通过成像单元的成像操作,并且当成像操作完成时,其从输入/输出单元输出成像结束定时信号。
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公开(公告)号:CN101309343A
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200810097154.1
申请日:2008-05-19
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 牧野荣治
CPC classification number: H04N5/3591 , H04N5/341 , H04N5/3452 , H04N5/3456 , H04N5/3532 , H04N5/3535 , H04N5/3765
Abstract: 本发明披露了一种图像传感器,其提供控制信号以及用于指明具有预定行和列的像素阵列中的多个像素中的每一个的地址,由此对与所述地址对应的像素执行电子快门操作或执行与所述地址对应的像素的像素信号的读取。该图像传感器包括:地址产生部件,用于产生快门行地址和读取行地址,所述快门行地址用于指明在排列在所述像素阵列中的像素中的、将要在一个水平周期内对其执行电子快门操作的一行像素,而所述读取行地址指明将要在相同水平周期内对其执行像素信号读取的一行像素;第一存储部件,用于存储由所述地址产生部件产生的所述快门行地址;以及第二存储部件,用于存储由所述地址产生部件产生的所述读取行地址。
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公开(公告)号:CN1221041C
公开(公告)日:2005-09-28
申请号:CN01804615.0
申请日:2001-11-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3227 , H01F10/3263 , H01F10/3277
Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件和磁致电阻效应型磁头。在GMR元件的CPP结构中,具有叠层结构部(10),该叠层结构部至少由根据外部磁场磁化旋转的自由层(1)、钉扎层(3)、钉扎该钉扎层(3)的磁化的反强磁性层(4)、夹在上述自由层(1)和上述钉扎层(3)之间的非磁性层(2)层叠而成;该磁致电阻效应元件以上述叠层结构部(10)的层叠方向作为检测电流的通电方向;且在上述自由层(1)和钉扎层(3)中的至少一个分散有异相粒子。由此,可以提高传导电子的自旋依赖散射,提高灵敏度。
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公开(公告)号:CN101931760A
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN201010275251.2
申请日:2008-05-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H04N5/3591 , H04N5/345 , H04N5/3454 , H04N5/3532 , H04N5/37455
Abstract: 公开了一种具有像素阵列部分的图像传感器、电子装置和电子装置的驱动方法,在该像素阵列部分中像素在垂直和水平方向上以二维方式排列,并且以滚动快门方法控制每个像素的曝光时间。该传感器包括控制部件,当曝光调节快门中对于每个水平扫描时段的像素阵列部分的垂直地址移动量、表示为地址增加量(P1、P2、P3、…PN)的重复时,该控制部件用于通过基于地址增加量(P1、P2、P3、…、PN)的操作,确定在一个水平扫描时段内的电子快门发生数,该电子快门发生数是电子快门在一个水平扫描时段中同时执行的行数,其中曝光调节快门是对应于每个像素中的电荷读取执行的、用于调节曝光的电子快门。
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公开(公告)号:CN100527791C
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200480033272.6
申请日:2004-09-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14612 , H01L27/14638 , H04N3/155 , H04N5/2173 , H04N5/335 , H04N5/357 , H04N5/3658 , H04N5/374 , H04N5/3765 , H04N5/378
Abstract: 提供了一种固态成像装置,所述固态成像装置在不要求经由复位晶体管对浮动节点电容充电的情况下,能够使未被选择的行的噪声变小;能够在明亮的场景中抑制垂直条的出现,能够防止漏极线路的驱动器尺寸的增加;以及能够确保高速操作。还提供了和一种使用所述固态成像装置作为成像装置的照相机系统。MOS类型固态成像装置包括以矩阵排列的单元像素(10),并且每个单元像素具有:光电二极管(11);传送晶体管(12),用于将所述光电二极管(11)的信号传送到浮动节点(N11);放大器晶体管(13),用于将所述浮动节点(N11)的信号输出到垂直信号线(22);以及复位晶体管(14),用于复位所述浮动节点(N11)。所述复位晶体管(14)具有由以下三个值控制的栅极电压:电源电位(例如3伏)、地电位(0V)、以及负电源电位(例如-1V)的三个值来控制所述复位晶体管14的栅极电压。
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公开(公告)号:CN1879402A
公开(公告)日:2006-12-13
申请号:CN200480033272.6
申请日:2004-09-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14612 , H01L27/14638 , H04N3/155 , H04N5/2173 , H04N5/335 , H04N5/357 , H04N5/3658 , H04N5/374 , H04N5/3765 , H04N5/378
Abstract: 提供了一种固态成像装置,所述固态成像装置在不要求经由复位晶体管对浮动节点电容充电的情况下,能够使未被选择的行的噪声变小;能够在明亮的场景中抑制垂直条的出现,能够防止漏极线路的驱动器尺寸的增加;以及能够确保高速操作。还提供了和一种使用所述固态成像装置作为成像装置的照相机系统。MOS类型固态成像装置包括以矩阵排列的单元像素(10),并且每个单元像素具有:光电二极管(11);传送晶体管(12),用于将所述光电二极管(11)的信号传送到浮动节点(N11);放大器晶体管(13),用于将所述浮动节点(N11)的信号输出到垂直信号线(22);以及复位晶体管(14),用于复位所述浮动节点(N11)。所述复位晶体管(14)具有由以下三个值控制的栅极电压:电源电位(例如3伏)、地电位(0V)、以及负电源电位(例如-1V)的三个值来控制所述复位晶体管14的栅极电压。
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公开(公告)号:CN1398434A
公开(公告)日:2003-02-19
申请号:CN01804615.0
申请日:2001-11-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3227 , H01F10/3263 , H01F10/3277
Abstract: 在GMR元件的CPP结构中,具有叠层结构部(10),该叠层结构部至少由根据外部磁场磁化旋转的自由层(1)、钉扎层(3)、钉扎该钉扎层(3)的磁化的反强磁性层(4)、夹在上述自由层(1)和上述钉扎层(3)之间的非磁性层(2)层叠而成;该磁致电阻效应元件以上述叠层结构部(10)的大致层叠方向作为检测电流的通电方向;上述自由层(1)和钉扎层(3)中的至少一个是在膜厚方向上由膜厚1.9nm以下的薄膜层分割而成的多层膜状态,形成有多个异相界面。由此,可以提高传导电子的自旋依赖散射,提高灵敏度。
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