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公开(公告)号：CN1308229C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410055208.X
申请日：2004-06-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/152
Abstract: 本发明提供了一种含氮碳质材料，其具有可替代富勒烯包合物的新结构，并发现可在大范围应用中使用，以及容易地制备该材料的方法。该含氮碳质材料包括多个由Cn代表的球形碳分子(其中n代表允许碳原子形成几何球形化合物的整数)和加合到至少部分所述球形碳分子内部或外部的氮原子(或其离子或自由基)。含氮碳质材料也包括通过氮原子或其离子或自由基连接在一起的多个球形碳分子。制备含氮碳质材料的方法包括在含氮气氛中用高频等离子体激发氮分子，从而形成氮原子的自由基或离子的步骤；将球形碳分子汽化的步骤；和使所述氮原子的自由基或离子与所述球形碳分子反应的步骤。
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公开(公告)号：CN1711645A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103349.8
申请日：2003-11-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01L29/06
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , Y10S977/762 , Y10S977/936 , Y10S977/938 , Y10S977/949
Abstract: 一种微电子器件以及制造该器件的方法可以克服现有碳分子所构成的电子器件的缺陷，并具有优于现有器件的性能。绝缘栅极场效应晶体管包括多壁碳纳米管(10)，其中，多壁碳纳米管(10)具有外部半导体碳纳米管层(1)以及部分被外部半导体碳纳米管层(1)所覆盖的内部金属化碳纳米管层(2)。金属源电极(3)和金属漏电极(5)与半导体碳纳米管层(1)的两端相接触，而金属栅极电极(4)与金属化碳纳米管层(2)相接触。在半导体碳纳米管层(1)和金属化碳纳米管层(2)之间的空间作为栅极绝缘层使用。包括外部半导体碳纳米管层(1)和内部金属化碳纳米管层(2)的两层选自多壁碳纳米管的碳纳米管层。这些层都处理成适用于用于作为多壁碳纳米管(10)使用的形式。
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公开(公告)号：CN1620576A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN03802442.X
申请日：2003-01-17
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M8/04089 , B01D53/326 , H01M8/04126 , H01M8/04216
Abstract: 本发明涉及一种气压调节装置，包括：电化学电池(4)，包含将气体分解为离子的第一电极(1)，将所述第一电极(1)处产生的离子再次转化为所述气体的第二电极(2)，以及夹在所述两个电极(1)和(2)之间的离子导体(3)；和配备在所述电化学电池(4)一侧的高压容器(5)。在这种装置中，气体在第一电极(1)处分解成离子。使分解的离子穿过夹在第一电极(1)和第二电极(2)之间的离子导体(3)，并被传导至第二电极(2)一侧。在第二电极(2)处，被传导的离子再次转化成气体。
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公开(公告)号：CN1572724A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410055208.X
申请日：2004-06-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/152
Abstract: 本发明提供了一种含氮碳质材料，其具有可替代富勒烯包合物的新结构，并发现可在大范围应用中使用，以及容易地制备该材料的方法。该含氮碳质材料包括多个由Cn代表的球形碳分子(其中n代表允许碳原子形成几何球形化合物的整数)和加合到至少部分所述球形碳分子内部或外部的氮原子(或其离子或自由基)。含氮碳质材料也包括通过氮原子或其离子或自由基连接在一起的多个球形碳分子。制备含氮碳质材料的方法包括在含氮气氛中用高频等离子体激发氮分子，从而形成氮原子的自由基或离子的步骤；将球形碳分子汽化的步骤；和使所述氮原子的自由基或离子与所述球形碳分子反应的步骤。
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