公开(公告)号：CN1723171A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200480001829.8

申请日：2004-01-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： D·P·戈塞恩 ,  梶浦尚志 ,  丸山竜一郎 ,  白石誠司 ,  黄厚金 ,  野宏治 ,  和智滋明 ,  阿多誠文

IPC: B82B3/00 ,  H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  C01B31/02

Abstract: 一种制造管状碳分子的方法，它能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。

公开(公告)号：CN1723171B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200480001829.8

申请日：2004-01-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： D·P·戈塞恩 ,  梶浦尚志 ,  丸山竜一郎 ,  白石誠司 ,  黄厚金 ,  *野宏治 ,  和智滋明 ,  阿多誠文

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/12 ,  C01B31/02

Abstract: 一种制造管状碳分子的方法，它能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。

公开(公告)号：CN1167312A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：CN97111144.8

申请日：1997-05-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和智滋明

IPC: G11B7/00

CPC classification number: G11B23/281 ,  G11B7/00455 ,  G11B7/00745 ,  G11B7/08505 ,  G11B7/126 ,  G11B7/24 ,  G11B7/24085 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/257 ,  G11B7/2585 ,  G11B19/122 ,  G11B20/00086 ,  G11B23/282 ,  G11B23/284 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316

Abstract: 本发明减少了与版权有关的问题，减少了例如出租时回收光盘的必要性，进一步可以使光盘本身被禁止出租。形成一个再现膜，通过照射其强度大于一个预定值的激光束改变其反射率，数据区内的预制凹坑的深度设置得低于激光束波长的四分之一，且再现膜这样制成，当由强度大于一预定值的激光束照射时，其反射率降低。

公开(公告)号：CN101618855A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910150450.8

申请日：2004-01-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： D·P·戈塞恩 ,  梶浦尚志 ,  丸山龙一郎 ,  白石诚司 ,  黄厚金 ,  角野宏治 ,  和智滋明 ,  阿多诚文

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  G11B5/84 ,  G11B13/00 ,  H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

Abstract: 本发明公开了制造管状碳分子的方法和制造记录设备的方法。该制造管状碳分子的方法能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。

公开(公告)号：CN1620576A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN03802442.X

申请日：2003-01-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和智滋明 ,  丸山竜一郎 ,  阿多诚文

IPC: F17C13/00 ,  G05D16/20 ,  H01M8/00 ,  H01M8/08 ,  B01J19/08

CPC classification number: H01M8/04089 ,  B01D53/326 ,  H01M8/04126 ,  H01M8/04216

Abstract: 本发明涉及一种气压调节装置，包括：电化学电池(4)，包含将气体分解为离子的第一电极(1)，将所述第一电极(1)处产生的离子再次转化为所述气体的第二电极(2)，以及夹在所述两个电极(1)和(2)之间的离子导体(3)；和配备在所述电化学电池(4)一侧的高压容器(5)。在这种装置中，气体在第一电极(1)处分解成离子。使分解的离子穿过夹在第一电极(1)和第二电极(2)之间的离子导体(3)，并被传导至第二电极(2)一侧。在第二电极(2)处，被传导的离子再次转化成气体。