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公开(公告)号：CN101604107B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200810246369.5
申请日：2008-12-04
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/35 , H01L31/055
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/185 , G02F1/3526 , G02F1/3532 , H01L31/055 , H01L51/0054 , H01L51/0084 , H01L51/447 , Y02E10/52
Abstract: 本发明涉及用于改变光谱波长范围的器件，例如使光谱波长范围变窄的器件。所述器件包括用于光子能量上转换的介质，其含有至少两种组分和其中分布有所述至少两种组分的基质，其中第一组分能吸收第一波长区域w≤λ1≤x的光，第一组分在所述介质中用作敏化剂，和其中第二组分能发射第二波长区域y≤λ2≤z的光，第二组分在所述介质中用作发射组分，其中λ2≤λ1，和其中，基于所述第一组分在所述第一波长区域λ1对光的吸收，所述发射组分发射所述第二波长区域λ2的光，和其中所述第一和所述第二组分为有机化合物，其中所述第一和所述第二组分分布在所述基质中，该基质为固体、凝胶或粘度等于或大于0.59×10-3Pa·s的流体。
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公开(公告)号：CN101836274B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200880112883.8
申请日：2008-10-27
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01G9/2059 , C09B57/007 , H01G9/2031 , H01G9/2063 , H01L51/0064 , H01L51/0068 , H01L51/0086 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 在其分子结构中包括锚定基团的染料，所述锚定基团能使所述染料共价偶联到表面，例如纳米多孔半导体层的表面上，所述锚定基团由式1表示其中所述染料的所述分子结构内的所述锚定基团的连接是在上式中用星号标记的末端碳处，其中G选自-COOH、-SO3H、-PO3H2、-BO2H2、-SH、-OH、-NH2，优选-COOH，其中A选自H、-CN、-NO2、-COOR、-COSR、-COR、-CSR、-NCS、-CF3、-CONR2、-OCF3、C6H5-mFm，其中m＝1-5，R是H或通式-CnH2n+1的任何直链或支链烷基链，n＝0-12，优选0-4，或任何取代或未取代的苯基或联苯基。
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公开(公告)号：CN101779306B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200880102542.2
申请日：2008-08-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/77
Abstract: 一种存储器件，包括存储材料、连接到存储材料的第一电极；和与存储材料相关联的第二电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101836275A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880112884.2
申请日：2008-10-27
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01G9/2059 , C09B57/007 , H01G9/2031 , H01G9/2063 , H01L51/0064 , H01L51/0068 , H01L51/0086 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及包括锚定基团的方酸鎓染料、这类染料的合成方法、包含这类染料的电子器件和这类染料的用途。
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公开(公告)号：CN101779306A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200880102542.2
申请日：2008-08-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/77
Abstract: 一种存储器件，包括存储材料、连接到存储材料的第一电极；和与存储材料相关联的第二电极。
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公开(公告)号：CN101777425A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910261498.6
申请日：2009-12-08
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01G7/023 , B01D39/1692 , B01D2239/0435 , H01L41/193 , H01L41/45
Abstract: 本发明涉及一种生产驻极体材料的方法，包括提供聚合物电介体材料，充电所述聚合物电介体材料，同时将所述材料周围的相对湿度条件维持在用户定义范围内的相对湿度，其中充电通过选自以下的方法进行：(i)加热所述聚合物电介体材料至超过所述材料的熔化温度或玻璃化转变温度的温度，使所述材料经受电场并在存在所述电场的情况下将所述材料冷却至低于所述熔化温度或玻璃化转变温度的温度，(ii)电晕充电，(iii)使所述材料经受电子束或离子束，(iv)接触带电，和(v)任何前述方法的组合。还涉及一种由水溶性聚合物或亲水性聚合物或聚电解质聚合物制造的新的驻极体材料和包含这种驻极体材料的装置。
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公开(公告)号：CN101713772A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910221418.4
申请日：2009-09-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G01N21/77 , G01N2021/7783 , G01N2021/7786 , G01N2021/7793
Abstract: 本发明涉及用于检测分析物的传感器，传感器阵列，和用本发明的传感器检测分析物的方法。
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公开(公告)号：CN100587972C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710300371.1
申请日：2007-12-21
Applicant: 索尼德国有限责任公司 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供了一种光电池、制造该种光电池的方法以及该电池的用途。具体地，本发明涉及一种光电池，它包括：第一基材和在所述第一基材上的第一电极，优选其以层的形式覆盖所述第一基材，更优选其为透明导电氧化物层形式，或者第一金属箔作为第一基材和第一电极；多孔半导体层，其是在所述第一电极上的光敏化层；在所述多孔半导体层上的多孔间隔层；作为反电极的第二电极，其在所述多孔间隔层上并与之物理接触，所述第二电极优选以层的形式覆盖所述多孔间隔层；在所述第二电极上的第二基材。其中所述多孔半导体层具有由所述多孔半导体层的孔形成的第一间隙空间，并且所述多孔间隔层具有由所述多孔间隔层的孔形成的第二间隙空间，其中所述第一和第二间隙空间彼此流体接触并且被充满电解质，并且其中位于一侧上的所述多孔层间隔层与所述第二电极物理接触，而且其中所述位于另一侧上的多孔间隔层与所述多孔半导体层物理接触。
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