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公开(公告)号：CN216159381U
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202120403074.5
申请日：2021-02-24
Applicant: 苏州大学
IPC: F25B23/00
Abstract: 本实用新型公开了一种增强Mie散射的单层辐射制冷薄膜，包括基体，基体内部均匀分布有第一散射体与第二散射体，第一散射体为可侵入散射体，第二散射体为固态，第二散射体部分侵入到第一散射体内，形成散射体界面。本实用新型的有益效果：通过引入第二散射体，增加了散射系数，形成了散射体界面，进而形成增强的Mie散射，降低了依靠散射的辐射制冷器的厚度依赖性，使用成本降低，光学性能提高，避免了因为膜层过厚，应力不均匀形成的膜层卷曲现象，提升便利性和可靠性，第二散射体和两种散射体间所形成的界面是人工添加形成的，具有大小和体积分数的可控性质，优于多级孔薄膜的散射体不可控的特性，力学性能强，结构可靠，进一步提升了性能。
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