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公开(公告)号：CN102199795B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110154158.0
申请日：2011-06-09
Applicant: 苏州大学
IPC: D01D5/00
Abstract: 本发明公开了一种静电纺丝装置，包括喷丝模头、喷丝模头盖板、喷丝头、高压供电装置以及接收板，所述静电纺丝装置还包括原料输送装置、机械振动发生装置以及磁场发生装置，所述原料输送装置连接在喷丝模头的一侧，所述机械振动发生装置安装于喷丝模头的一端，所述磁场发生装置安装于喷丝模头的另一端，并位于喷丝头与接收板之间，磁场发生装置包括直流电源以及“U”型电磁铁。本发明通过设置机械振动发生装置和磁场发生装置，可以实现不改变聚合物熔体或溶液自身性质的情况下对粘性较大和近乎绝缘的聚合物熔体或溶液的静电纺丝，摆脱传统静电纺丝技术对原料的限制，并且能有效控制单纤维的取向排列收集，能够进一步满足生产优质纳米纤维的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113280528A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110204918.8
申请日：2021-02-24
Applicant: 苏州大学
IPC: F25B23/00
Abstract: 本发明公开了一种增强Mie散射的单层辐射制冷薄膜，包括基体，基体内部均匀分布有第一散射体与第二散射体，第一散射体为可侵入散射体，第二散射体为固态，第二散射体部分侵入到第一散射体内，形成散射体界面。本发明的有益效果：通过引入第二散射体，增加了散射系数，形成了散射体界面，进而形成增强的Mie散射，降低了依靠散射的辐射制冷器的厚度依赖性，使用成本降低，光学性能提高，避免了因为膜层过厚，应力不均匀形成的膜层卷曲现象，提升便利性和可靠性，第二散射体和两种散射体间所形成的界面是人工添加形成的，具有大小和体积分数的可控性质，优于多级孔薄膜的散射体不可控的特性，力学性能强，结构可靠，进一步提升了性能。
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公开(公告)号：CN105470390B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510810301.5
申请日：2015-11-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明涉及一种以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法，包括以下步骤：1）纳米线的生长：制备模板，然后在模板上自组装生长纳米线阵列；2）基底的制作：在牺牲基底表面镀一层牺牲层，然后在牺牲层上制作栅极和源、漏电极；3）纳米线的转移：将胶带铺在生长了纳米线阵列的模板上，纳米线阵列会粘附在透明胶带上，剥离胶带，纳米线阵列会附着在胶带上一同被转移贴附在步骤2）制作的基底上；4）器件的构筑：利用胶带与牺牲层之间的粘附力较牺牲基底与牺牲层之间的粘附力大的特性，将牺牲层与牺牲基底分离，并转移至牺牲层刻蚀液中刻蚀，得到以胶带为基底的晶体管阵列。
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公开(公告)号：CN105470390A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510810301.5
申请日：2015-11-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/003
Abstract: 本发明涉及一种以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法，包括以下步骤：1）纳米线的生长：制备模板，然后在模板上自组装生长纳米线阵列；2）基底的制作：在牺牲基底表面镀一层牺牲层，然后在牺牲层上制作栅极和源、漏电极；3）纳米线的转移：将胶带铺在生长了纳米线阵列的模板上，纳米线阵列会粘附在透明胶带上，剥离胶带，纳米线阵列会附着在胶带上一同被转移贴附在步骤2）制作的基底上；4）器件的构筑：利用胶带与牺牲层之间的粘附力较牺牲基底与牺牲层之间的粘附力大的特性，将牺牲层与牺牲基底分离，并转移至牺牲层刻蚀液中刻蚀，得到以胶带为基底的晶体管阵列。
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公开(公告)号：CN102199795A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110154158.0
申请日：2011-06-09
Applicant: 苏州大学
IPC: D01D5/00
Abstract: 本发明公开了一种静电纺丝装置，包括喷丝模头、喷丝模头盖板、喷丝头、高压供电装置以及接收板，所述静电纺丝装置还包括原料输送装置、机械振动发生装置以及磁场发生装置，所述原料输送装置连接在喷丝模头的一侧，所述机械振动发生装置安装于喷丝模头的一端，所述磁场发生装置安装于喷丝模头的另一端，并位于喷丝头与接收板之间。本发明通过设置机械振动发生装置和磁场发生装置，可以实现不改变聚合物熔体或溶液自身性质的情况下对粘性较大和近乎绝缘的聚合物熔体或溶液的静电纺丝，摆脱传统静电纺丝技术对原料的限制，并且能有效控制单纤维的取向排列收集，能够进一步满足生产优质纳米纤维的要求。
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公开(公告)号：CN216159381U
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202120403074.5
申请日：2021-02-24
Applicant: 苏州大学
IPC: F25B23/00
Abstract: 本实用新型公开了一种增强Mie散射的单层辐射制冷薄膜，包括基体，基体内部均匀分布有第一散射体与第二散射体，第一散射体为可侵入散射体，第二散射体为固态，第二散射体部分侵入到第一散射体内，形成散射体界面。本实用新型的有益效果：通过引入第二散射体，增加了散射系数，形成了散射体界面，进而形成增强的Mie散射，降低了依靠散射的辐射制冷器的厚度依赖性，使用成本降低，光学性能提高，避免了因为膜层过厚，应力不均匀形成的膜层卷曲现象，提升便利性和可靠性，第二散射体和两种散射体间所形成的界面是人工添加形成的，具有大小和体积分数的可控性质，优于多级孔薄膜的散射体不可控的特性，力学性能强，结构可靠，进一步提升了性能。
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