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公开(公告)号：CN109037434B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810738861.8
申请日：2018-07-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置，装置涉及到一种可以作为自由磁性层的多层膜结构，即人工反铁磁装置。人工反铁磁装置作为自由磁性层可以通过电场调控，实现反铁磁态到铁磁态的转变，该人工反铁磁装置可以作为磁性隧道结的自由磁性层，其靠近磁性隧道结势垒层的铁磁层在电场与电流的共同作用下进行翻转，从而实现数据的写入。所述基于人工反铁磁自由层的磁性隧道结构成磁性随机存储装置，通过电场和电流的共同作用达到写入数据的目的，结构简单，具有功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。
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