公开(公告)号：CN111557062B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201980007434.5

申请日：2019-01-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 木寺信隆

IPC: H01P1/208 ,  H01P3/12

Abstract: 本发明的滤波器具备导波路，该导波路形成于被导体壁包围的电介质，所述导体壁具有向所述导波路的内侧突出的至少一个控制壁，所述控制壁具有在所述控制壁的突出方向上的末端部和在所述突出方向上的中心部，所述末端部具有壁厚与所述中心部不同的壁部。

公开(公告)号：CN112759255A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011633954.8

申请日：2017-08-30

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小野和孝 ,  野村周平 ,  木寺信隆 ,  竹下畅彦

IPC: C03C3/091 ,  C03C3/087 ,  C03C3/089 ,  C03C4/16 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。

公开(公告)号：CN111557062A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201980007434.5

申请日：2019-01-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 木寺信隆

IPC: H01P1/208 ,  H01P3/12

Abstract: 本发明的滤波器具备导波路，该导波路形成于被导体壁包围的电介质，所述导体壁具有向所述导波路的内侧突出的至少一个控制壁，所述控制壁具有在所述控制壁的突出方向上的末端部和在所述突出方向上的中心部，所述末端部具有壁厚与所述中心部不同的壁部。

公开(公告)号：CN110105597A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910434395.9

申请日：2015-07-31

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 细田朋也 ,  西栄一 ,  佐佐木徹 ,  木寺信隆

IPC: C08J3/12 ,  C08J5/10 ,  C08J5/24 ,  C08L63/00 ,  C08L79/08 ,  C08L101/00 ,  B32B5/16 ,  B32B7/12 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/08 ,  B32B15/18 ,  B32B15/20 ,  B32B27/08 ,  B32B27/18 ,  B32B27/28 ,  B32B27/30 ,  B32B27/32 ,  B32B27/38 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  H05K3/06

Abstract: 本发明提供一种可通过机械性粉碎，由PFA等熔点为260～320℃的含氟共聚物为主要成分的树脂粒子来制作体积密度大的平均粒径50μm以下的树脂粉末的方法。该方法对平均粒径100μm以上的树脂粒子(A)实施机械性粉碎处理，得到平均粒径0.02～50μm的树脂粉末。树脂粒子(A)由以含氟共聚物(X1)为主要成分的材料(X)构成，含氟共聚物(X1)为具有含有选自含羰基的基团、羟基、环氧基以及异氰酸酯基的至少1种官能团的单元(1)、和基于四氟乙烯的单元(2)的熔点为260～320℃的含氟共聚物。