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公开(公告)号：CN118702407A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410683865.6
申请日：2019-11-11
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明涉及高频器件用玻璃基板、液晶天线和高频器件。本发明涉及一种高频器件用玻璃基板，其中，所述高频器件用玻璃基板的以氧化物基准的摩尔百分率计的含量满足：碱土金属氧化物：0.1％～13％、Al2O3+B2O3：1％～40％、Al2O3/(Al2O3+B2O3)：0～0.45、和Sc2O3等微量成分：0.1％～1.0％或ZnO+ZrO2：1.5％～4.0％，所述高频器件用玻璃基板以SiO2作为主要成分，并且所述高频器件用玻璃基板的35GHz下的介质损耗角正切为0.007以下。
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公开(公告)号：CN116282901A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310270737.4
申请日：2017-08-30
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。
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公开(公告)号：CN112759255A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011633954.8
申请日：2017-08-30
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。
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公开(公告)号：CN111886209A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980020056.4
申请日：2019-03-13
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够减低高频信号的介电损耗、且耐热冲击性也优异的玻璃基板。本发明涉及一种玻璃基板，其满足{杨氏模量(GPa)×50～350℃的平均热膨胀系数(ppm/℃)}≤300(GPa·ppm/℃)的关系，20℃、35GHz下的相对介电常数为10以下，且20℃、35GHz下的介电损耗角正切为0.006以下。
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公开(公告)号：CN109987836A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910222449.5
申请日：2014-06-24
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明涉及无碱玻璃。本发明涉及收缩率低、50℃～350℃下的平均热膨胀系数小、易于浮法成形的无碱玻璃。具体来说，本发明涉及一种无碱玻璃，所述无碱玻璃的收缩率C1为5ppm以下、收缩率C2为40ppm以下，以氧化物基准的质量％计，所述无碱玻璃含有SiO2 64～72、Al2O3 17～22、MgO 1～8、CaO 4～15.5，且0.20≤MgO/(MgO+CaO)≤0.41。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119263631A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411342598.2
申请日：2017-05-22
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明提供一种磨削率高且在将硅基板与玻璃基板贴合的热处理工序中在所述硅基板产生的残留应变小的无碱玻璃基板。本发明的无碱玻璃基板以氧化物基准的摩尔百分比计含有11.0％以上的Al2O3、8.0％以上的B2O3、1％以上的SrO，且在100℃～200℃下的平均热膨胀系数α100/200为3.10ppm/℃～3.70ppm/℃，杨氏模量为76.0GPa以下，密度为2.42g/cm 3以上。
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公开(公告)号：CN105271722B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201510427674.4
申请日：2015-07-20
Applicant: AGC株式会社
IPC: C03C3/091
Abstract: 本发明提供热膨胀系数小、应变点高并且粘性低、特别是玻璃粘度达到102dPa·s时的温度T2低的无碱玻璃。一种无碱玻璃，其应变点为695℃以上，50～350℃下的平均热膨胀系数为43×10‑7/℃以下，玻璃粘度达到102dPa·s时的温度T2为1690℃以下，以基于氧化物的摩尔％计，含有63～70的SiO2、8～16的Al2O3、1.5～低于4的B2O3、0～8的MgO、0～20的CaO、1.5～10的SrO、0～0.5的BaO，MgO+CaO为0～28，MgO+CaO+SrO+BaO为12～30，SrO/CaO为0.33～0.85，(23.5×[SiO2]+3.5×[Al2O3]‑5×[B2O3])/(2.1×[MgO]+4.2×[CaO]+10×[SrO]+12×[BaO])为17以上。
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公开(公告)号：CN107207323B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201680008835.9
申请日：2016-02-02
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明提供一种玻璃基板，在将硅基板和玻璃基板贴合的热处理工序中，碱性离子不易向上述硅基板扩散，上述硅基板产生的残留应变小。本发明的玻璃基板在50℃～100℃的平均热膨胀系数α50/100为2.70ppm/℃～3.20ppm/℃，在200℃～300℃的平均热膨胀系数α200/300为3.45ppm/℃～3.95ppm/℃，将200℃～300℃的平均热膨胀系数α200/300除以50℃～100℃的平均热膨胀系数α50/100而得的值α200/300/α50/100为1.20～1.30，碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分比计为0％～0.1％。
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公开(公告)号：CN111886210A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980020075.7
申请日：2019-03-13
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低高频信号的介电损耗且能够在宽温度区域稳定地使用的基板。本发明涉及一种基板，20℃、10GHz下的介电损耗角正切(A)为0.1以下，20℃、35GHz下的介电损耗角正切(B)为0.1以下，并且由{‑40～150℃的任意温度、10GHz下的介电损耗角正切(C)/所述介电损耗角正切(A)}表示的比为0.90～1.10。另外，本发明涉及一种基板，20℃、10GHz下的相对介电常数(a)为4～10，20℃、35GHz下的相对介电常数(b)为4～10，并且由{‑40～150℃的任意温度、10GHz下的相对介电常数(c)/所述相对介电常数(a)}表示的比为0.993～1.007。
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