公开(公告)号：CN104620080A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047335.2

申请日：2013-09-27

Applicant: CKD株式会社

Inventor： 西川桂一 ,  南谷隆弘 ,  广濑泰久 ,  伊藤一寿

IPC: G01D5/241 ,  G01B7/00

CPC classification number: G01B7/00 ,  G01B7/003 ,  G01D5/2412

Abstract: 一种静电电容式位移传感器，包括：柱状部件31，由绝缘材料形成；筒状部件33，由金属制成，其内部中插入预定范围的柱状部件31，并且随着阀芯22的位移而进行移动；一对固定电极40A、40B，薄膜状地形成在柱状部件31的外表面部上；补偿电极41、42，薄膜状地形成在柱状部件31的外表面部上；静电屏蔽部件37，在与固定电极40A、40B、筒状部件33以及补偿电极41、42绝缘的状态下覆盖上述电极并接地；以及固定电极端子和补偿电极端子，薄膜状地形成在柱状部件31的外表面部上，与电极40A、40B、41、42分别连接，以及在与静电屏蔽部件37绝缘的状态下在长度方向延伸至静电屏蔽部件37的外部。

公开(公告)号：CN103930843A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280056275.6

申请日：2012-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  CKD株式会社

Inventor： 小林敦 ,  田渊敦彦 ,  若井秀树 ,  伊藤一寿 ,  广濑泰久 ,  西川桂一 ,  南谷隆弘

IPC: G05D23/19 ,  G05D23/00

CPC classification number: H01L21/67103 ,  G05D23/1934 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明提供一种温度控制系统(1)，其中，该温度控制系统(1)包括：第1调温单元，其用于贮藏第1温度的液体；第2调温单元，其用于贮藏比第1温度高的第2温度的液体；低温流路(76)，其供来自第1调温单元的流体流动；高温流路(77)，其供来自第2调温单元的流体流动；旁路流路(73)，其用于使流体循环；结合流路(71)，其供在合流部(PA)处使来自低温流路、高温流路以及旁路流路这三个流路的流体合流后的流体流动；调温部(70)，其供来自结合流路的流体流动，对在半导体制造装置(100)中使用的构件进行冷却或加热；以及控制装置(90)，其用于控制在合流部的上游侧安装于上述三个流路的可变阀门(79)的阀开度，而调整上述三个流路的流量分配比例。