公开(公告)号：CN114730710A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080079736.6

申请日：2020-11-18

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 王鹏宇 ,  中西康二 ,  山中达也

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用组合物及化学机械研磨方法，可高速研磨作为配线材料的钨膜且可减少被研磨面上的表面缺陷的产生。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)表面的至少一部分被氧化硅‑氧化铝的被膜被覆的氧化铝粒子；以及(B)液状介质。

公开(公告)号：CN103155122B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180048114.8

申请日：2011-10-03

Applicant: 国际商业机器公司 ,  JSR株式会社

Inventor： 安藤崇志 ,  L·查恩斯 ,  J·康明斯 ,  J·J·胡卡 ,  D·R·科里 ,  金野智久 ,  M·克里希南 ,  M·F·罗法洛 ,  J·那拉克斯基 ,  野田昌宏 ,  D·K·潘尼加拉帕提 ,  山中达也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种用于抛光多个介电层以形成置换型金属栅极结构的方法包括第一化学机械抛光步骤，该步骤去除过载物并平坦化顶层，以在栅极结构之上留下经平坦化的厚度。第二化学机械抛光步骤包括使用浆料去除该厚度，以将栅极结构的电介质的下面受覆盖的表面暴露，所述浆料被配置为基本上相等地抛光所述顶层和所述下面受覆盖的表面以完成平坦的形貌。采用第三化学机械抛光步骤去除栅极结构的电介质并暴露栅极导体。

公开(公告)号：CN1957020A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580015093.4

申请日：2005-04-28

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 秋山将宏 ,  中川恭志 ,  山中达也 ,  盐田淳 ,  黑泽孝彦

IPC: C08G77/50 ,  C08G77/42 ,  C08L83/14 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有－Si－O－Si－结构和－Si－CH2－Si－结构的硅化合物的涂膜的工序、加热上述涂膜的工序和对上述涂膜照射紫外线来进行硬化处理的工序。