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公开(公告)号：CN115715423A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202180037516.1
申请日：2021-05-25
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种用于不仅相对于硅氧化物膜而且相对于非晶硅膜或多晶硅膜也选择性地研磨氮化硅膜的研磨粒或化学机械研磨用组合物。本发明的研磨粒的制造方法包括：第一步骤，对混合物进行加热，所述混合物含有氢硫基(‑SH)经由共价键固定于表面的粒子以及具有碳‑碳不饱和双键的化合物；以及第二步骤，在所述第一步骤后，进而添加过氧化物并进行加热。
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公开(公告)号：CN103173019B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210477565.X
申请日：2012-11-21
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的为提供一种硬化性组成物及其制造方法、硬化物及光学半导体装置。该硬化性组成物的特征在于含有：具有烯基的聚硅氧烷(A)、饱和烃化合物(B)及每1分子中具有至少2个与硅原子键结的氢原子的聚硅氧烷(D)。本发明的硬化性组成物可形成粘性充分减低的硬化物。包含由本发明的硬化性组成物所形成的硬化物作为密封材等的光学半导体装置在硬化物的表面附着尘埃等的可能性小，而且在产品的筛选中所使用的送料器中，产生封装体彼此粘着等问题的可能性小。
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公开(公告)号：CN102757650B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210129278.X
申请日：2012-04-20
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L2224/48247
Abstract: 本发明涉及一种固化性组合物、固化物、光半导体装置以及聚硅氧烷，该组合物含有具有烯基及密接性基团的聚硅氧烷(A)、每1分子中至少具有两个与硅原子结合的氢原子的聚硅氧烷(B)(但是排除聚硅氧烷(A))、硅氢化反应用催化剂(C)的固化性组合物，以该固化性组合物中所含的全部成分的含量的合计为100质量％时，聚硅氧烷(A)的含有比例为40～90质量％。本发明的固化性组合物是可形成兼顾了对基板、金属布线等的高粘接性和LED等高的初期亮度的固化物的氢硅烷类聚硅氧烷组合物。因此，用由该固化性组合物获得的固化物覆盖半导体发光元件而获得的光半导体装置的初期亮度高，并且即使在接受了热循环的情况下固化物的粘接性也高，例如不会发生固化物从封装体剥落等情况。
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公开(公告)号：CN103131188A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210455307.1
申请日：2012-11-13
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的为提供硬化性组成物、硬化物及光学半导体装置，该硬化性组成物含有：具有至少2个烯基的特定结构的聚硅氧烷(A)、具有1个以上在构成聚硅氧烷链的同一硅原子上键结有2个芳基的硅氧烷单元的聚硅氧烷(B)、以及硅氢化反应用催化剂(C)。本发明的硬化性组成物可形成耐湿性优异的硬化物。包含由本发明的硬化性组成物所形成的硬化物作为密封材等的光学半导体装置即使长时间使用，由于水蒸气的透过而造成发光元件的发光特性降低的可能亦小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102757650A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210129278.X
申请日：2012-04-20
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L2224/48247
Abstract: 本发明涉及一种固化性组合物、固化物、光半导体装置以及聚硅氧烷，该组合物含有具有烯基及密接性基团的聚硅氧烷(A)、每1分子中至少具有两个与硅原子结合的氢原子的聚硅氧烷(B)(但是排除聚硅氧烷(A))、硅氢化反应用催化剂(C)的固化性组合物，以该固化性组合物中所含的全部成分的含量的合计为100质量％时，聚硅氧烷(A)的含有比例为40～90质量％。本发明的固化性组合物是可形成兼顾了对基板、金属布线等的高粘接性和LED等高的初期亮度的固化物的氢硅烷类聚硅氧烷组合物。因此，用由该固化性组合物获得的固化物覆盖半导体发光元件而获得的光半导体装置的初期亮度高，并且即使在接受了热循环的情况下固化物的粘接性也高，例如不会发生固化物从封装体剥落等情况。
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公开(公告)号：CN114730711A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079835.4
申请日：2020-11-18
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用组合物及化学机械研磨方法，可高速研磨作为配线材料的钨膜且可减少被研磨面上的表面缺陷的产生。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)具有下述通式(1)所表示的官能基的含有氧化铝的粒子；以及(B)液状介质。‑SO3‑M+·····(1)(M+表示一价阳离子)。
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公开(公告)号：CN114730710A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079736.6
申请日：2020-11-18
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用组合物及化学机械研磨方法，可高速研磨作为配线材料的钨膜且可减少被研磨面上的表面缺陷的产生。本发明的化学机械研磨用组合物含有：(A)表面的至少一部分被氧化硅‑氧化铝的被膜被覆的氧化铝粒子；以及(B)液状介质。
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公开(公告)号：CN118804963A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380024395.6
申请日：2023-03-10
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种可通过增大相对于氧化硅膜而言的钨膜的研磨速度来有选择性地研磨钨膜，且贮存稳定性也优异的化学机械研磨用组合物及使用其的研磨方法、以及可用于这些中的研磨粒的制造方法。另外，本发明提供一种可高速研磨氧化硅膜，且贮存稳定性也优异的化学机械研磨用组合物及使用其的研磨方法、以及可用于这些中的研磨粒的制造方法。本发明的研磨粒的制造方法包括将羟基(‑OH)经由共价键而固定于表面的粒子、具有环氧基的烷氧基硅烷、及碱性化合物混合并进行加热的工序。
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公开(公告)号：CN103173019A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210477565.X
申请日：2012-11-21
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的为提供一种硬化性组成物及其制造方法、硬化物及光学半导体装置。该硬化性组成物的特征在于含有：具有烯基的聚硅氧烷(A)、饱和烃化合物(B)及每1分子中具有至少2个与硅原子键结的氢原子的聚硅氧烷(D)。本发明的硬化性组成物可形成粘性充分减低的硬化物。包含由本发明的硬化性组成物所形成的硬化物作为密封材等的光学半导体装置在硬化物的表面附着尘埃等的可能性小，而且在产品的筛选中所使用的送料器中，产生封装体彼此粘着等问题的可能性小。
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