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公开(公告)号：CN100352605C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410064056.X
申请日：2004-07-16
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013
Abstract: 本发明提供了化学机械抛光垫。该垫含有水不溶性基质和分散于该水不溶性基质材料中的水溶性颗粒，并具有抛光表面和该抛光表面反面上的非抛光表面，该垫具有透光区域，它从抛光表面到非抛光表面是光学相通的。该透光区域的非抛光表面具有10μm或更小的表面粗糙度(Ra)。
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公开(公告)号：CN1592955A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03801567.6
申请日：2003-08-08
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B23K26/382 , B23K26/082 , B23K26/0823 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/30 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24D18/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体晶片用抛光垫加工方法和半导体晶片用抛光垫，以使内表面的表面粗糙度在20μm以下，并且可形成尺寸精度高、截面形状均匀的沟槽、凹部和通孔等。在本发明的加工方法中，对具有包含交联聚合物的非水溶性基质和分散在该非水溶性基质中的水溶性颗粒的半导体晶片用抛光垫的抛光面进行切削加工等。此外，在加工时，更优选在具有吸引孔的加工桌的一个侧面上配置抛光垫，通过从加工桌的另一侧面实施吸引，将垫吸附在该加工桌的一个侧面上而使其固定后，形成所述沟槽等。
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公开(公告)号：CN1757666A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510104102.9
申请日：2003-08-26
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明涉及研磨垫用组合物。目的在于提供成形性及耐磨耗性优异，纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物。本研磨垫用组合物含有非水溶性基质和分散于该非水溶性基质中的水溶性粒子，其中，上述非水溶性基质含有交联乙烯－醋酸乙烯共聚物、和/或不含有交联1，2－聚丁二烯，且相对于上述非水溶性基质全体，含有规定量。
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公开(公告)号：CN1590026A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410064056.X
申请日：2004-07-16
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013
Abstract: 本发明提供了化学机械抛光垫。该垫含有水不溶性基质和分散于该水不溶性基质材料中的水溶性颗粒，并具有抛光表面和该抛光表面反面上的非抛光表面，该垫具有透光区域，它从抛光表面到非抛光表面是光学相通的。该透光区域的非抛光表面具有10μm或更小的表面粗糙度(Ra)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1569399A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410045172.7
申请日：2004-04-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/302
Abstract: 一种用于化学机械抛光的抛光垫，其具有优良清除率和能够抛光以获得优良平面性。这种抛光垫包含：(A)70－99.9质量％的交联二烯弹性体和(B)0.1－30质量％的含有酸酐结构的聚合物，以上述化合物(A)和(B)总量为100质量％计，并且其比重为0.9－1.2。
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公开(公告)号：CN1519894A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410003134.5
申请日：2004-02-06
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料，二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积％到5体积％的区域(11)；以及有机材料(10)。
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公开(公告)号：CN1550288B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200410043098.5
申请日：2004-04-09
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/00 , H01L21/304 , C08J5/14
CPC classification number: B24B37/205 , B24D18/0009
Abstract: 一种能透射用于终点探测的光而不减小使用光学终点探测装置的半导体晶片的抛光中的抛光效率的研磨垫，一种制造该研磨垫的方法，一种用于制造研磨垫的金属模以及一种抛光半导体晶片的方法。该研磨垫包括研磨基底和透光组件。透光组件包括交联聚合物如交联的1，2-聚丁二烯和分散在交联聚合物中的水溶性物质如β-环糊精。由于透光组件和研磨基底熔合在一起作为集成单元，研磨垫在使用期间，浆料不会渗漏到研磨垫的背面。该制造方法包括在用于夹物模压的金属模中设置透光组件以及在该模子中交联用于形成研磨基底的基质分散体。使用该研磨垫的抛光方法采用光学终点探测装置。
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公开(公告)号：CN100424830C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200480000983.3
申请日：2004-04-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明的一个目的是提供用于半导体晶片的抛光垫和用于抛光半导体晶片的层叠体，以及利用所述抛光垫和层叠体对半导体晶片进行抛光的方法，装备所述抛光垫和层叠体可以在不降低抛光性能的情况下进行抛光。本发明的抛光垫包含用于抛光垫的提供有从表面穿透至背部的通孔的衬底(11)、和安装在所述通孔中的透光部件(12)其中所述透光部件包含一种非水溶性基体材料(1，2聚丁二烯)和分散在所述非水溶性基体材料中的一种水溶性颗粒(β-环糊精)，并且基于所述非水溶性基体材料和所述水溶性颗粒的总量体积100%，所述水溶性颗粒的体积百分含量小于5%。此外，本发明的用于抛光的层叠体包含所述抛光垫的背面上的支撑层。这些抛光垫和用于抛光的层叠体可包含背面上的固定层(13)。
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