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公开(公告)号：CN101743352A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024917.8
申请日：2008-07-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: B26D5/20 , B23K26/38 , B26D5/00 , B26D2007/0075 , B26F1/40 , B26F1/44 , B26F3/004 , G02B5/3033 , Y10T83/0448 , Y10T83/202 , Y10T83/2196
Abstract: 本发明公开了一种采用切割框架通过连续的切割处理以预定角度由长的基础材料片来制造一种或多种矩形单元件的方法，该方法包括(a)制造具有两层以上堆叠片的层压结构的基础材料片，并将该基础材料片卷绕在辊子上；(b)连续供给卷绕在辊子上的基础材料片；(c)采用具有切割器的切割框架来切割供给的基础材料片，切割器以与要制造的矩形单元件相对应的结构而安装或形成于所述切割框架中，当连续排列所述切割器时，将该切割器排列成其相对端彼此一致的形状，当将基础材料片部分重叠时进行切割，这样在切割框架的任意高度上用于一次切割处理的长度(“节距”)等于所述切割器在纵向方向上相对端间的间隔距离；(d)将切割矩形单元件后产生的废料卷绕在另一个辊子上；以及(e)传送切割的矩形单元件。
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公开(公告)号：CN104884373B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201480003907.1
申请日：2014-02-20
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: G02B1/12 , B26F1/38 , B26F3/004 , Y10T83/0586
Abstract: 本发明提供了一种通过使用包括切割器的切割框架切割基板材料来制造两种具有不同光学性质的矩形单元体的方法，该方法包括：制备具有长度方向或宽度方向光学指向性的长的基板材料；制备切割框架，该切割框架包括一个或多个第一切割器和一个或多个第二切割器，该一个或多个第一切割器用于切割出具有与所述基板材料光学指向性平行的光学指向性的第一单元体，该一个或多个第二切割器用于切割出具有与所述基板材料光学指向性垂直的光学指向性的第二单元体，所述第一切割器和第二切割器被安排在所述基板材料的宽度方向上彼此相邻；以及使用该切割框架依序切割该基板材料以同时生产出第一单元体和第二单元体。
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公开(公告)号：CN102939192A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180027919.4
申请日：2011-06-02
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: G02B5/30 , B29C55/026 , B29C55/04 , B29D7/01 , B29K2029/04 , B29K2995/0034 , G02B5/3033
Abstract: 本发明公开了利用连续过程来使用碘对基板膜染色，并且随后使染色后的膜取向，制备展现出偏振特性的膜（“偏振膜”）的装置，该装置包括：配备有测量第一浴的温度的温度计（“第一浴温度计”）的第一浴，其中洗涤作为基板膜的聚乙烯醇（PVA）膜；配备有测量第二浴的温度的温度计（“第二浴温度计”）以及测量第二浴的浓度的浓度计（“第二浴浓度计”）的第二浴，其中，将洗涤后的PVA膜浸入碘溶液中，并且在碘溶液中进行染色；第三浴，其中利用拉伸辊来拉伸碘染色后的PVA膜，由此使染色后的碘取向；配备有测量炉室的温度的温度计（“炉室温度计”）的炉室，用于烘干碘取向后的PVA膜；以及中央控制器，用于基于关于由第一、第二浴和炉室中的上述温度计以及第二浴中的浓度计测量的输入数据的特性的信息以及关于引入到连续过程的PVA膜的特性的信息，预测偏振膜的透射率，并且随后控制第一、第二浴和炉室的温度以及输送到第二浴的组合物的量。
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公开(公告)号：CN101421308A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780012961.2
申请日：2007-01-06
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08F2/00
CPC classification number: B01J19/0013 , B01J2219/0006 , B01J2219/00094 , B01J2219/00101 , B01J2219/00186 , B01J2219/00204 , B01J2219/00216 , B01J2219/00231 , C08F10/00 , C08F2400/02 , C08F2/00
Abstract: 本发明公开了一种聚合系统中的最优化方法，在该聚合系统中在用引发剂的聚合过程中产生热。所述最优化方法包括如下步骤：根据所述聚合系统中的引发剂的组分测定热产生量，以预先设定所述引发剂组分和所述热产生量之间的关系；根据所述聚合系统的冷却系统中的冷却剂的温度测定热除去量，以预先设定所述冷却剂温度和所述热除去量之间的关系；计算可用于预定的冷却剂温度下的引发剂组分，以预先设定所述冷却剂温度和所述引发剂组分之间的关系；以及在聚合过程前和/或期间测定所述冷却剂的温度，以将在测定温度下加入的引发剂的组分调节为最佳条件，因此减少了反应时间，从而提高了生产率。
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公开(公告)号：CN105518562A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049321.9
申请日：2014-09-12
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G05D25/02
CPC classification number: G05D21/02 , B29D11/00644 , G02B5/3033
Abstract: 本发明公开了通过连续工艺用碘、碘化钾和硼酸使基膜染色来制备表现出偏振特性的PVA膜(偏振膜)的装置，所述装置包括：染色浴，所述基膜在所述染色浴中浸渍在包含碘、碘化钾和硼酸的含水溶液中以使所述基膜染色，并且碘的浓度维持在预定的低浓度范围中；以及至少一个泵，设置在所述染色浴的一侧以通过连续或间断滴入方式进给碘，其中，基于在与所述泵间隔开的所述染色浴的某个区域中测量的碘浓度与从所述泵进给的碘的区域中的碘浓度的偏差，所述进给的碘的量被控制成使得在所述某个区域中测量的碘浓度维持在预定的低浓度范围中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101795835B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200880106175.3
申请日：2008-08-27
Applicant: LG化学株式会社
IPC: B26F1/44
CPC classification number: B26F1/44 , B26F2001/4481 , Y10T83/929
Abstract: 在此公开一种切架，其包括多个用于从矩形基体材料上以预定倾斜角切割两种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的切割器，所述切割器安装或形成在所述切架中以使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，其中所述切割器以矩形单元件的阵列结构成形在所述切架中，在所述矩形单元件的阵列结构中，最大尺寸矩形单元件基于基体材料的高度在所述基体材料的纵向上排列在所述基体材料的中心部分，而小尺寸矩形单元件排列在所述最大尺寸矩形单元件的上方和下方。
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公开(公告)号：CN101743352B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880024917.8
申请日：2008-07-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: B26D5/20 , B23K26/38 , B26D5/00 , B26D2007/0075 , B26F1/40 , B26F1/44 , B26F3/004 , G02B5/3033 , Y10T83/0448 , Y10T83/202 , Y10T83/2196
Abstract: 本发明公开了一种采用切割框架通过连续的切割处理以预定角度由长的基础材料片来制造一种或多种矩形单元件的方法，该方法包括(a)制造具有两层以上堆叠片的层压结构的基础材料片，并将该基础材料片卷绕在辊子上；(b)连续供给卷绕在辊子上的基础材料片；(c)采用具有切割器的切割框架来切割供给的基础材料片，切割器以与要制造的矩形单元件相对应的结构而安装或形成于所述切割框架中，当连续排列所述切割器时，将该切割器排列成其相对端彼此一致的形状，当将基础材料片部分重叠时进行切割，这样在切割框架的任意高度上用于一次切割处理的长度(“节距”)等于所述切割器在纵向方向上相对端间的间隔距离；(d)将切割矩形单元件后产生的废料卷绕在另一个辊子上；以及(e)传送切割的矩形单元件。
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公开(公告)号：CN101686738B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880022969.1
申请日：2008-07-02
Applicant: LG化学株式会社
IPC: B26F1/44
CPC classification number: B26F1/44 , B23K26/38 , B26F1/26 , B26F3/004 , B26F2001/4454 , B26F2001/4481 , Y10T83/364 , Y10T83/929
Abstract: 本发明公开了一种切割框架，其包括用于以预定倾角从矩形基底材料上切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的多个切割器，所述切割器安装或形成在所述切割框架中，使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，其中，所述切割器基于所述矩形单元件的阵列结构而安装或形成在所述切割框架中，使得除最上排矩形单元件和最下排矩形单元件以外的大多数剩余矩形单元件被布置为在每个矩形单元件的四条边处邻近不同的矩形单元件，并且相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成岛式剩余部。
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公开(公告)号：CN101795835A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880106175.3
申请日：2008-08-27
Applicant: LG化学株式会社
IPC: B26F1/44
CPC classification number: B26F1/44 , B26F2001/4481 , Y10T83/929
Abstract: 在此公开一种切架，其包括多个用于从矩形基体材料上以预定倾斜角切割两种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的切割器，所述切割器安装或形成在所述切架中以使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，其中所述切割器以矩形单元件的阵列结构成形在所述切架中，在所述矩形单元件的阵列结构中，最大尺寸矩形单元件基于基体材料的高度在所述基体材料的纵向上排列在所述基体材料的中心部分，而小尺寸矩形单元件排列在所述最大尺寸矩形单元件的上方和下方。
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公开(公告)号：CN101686738A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022969.1
申请日：2008-07-02
Applicant: LG化学株式会社
IPC: A41H43/00
CPC classification number: B26F1/44 , B23K26/38 , B26F1/26 , B26F3/004 , B26F2001/4454 , B26F2001/4481 , Y10T83/364 , Y10T83/929
Abstract: 本发明公开了一种切割框架，其包括用于以预定倾角从矩形基底材料上切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的多个切割器，所述切割器安装或形成在所述切割框架中，使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，其中，所述切割器基于所述矩形单元件的阵列结构而安装或形成在所述切割框架中，使得除最上排矩形单元件和最下排矩形单元件以外的大多数剩余矩形单元件被布置为在每个矩形单元件的四条边处邻近不同的矩形单元件，并且相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成岛式剩余部。
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