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公开(公告)号：CN103765260B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280042860.0
申请日：2012-09-20
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3033 , B05C3/09 , B05D1/18 , G02B1/08 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/3041
Abstract: 本发明涉及一种用于控制膜(偏光膜)颜色的装置，该膜采用连续过程通过在基膜上使碘和钾染色和取向而显示偏光性能，其中该装置包括中央控制器，基于从测量染色槽中碘和钾浓度的装置、测量补充槽中钾浓度的装置、设备炉和4-级炉中的温度计所测量的输入数据有关性能的信息，和引入到连续过程中的PVA膜的性能的信息，中央控制器预测偏光膜的色值，从而控制设备炉和4-级炉的温度和供料至染色槽和补充槽中的组合物的量。
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公开(公告)号：CN101795834B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200880106007.4
申请日：2008-08-27
Applicant: LG化学株式会社
IPC: B26F1/44
CPC classification number: B26D7/2614 , B23K26/38 , B26F1/44 , B26F2001/4481 , Y10T83/364 , Y10T83/8821 , Y10T428/24273
Abstract: 在此公开一种切架，其包括多个用于从矩形基体材料上以预定倾斜角切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的切割器，所述切割器安装或形成在所述切架中以使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，所述矩形单元件中的两个矩形单元件大体沿倾斜方向排列，以使得所述矩形单元件在每个矩形单元件的一个边处彼此接触，其中假设当所述矩形单元件在每个矩形单元件的左边或右边彼此对齐时，最左端虚构顶点的坐标为(Ax，Ay)，且最右端虚构顶点的坐标为(Bx，By)，则在切割面积率高于该虚构阵列的阵列中，最右端顶点的坐标(B′x，B′y)基于最左端虚构顶点的坐标(Ax，Ay)而大于所述最右端虚构顶点的坐标(Bx，By)。
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公开(公告)号：CN104884373A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201480003907.1
申请日：2014-02-20
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: G02B1/12 , B26F1/38 , B26F3/004 , Y10T83/0586
Abstract: 本发明提供了一种通过使用包括切割器的切割框架切割基板材料来制造两种具有不同光学性质的矩形单元体的方法，该方法包括：制备具有长度方向或宽度方向光学指向性的长的基板材料；制备切割框架，该切割框架包括一个或多个第一切割器和一个或多个第二切割器，该一个或多个第一切割器用于切割出具有与所述基板材料光学指向性平行的光学指向性的第一单元体，该一个或多个第二切割器用于切割出具有与所述基板材料光学指向性垂直的光学指向性的第二单元体，所述第一切割器和第二切割器被安排在所述基板材料的宽度方向上彼此相邻；以及使用该切割框架依序切割该基板材料以同时生产出第一单元体和第二单元体。
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公开(公告)号：CN103765260A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042860.0
申请日：2012-09-20
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3033 , B05C3/09 , B05D1/18 , G02B1/08 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/3041
Abstract: 本发明涉及一种用于控制膜(偏光膜)颜色的装置，该膜采用连续过程通过在基膜上使碘和钾染色和取向而显示偏光性能，其中该装置包括中央控制器，基于从测量染色槽中碘和钾浓度的装置、测量补充槽中钾浓度的装置、设备炉和4-级炉中的温度计所测量的输入数据有关性能的信息，和引入到连续过程中的PVA膜的性能的信息，中央控制器预测偏光膜的色值，从而控制设备炉和4-级炉的温度和供料至染色槽和补充槽中的组合物的量。
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公开(公告)号：CN101795833B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880105771.X
申请日：2008-08-27
Applicant: LG化学株式会社
IPC: B26F1/44
CPC classification number: B26F1/44 , B26F2001/4481 , Y10T83/95
Abstract: 本发明在此公开一种切架，包括用于从基体材料中按照预定倾角切割一种或更多种具有相对小尺寸的矩形单元块的切割器，切割器安装或成型在切架中使得切割器与矩形单元块相应，其中切割器安装或成型在矩形单元块的阵列结构的切架中，其中彼此以其每个边邻近的矩形单元块具有的顶点一致比率等于小于50％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101795833A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880105771.X
申请日：2008-08-27
Applicant: LG化学株式会社
IPC: B26F1/44
CPC classification number: B26F1/44 , B26F2001/4481 , Y10T83/95
Abstract: 本发明在此公开一种切架，包括用于从基体材料中按照预定倾角切割一种或更多种具有相对小尺寸的矩形单元块的切割器，切割器安装或成型在切架中使得切割器与矩形单元块相应，其中切割器安装或成型在矩形单元块的阵列结构的切架中，其中彼此以其每个边邻近的矩形单元块具有的顶点一致比率等于小于50％。
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公开(公告)号：CN105518562B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201480049321.9
申请日：2014-09-12
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G05D25/02
CPC classification number: G05D21/02 , B29D11/00644 , G02B5/3033
Abstract: 本发明公开了通过连续工艺用碘、碘化钾和硼酸使基膜染色来制备表现出偏振特性的PVA膜(偏振膜)的装置，所述装置包括：染色浴，所述基膜在所述染色浴中浸渍在包含碘、碘化钾和硼酸的含水溶液中以使所述基膜染色，并且碘的浓度维持在预定的低浓度范围中；以及至少一个泵，设置在所述染色浴的一侧以通过连续或间断滴入方式进给碘，其中，基于在与所述泵间隔开的所述染色浴的某个区域中测量的碘浓度与从所述泵进给的碘的区域中的碘浓度的偏差，所述进给的碘的量被控制成使得在所述某个区域中测量的碘浓度维持在预定的低浓度范围中。
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公开(公告)号：CN102939192B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201180027919.4
申请日：2011-06-02
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/30 , B29C55/026 , B29C55/04 , B29D7/01 , B29K2029/04 , B29K2995/0034 , G02B5/3033
Abstract: 本发明公开了利用连续过程来使用碘对基板膜染色，并且随后使染色后的膜取向，制备展现出偏振特性的膜（“偏振膜”）的装置，该装置包括：配备有测量第一浴的温度的温度计（“第一浴温度计”）的第一浴，其中洗涤作为基板膜的聚乙烯醇（PVA）膜；配备有测量第二浴的温度的温度计（“第二浴温度计”）以及测量第二浴的浓度的浓度计（“第二浴浓度计”）的第二浴，其中，将洗涤后的PVA膜浸入碘溶液中，并且在碘溶液中进行染色；第三浴，其中利用拉伸辊来拉伸碘染色后的PVA膜，由此使染色后的碘取向；配备有测量炉室的温度的温度计（“炉室温度计”）的炉室，用于烘干碘取向后的PVA膜；以及中央控制器，用于基于关于由第一、第二浴和炉室中的上述温度计以及第二浴中的浓度计测量的输入数据的特性的信息以及关于引入到连续过程的PVA膜的特性的信息，预测偏振膜的透射率，并且随后控制第一、第二浴和炉室的温度以及输送到第二浴的组合物的量。
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公开(公告)号：CN101421308B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200780012961.2
申请日：2007-01-06
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08F2/00
CPC classification number: B01J19/0013 , B01J2219/0006 , B01J2219/00094 , B01J2219/00101 , B01J2219/00186 , B01J2219/00204 , B01J2219/00216 , B01J2219/00231 , C08F10/00 , C08F2400/02 , C08F2/00
Abstract: 本发明公开了一种聚合系统中的最优化方法，在该聚合系统中在用引发剂的聚合过程中产生热。所述最优化方法包括如下步骤：根据所述聚合系统中的引发剂的组分测定热产生量，以预先设定所述引发剂组分和所述热产生量之间的关系；根据所述聚合系统的冷却系统中的冷却剂的温度测定热除去量，以预先设定所述冷却剂温度和所述热除去量之间的关系；计算可用于预定的冷却剂温度下的引发剂组分，以预先设定所述冷却剂温度和所述引发剂组分之间的关系；以及在聚合过程前和/或期间测定所述冷却剂的温度，以将在测定温度下加入的引发剂的组分调节为最佳条件，因此减少了反应时间，从而提高了生产率。
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公开(公告)号：CN101795834A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880106007.4
申请日：2008-08-27
Applicant: LG化学株式会社
IPC: B26F1/44
CPC classification number: B26D7/2614 , B23K26/38 , B26F1/44 , B26F2001/4481 , Y10T83/364 , Y10T83/8821 , Y10T428/24273
Abstract: 在此公开一种切架，其包括多个用于从基体材料上以预定倾斜角切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的切割器，所述切割器安装或形成在所述切架中以使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，所述矩形单元件中的两个矩形单元件大体沿倾斜方向排列，以使得所述矩形单元件在每个矩形单元件的一个边处彼此接触，其中假设当所述矩形单元件在每个矩形单元件的左边或右边彼此对齐时，最左端虚构顶点的坐标为(Ax，Ay)，且最右端虚构顶点的坐标为(Bx，By)，则在切割面积率高于该虚构阵列的阵列中，最右端顶点的坐标(B′x，B′y)基于最左端虚构顶点的坐标(Ax，Ay)而大于所述最右端虚构顶点的坐标(Bx，By)。
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