透明导电薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:CN101183571B

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN200710186981.3

    申请日:2007-11-16

    Inventor: 安田德行

    CPC classification number: H01B1/22

    Abstract: 本发明涉及一种透明导电薄膜(1),其含有由具有20nm以上的粒径的第一导电性粒子(11)以及具有不满20nm的粒径的第二导电性粒子(12)构成的导电性粒子,和粘合树脂(15)。当以R1表示第一导电性粒子(11)的平均粒径,并以R2表示第二导电性粒子(12)的平均粒径时,R2/R1为0.05~0.5。

    透明导电材料以及透明导电体

    公开(公告)号:CN101447243B

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN200810178489.6

    申请日:2008-12-01

    CPC classification number: H01B1/22 H01B1/16

    Abstract: 本发明的目的在于提供温度和湿度的影响导致的电阻值的变化小的透明导电材料、以及使用该透明导电材料的透明导电膜。本发明的透明导电材料包含树脂、透明导电粒子、含有二氧化硅粒子以及二氧化硅粒子前驱体中的至少其一的二氧化硅材料以及硅烷偶联剂。

    透明导电材料以及透明导电体

    公开(公告)号:CN101447243A

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200810178489.6

    申请日:2008-12-01

    CPC classification number: H01B1/22 H01B1/16

    Abstract: 本发明的目的在于提供温度和湿度的影响导致的电阻值的变化小的透明导电材料、以及使用该透明导电材料的透明导电膜。本发明的透明导电材料包含树脂、透明导电粒子、含有二氧化硅粒子以及二氧化硅粒子前驱体中的至少其一的二氧化硅材料、以及硅烷偶联剂。

    透明导电体
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1783358A

    公开(公告)日:2006-06-07

    申请号:CN200510125841.6

    申请日:2005-11-30

    Abstract: 本发明涉及一种透明导电体,该透明导电体具备含第1树脂的基体、含导电粒子及第2树脂的导电层、设在基体与导电层之间由第3树脂构成的中间层,中间层的玻璃转化温度Tg比导电层的Tg小。

    透明导电体
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101442849B

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN200810213978.0

    申请日:2008-09-01

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种即使在高湿条件下长时间使用,电阻值的上升也小的透明导电体。本发明的优选实施方式的透明导电体含有铟锡氧化物、以氧化锌为主要成分的添加成分、以及粘合树脂,铟锡氧化物和添加成分的总量中,含有0.1~50质量%的添加成分。

    透明导电体
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100454445C

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200510125841.6

    申请日:2005-11-30

    Abstract: 本发明涉及一种透明导电体,该透明导电体具备含第1树脂的基体、含导电粒子及第2树脂的导电层、设在基体与导电层之间由第3树脂构成的中间层,中间层的玻璃转化温度Tg比导电层的Tg小。

    透明导电材料和透明导电体

    公开(公告)号:CN100454442C

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200510105123.2

    申请日:2005-09-22

    Inventor: 安田德行

    CPC classification number: H01B1/20

    Abstract: 本发明提供一种即使在高湿度环境下也能充分抑制电阻值的上升和随时间变化的透明导电材料和透明导电体。本发明的透明导电材料包括:导电粉,具有可与所述导电粉结合的有机基团和多个反应性官能团的反应性化合物,和可与所述反应性化合物结合的多官能性有机化合物。

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