薄膜磁器件及其制造方法
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101071678B

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN200710092142.5

    申请日:2007-04-02

    Inventor: 政井琢

    CPC classification number: G11B5/3146

    Abstract: 本发明提供一种可进一步有效提高高频区域的导磁率的薄膜磁器件。形成沿着磁性膜(14B)的层叠面内的一个方向(X轴方向)延伸的狭缝(16)。此时,只在从线圈(13)的延伸区域沿其缠绕方向分割后的4个区域(位于开口(15)的上下左右的4个区域)中的相互对置一对区域(位于开口(15)的上下的2个区域)上形成各狭缝(16)。在磁性膜(14)中的被多个狭缝(16)夹持的带状区域上,在带状区域的宽度方向(X轴方向)的两端成对配置磁区(14Dh)(90°范围),并沿带状区域的长度方向(Y轴方向)排列,也可以沿带状区域的长度方向排列将该带状区域的宽度方向(易磁化轴Me方向)作为长度方向的磁区(14De)。

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