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公开(公告)号:CN104817320B
公开(公告)日:2018-06-26
申请号:CN201510053686.5
申请日:2015-02-02
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/475 , C04B35/453 , C04B35/26 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1878 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/327 , H01L41/0805 , H01L41/083 , H01L41/18 , H01L41/316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种压电特性、尤其是自发极化和位移大,进一步从低公害化、对环境性以及生态学的观点出发也优异的压电组合物和压电元件。该压电组合物的特征在于,主成分是钙钛矿型结构的下述通式所表示的物质。(Bi(0.5x+y+z)Na0.5x)m(Ti(x+0.5y)Mg0.5yMez)O30.05≦x≦0.70.01≦y≦0.70.01≦z≦0.60.75≦m≦1.0(式中,x+y+z=1,上述过渡金属元素Me为选自Mn、Cr、Fe或Co中的任意一种以上。)。
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公开(公告)号:CN104628380A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201410643703.6
申请日:2014-11-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/475 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1878 , H01L41/0805 , H01L41/083 , H01L41/273 , H01L41/316
Abstract: 本发明从压电特性、尤其是自发极化大、电阻率充分高、低公害化、环境性以及生态学的观点出发,其目的在于提供一种优异的压电组合物以及压电元件。该压电组合物的特征在于:主成分包含钙钛矿型结构的下述通式所表示的物质。(Bi(0.5x+y+z)Na0.5x)m(Tix+0.5yMg0.5yAlz)O3式中,0.01≤x≤0.8,0.2≤y≤0.8,0.01≤z≤0.6,0.75≤m≤1.0,并且x+y+z=1。
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公开(公告)号:CN101071678B
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN200710092142.5
申请日:2007-04-02
Applicant: TDK株式会社
Inventor: 政井琢
IPC: H01F37/00 , H01F27/255 , H01F30/00 , H01F41/32
CPC classification number: G11B5/3146
Abstract: 本发明提供一种可进一步有效提高高频区域的导磁率的薄膜磁器件。形成沿着磁性膜(14B)的层叠面内的一个方向(X轴方向)延伸的狭缝(16)。此时,只在从线圈(13)的延伸区域沿其缠绕方向分割后的4个区域(位于开口(15)的上下左右的4个区域)中的相互对置一对区域(位于开口(15)的上下的2个区域)上形成各狭缝(16)。在磁性膜(14)中的被多个狭缝(16)夹持的带状区域上,在带状区域的宽度方向(X轴方向)的两端成对配置磁区(14Dh)(90°范围),并沿带状区域的长度方向(Y轴方向)排列,也可以沿带状区域的长度方向排列将该带状区域的宽度方向(易磁化轴Me方向)作为长度方向的磁区(14De)。
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