薄膜磁器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101071678A

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200710092142.5

    申请日:2007-04-02

    Inventor: 政井琢

    CPC classification number: G11B5/3146

    Abstract: 本发明提供一种可进一步有效提高高频区域的导磁率的薄膜磁器件。形成沿着磁性膜(14B)的层叠面内的一个方向(X轴方向)延伸的狭缝(16)。此时,只在从线圈(13)的延伸区域沿其缠绕方向分割后的4个区域(位于开口(15)的上下左右的4个区域)中的相互对置一对区域(位于开口(15)的上下的2个区域)上形成各狭缝(16)。在磁性膜(14)中的被多个狭缝(16)夹持的带状区域上,在带状区域的宽度方向(X轴方向)的两端成对配置磁区(14Dh)(90°范围),并沿带状区域的长度方向(Y轴方向)排列,也可以沿带状区域的长度方向排列将该带状区域的宽度方向(易磁化轴Me方向)作为长度方向的磁区(14De)。

    电介质组合物及电子部件

    公开(公告)号:CN110317056B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201810296559.1

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本发明提供一种电介质组合物。第一电介质组合物其特征为,含有Ba、Ca、Bi、Ti及Sr,以EPMA测定源自Sr的特征X射线强度时,包含Sr特征X射线强度不同的2相,在使由EPMA测定的源自第一相的Sr的特征X射线强度为Sr1、使由EPMA测定的源自第二相的Sr的特征X射线强度为Sr2时,Sr2与Sr1的强度比(Sr2/Sr1)为2以上。第二电介质组合物其特征为,含有Ba、Ca、Bi、Ti及Sr,以EPMA测定源自Sr的特征X射线强度时,包含Sr特征X射线强度不同的3相,在使由EPMA测定的源自第一相的Sr的特征X射线强度为Sr1、使由EPMA测定的源自第二相的Sr的特征X射线强度为Sr2、使由EPMA测定的源自第三相的Sr的特征X射线强度为Sr3时,Sr1与Sr3的强度比(Sr1/Sr3)为0.6以下,Sr2与Sr3的强度比(Sr2/Sr3)为1.4以上。

    电介质组合物及电子部件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110317056A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201810296559.1

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本发明提供一种电介质组合物。第一电介质组合物其特征为,含有Ba、Ca、Bi、Ti及Sr,以EPMA测定源自Sr的特征X射线强度时,包含Sr特征X射线强度不同的2相,在使由EPMA测定的源自第一相的Sr的特征X射线强度为Sr1、使由EPMA测定的源自第二相的Sr的特征X射线强度为Sr2时,Sr2与Sr1的强度比(Sr2/Sr1)为2以上。第二电介质组合物其特征为,含有Ba、Ca、Bi、Ti及Sr,以EPMA测定源自Sr的特征X射线强度时,包含Sr特征X射线强度不同的3相,在使由EPMA测定的源自第一相的Sr的特征X射线强度为Sr1、使由EPMA测定的源自第二相的Sr的特征X射线强度为Sr2、使由EPMA测定的源自第三相的Sr的特征X射线强度为Sr3时,Sr1与Sr3的强度比(Sr1/Sr3)为0.6以下,Sr2与Sr3的强度比(Sr2/Sr3)为1.4以上。

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