公开(公告)号：CN1174519C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN98802350.4

申请日：1998-11-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 仓桥孝秀 ,  大波多秀典 ,  渡边明人 ,  松丸宜纪

IPC: H01P1/383 ,  H01P1/36 ,  H01P1/387

CPC classification number: H01P1/387

Abstract: 提供一种不可逆电路元件，包括：磁性体；在相互绝缘的状态下交错设置在所述磁性体上或内的多个中心导体；向所述磁性体施加磁场的永久磁体；与所述中心导体的一端共同连接的屏蔽导体；与所述中心导体的另一端连接的输入输出端；在所述不可逆元件的各输入输出端与地之间形成的输入输出电容；以及在所述屏蔽导体与所述地之间连接的只调整同相激励固有值以降低不可逆元件的工作频率的电容，在该电容的电容值为Cs，各输入输出电容的电容值为C时，Cs×C≤1500pF2。由此可实现小型化、轻量化及薄型化，并且可以在不改变所使用的材料且不导致插入损失增加的情况下任意调整温度特性。

公开(公告)号：CN114678669B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202111600241.6

申请日：2021-12-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 厚地穗乃佳 ,  芦田裕太 ,  易龙飞 ,  松丸宜纪 ,  泽口修平 ,  立松雅大 ,  户莳重光

IPC: H01P1/20 ,  H01P7/08

Abstract: 带通滤波器具备第一输入输出端口、第二输入输出端口、多个谐振器及层叠体。层叠体包括被层叠的多个电介质层。多个谐振器分别是由层叠体内的导体的线路构成的两端开放型谐振器。多个谐振器分别具有谐振器导体部，该谐振器导体部包括配置于在与多个电介质层的层叠方向正交的方向上相互分离的位置的第一线路部分及第二线路部分和将第一线路部分和第二线路部分连接的第三线路部分。第一至第三线路部分以包围第一线路部分和第二线路部分之间的空间的方式延伸。

公开(公告)号：CN113594646B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110480880.7

申请日：2021-04-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 泽口修平 ,  芦田裕太 ,  立松雅大 ,  松丸宜纪 ,  户莳重光

IPC: H01P1/20

Abstract: 本发明提供一种带通滤波器，其具备：不平衡端口；第1平衡端口；第2平衡端口；以及设置于不平衡端口与第1及第2平衡端口之间的第1谐振器、第2谐振器及第3谐振器。第2谐振器和第3谐振器均为两端开放型谐振器，并且在电路结构上相邻且将磁耦合设为主耦合进行电磁耦合。第1谐振器在电路结构上设置于比第3谐振器更接近第2谐振器的位置，并与第3谐振器进行交叉耦合。

公开(公告)号：CN110600847B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201910509340.X

申请日：2019-06-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大波多秀典 ,  松丸宜纪 ,  中村淳一

IPC: H01P1/36

Abstract: 本发明提供一种非可逆电路元件，抑制由起因于中心导体的凹凸或变形等的空气层导致的非可逆电路元件的电气特性的变化。其具备磁转子(40)和对磁转子(40)施加直流磁场的永久磁铁(31、32)，磁转子(40)包含中心导体(70)、层叠于中心导体(70)的第一铁氧体芯(41)、设置于中心导体(70)和第一铁氧体芯(41)之间所形成的间隙内的电介质(43)。根据本发明，因为在中心导体(70)和第一铁氧体芯(41)之间的空气层中填充电介质(43)，所以能够抑制有效的介电常数的降低。由此，能够抑制由起因于中心导体(70)的凹凸或变形等的空气层导致的电气特性的变化。

公开(公告)号：CN111697297A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010174792.X

申请日：2020-03-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大波多秀典 ,  松丸宜纪 ,  河田智明

IPC: H01P1/37

Abstract: 本发明提供一种不可逆电路元件，能够防止由中心导体和铁氧体磁芯之间的间隙引起的电特性的变化。不可逆电路元件(10)具备：磁转子(40)，其配置于接地导体(51、52)之间；永久磁铁(31、32)，其对磁转子(40)施加直流磁场。磁转子(40)包含：铁氧体磁芯(41)，其一表面由接地导体(51)覆盖；铁氧体磁芯(42)，其一表面由接地导体(52)覆盖；中心导体(70B)，其直接固定于铁氧体磁芯(41)的另一表面；中心导体(70A)，其直接固定于铁氧体磁芯(42)的另一表面。这样，因为中心导体(70A、70B)分别直接固定于铁氧体磁芯(42、41)，所以在两者之间不会产生间隙。由此，能够防止由中心导体和铁氧体磁芯之间的间隙引起的电特性的变化。